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AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究 预览
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作者 付润定 庄德津 +4 位作者 修向前 谢自力 陈鹏 张荣 郑有炓 《陶瓷学报》 北大核心 2018年第6期690-695,共6页
对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的Al... 对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜,其生长模式符合Stranski-Krastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。 展开更多
关键词 AlN单晶 化学机械抛光 ALGAN Stranski-Krastanow生长模式 应变梯度模型
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