镉胁迫对‘丽春’桃幼苗镉积累及其根系生长的影响

摘　　要:

以水培‘丽春’桃（Prunus persica L.Batsch.）幼苗为试材，研究不同浓度镉（1、2、4、8、16和64mg·L^-1）和pH5.6的条件下，根的生长长度，生长速率以及树体器官、茎组织、根、叶亚细胞结构中镉积累的变化。结果表明，处理2d后，营养液中镉浓度小于4mg·L^-1时根生长速率较对照显著增加（P〈0.05），表现为促进生长，随处理天数的增加，刺激生长效果减弱。当营养液中镉浓度超过4mg·L^-1，处理时间超过6d时，根生长速率随镉浓度增加而减少，表现为抑制生长。营养液中镉浓度为64mg·L^-1时，根系停长。镉在桃树体中的积累量：器官中，根〉茎〉叶；茎组织中，木质部〉韧皮部；根和叶亚细胞中，细胞壁〉可溶性部分、细胞核〉线粒体；根细胞壁中镉含量显著高于其它亚细胞结构（P〈0.05），说明细胞壁在抵御桃树受镉胁迫时起到了关键性作用。 (共6页)