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应用于MOEMS集成的TSV技术研究 预览
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作者 胡正高 盖蔚 +1 位作者 徐高卫 罗乐 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期649-653,共5页
硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表... 硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表征,测试结果表明,单个TSV的电阻平均值为0.199Ω、相邻两个TSV的电容在无偏压时为170.45fF、TSV的漏电流在100V时为9.43pA,具有良好的电学特性。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 微光机电系统(MOEMS) ICP刻蚀 键合 电镀
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数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进 预览
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作者 师艳辉 杨楠楠 +4 位作者 马英杰 顾溢 陈星佑 龚谦 张永刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期275-280,共6页
研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As... 研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 结构的总周期数从19 增加到38,其上所生长的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度. 展开更多
关键词 数字递变 异变 缓冲 INGAAS 光电探测器
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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究
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作者 汤瑜 曹春芳 +4 位作者 赵旭熠 杨锦 李金友 龚谦 王海龙 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2019年第13期172-176,共5页
报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为... 报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。 展开更多
关键词 激光器 量子阱激光器 法布里-珀罗腔 InGaAs/GaAs/InGaP 单模 边模抑制比
六方氮化硼表面石墨烯纳米带生长与物性研究 预览
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作者 陈令修 王慧山 +2 位作者 姜程鑫 陈晨 王浩敏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第16期91-103,共13页
石墨烯作为二维原子晶体家族的典型代表,由于其优异的物理与化学特性而受到学术界与工业界的广泛关注.石墨烯纳米带是宽度仅有几纳米到几十纳米的石墨烯.纳米带不但继承了石墨烯大部分优异的性能,而且具备可调控带隙、自旋极化边界态等... 石墨烯作为二维原子晶体家族的典型代表,由于其优异的物理与化学特性而受到学术界与工业界的广泛关注.石墨烯纳米带是宽度仅有几纳米到几十纳米的石墨烯.纳米带不但继承了石墨烯大部分优异的性能,而且具备可调控带隙、自旋极化边界态等石墨烯所不具有的新奇物理特性.这些特性使石墨烯纳米带成为未来探索石墨烯电子学应用所需要重点研究的对象.利用与石墨烯晶格结构相似的六方氮化硼(h-BN)作为绝缘介质衬底进行石墨烯及石墨烯纳米带制备,不仅可以有效地保持它们优异的本征性质,还可以开发出与主流半导体工艺相兼容的电子器件工艺与应用.本文回顾了近几年 h-BN 表面石墨烯及石墨烯纳米带研究的发展历程,详细阐述了最近的材料制备和物性研究的进展,并对高质量 h-BN 衬底制备的最新进展进行介绍,以期为未来实现高质量 h-BN 表面石墨烯纳米带的规模化制备并最终实现电子器件应用奠定基础.最后本文对h-BN 表面石墨烯及石墨烯纳米带的未来研究方向进行了展望. 展开更多
关键词 石墨烯 六方氮化硼 石墨烯纳米带 范德瓦尔斯异质结
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基于SQUID三轴磁强计求取高精度磁总场研究 预览
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作者 黎旭东 邱隆清 +4 位作者 荣亮亮 伍俊 张树林 王永良 董丙元 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第2期104-108,113共6页
根据航空超导全张量磁梯度系统中高精度磁总场需求,文中针对基于高灵敏低温超导量子干涉器件(LTS-SQUID)构建的三轴磁强计建立了校正模型,以校正其存在的零偏误差、比例因子误差与非正交误差。同时就SQUID重置后零偏偏大导致的算法寻优... 根据航空超导全张量磁梯度系统中高精度磁总场需求,文中针对基于高灵敏低温超导量子干涉器件(LTS-SQUID)构建的三轴磁强计建立了校正模型,以校正其存在的零偏误差、比例因子误差与非正交误差。同时就SQUID重置后零偏偏大导致的算法寻优困难问题,提出零偏预校正方案,并在预校正基础上用自适应遗传算法对校正参数进行求解。此外,通过校正模型的正演研究了解了总场误差的分布情况,于反演仿真中,可将正演数据的总场误差校正至0.02nT附近,其中预校正方案实现了零偏初步定位。在安静均匀地球磁场下进行了SQUID三轴求总场实验,将光泵磁力仪采集的数据视为理想总场。实验结果表明,经校正后的三轴实验数据合成的总场与光泵输出的标准差能达到0.2nT量级以下。 展开更多
关键词 磁总场获取 SQUID三轴磁强计 校正模型 自适应遗传算法 误差校正
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低噪声超导量子干涉器件磁强计设计与制备 预览
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作者 韩昊轩 张国峰 +5 位作者 张雪 梁恬恬 应利良 王永良 彭炜 王镇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第13期295-300,共6页
超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)作为一种极灵敏的磁通传感器,在生物磁探测、低场核磁共振、地球物理等领域得到广泛应用.本文介绍了一种基于SQUID的高灵敏度磁强计,由SQUID和一组磁通变压器组成.... 超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)作为一种极灵敏的磁通传感器,在生物磁探测、低场核磁共振、地球物理等领域得到广泛应用.本文介绍了一种基于SQUID的高灵敏度磁强计,由SQUID和一组磁通变压器组成.SQUID采用一阶梯度构型,增强其抗干扰性.磁通变压器由多匝螺旋的输入线圈和大尺寸单匝探测线圈组成,其中输入线圈与SQUID通过互感进行磁通耦合.利用自主工艺平台,在4英寸硅衬底上完成了基于Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森隧道结的SQUID磁强计制备.低温测试结果显示,该磁强计磁场灵敏度为0.36 nT/Ф0,白噪声段磁通噪声为8μФ0/√Hz,等效磁场噪声为2.88 fT/√Hz. 展开更多
关键词 超导量子干涉器件 磁强计 磁通噪声
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面向超导心磁图仪应用的环境评估方法 预览
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作者 王毅 陈威 +3 位作者 孔祥燕 张朝祥 张树林 王永良 《现代电子技术》 北大核心 2019年第10期1-4,共4页
无屏蔽低温超导心磁图仪在临床应用推进中逐渐凸显环境适应性问题,需要对安装地点进行全面的电磁环境和地坪震动评估。通过分析心磁图仪系统理论输出模型和已具备的噪声抑制手段,低频的环境磁场和震动仍是系统输出的重要干扰因素。采用... 无屏蔽低温超导心磁图仪在临床应用推进中逐渐凸显环境适应性问题,需要对安装地点进行全面的电磁环境和地坪震动评估。通过分析心磁图仪系统理论输出模型和已具备的噪声抑制手段,低频的环境磁场和震动仍是系统输出的重要干扰因素。采用磁通门梯度计和加速度计,基于LabVIEW平台研制开发环境监测系统,实地获取应用环境的磁场、磁场梯度和地坪震动信息,通过分析采样数据的时域、频域特征和样本统计分布特征,优选出符合条件的场地,目前已完成两家医院选址评估。心磁系统环境噪声采样经多周期平均处理后优于2.5pT,满足心磁采样要求,目前两家医院累计完成临床心磁采样700余例。结果表明,此环境评估方法将有助于加速心磁图仪应用推广和国内首个心磁数据库的筹建。 展开更多
关键词 超导心磁图仪 临床应用 环境评估 磁场梯度 地坪震动 心磁采样
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一种通过约瑟夫森结非线性频率响应确定微波耗散的方法 预览
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作者 陈恒杰 薛航 +1 位作者 李邵雄 王镇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期263-268,共6页
通过对电流偏置超导约瑟夫森结的微波驱动行为的研究,提出了一个确定约瑟夫森结微波耗散的方法.结的微波耗散由它的品质因子描述.微波耗散严重影响约瑟夫森器件如参量放大器、超导量子比特等的性能.对电流偏置的约瑟夫森结势阱采用四阶... 通过对电流偏置超导约瑟夫森结的微波驱动行为的研究,提出了一个确定约瑟夫森结微波耗散的方法.结的微波耗散由它的品质因子描述.微波耗散严重影响约瑟夫森器件如参量放大器、超导量子比特等的性能.对电流偏置的约瑟夫森结势阱采用四阶近似后,可以得到在较强微波驱动下约瑟夫森结非线性微波响应方程.该方程定量描述了非线性共振频率随外加微波功率变化关系:非线性共振频率与结等离子频率的差别依赖于约瑟夫森结的微波品质因子.对电流偏置的约瑟夫森结的微波运动行为进行了数值模拟.模拟结果确证了微波品质因子与非线性共振频率-等离子频率差别的定量关系可以应用于约瑟夫森结中.用这种非线性频率响应方法来确定约瑟夫森结的微波耗散没有严格的温度要求,可在单个电流偏置的结中完成,实验上具有简单可靠性. 展开更多
关键词 约瑟夫森结 非线性共振 品质因子 超导量子比特
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新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应 预览
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作者 王硕 常永伟 +3 位作者 陈静 王本艳 何伟伟 葛浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第16期344-352,共9页
静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅... 静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值. 展开更多
关键词 静态随机存储器单元 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 体接触
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锗基石墨烯能带加工:锰合金化插层
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作者 崔奋为 胡旭东 +3 位作者 朱海龙 黄本锐 马妮 李昂 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期56-61,共6页
在石墨烯或其异质结中引入带隙是石墨烯能带工程研究的重要课题。借助合金化的方法在石墨烯和锗[Ge(110)]衬底之间成功插入二维Mn-Ge合金岛,并对此异质结构开展微观原子结构及低能电子激发的扫描隧道显微学研究。在不同石墨烯覆盖度的... 在石墨烯或其异质结中引入带隙是石墨烯能带工程研究的重要课题。借助合金化的方法在石墨烯和锗[Ge(110)]衬底之间成功插入二维Mn-Ge合金岛,并对此异质结构开展微观原子结构及低能电子激发的扫描隧道显微学研究。在不同石墨烯覆盖度的样品中,发现了一维纳米线和二维平板合金岛插层,在缺乏石墨烯保护的合金表面,二维合金岛可以恢复三维生长。Mn-Ge合金纳米线和二维岛插层使石墨烯分别打开了400meV和200meV的能隙,为改变石墨烯的能带结构提供了可行的方法。 展开更多
关键词 石墨烯 扫描隧道显微镜 插层 能带工程
一种基于相变存储器的高速读出电路设计
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作者 李晓云 陈后鹏 +3 位作者 雷宇 李喜 王倩 宋志棠 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期936-942,共7页
通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导... 通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片制造工艺,利用8 Mb相变存储器芯片对改进的新型高速读出电路进行验证,并对新型电路的数据读出正确性进行仿真分析.结果表明:在读Set态相变电阻(执行Set操作后的低电阻)时,新型电路与传统读出电路的读出时间均小于1 ns;在读Reset态相变电阻(执行Reset操作后的高电阻)时,新型电路相比传统读出电路的读出速度提高了35.0%以上.同时,采用蒙特卡洛仿真方法所得Reset态相变电阻的读出结果表明:在最坏的情况下,相比传统读出电路的读出时间(111 ns),新型电路的读出时间仅为58 ns;新型电路在最低Reset态相变电阻(RGST=500 kΩ)时的读出正确率仍可达98.8%. 展开更多
关键词 相变存储器 读出电路 灵敏放大器 位线箝位电路 高速
基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真
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作者 陈治西 刘强 +4 位作者 任青华 刘晨鹤 赵兰天 俞文杰 闵嘉华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期464-470,487共8页
对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂量效应对两种器件造成的电学影响,分析了辐照前后TFET和MOS... 对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂量效应对两种器件造成的电学影响,分析了辐照前后TFET和MOSFET的能带结构、载流子密度等关键因素的变化。仿真结果表明:两种器件在受到较大辐射剂量时(1 Mrad (Si)),TFET受辐射引起的固定电荷影响较小,仍能保持较好的开关特性、稳定的阈值电压;而MOSFET则受固定电荷的影响较大,出现了背部导电沟道,其关态电流增加了几个数量级,开关特性发生了严重退化,阈值电压也严重地向负电压偏移。此外,TFET的开态电流会随着辐照剂量的增加而减小,这与MOSFET的表现恰好相反。因此TFET比MOSFET有更好的抗总剂量效应能力。 展开更多
关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 总剂量(TID)效应 开关特性 能带结构 阈值电压
智能薄膜材料的“折纸术”
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作者 李星 汪洋 +3 位作者 胥博瑞 田子傲 狄增峰 梅永丰 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第20期2070-2071,共2页
智能材料是一种感知外界环境变化并经过自身判断后改变特性从而适应这种变化的新型功能材料,其自变形、自判断和自适应等特点可以实现对生物智能的人工模仿,因而在各领域都有着重要的应用.在实际应用中,智能薄膜材料的"智能"... 智能材料是一种感知外界环境变化并经过自身判断后改变特性从而适应这种变化的新型功能材料,其自变形、自判断和自适应等特点可以实现对生物智能的人工模仿,因而在各领域都有着重要的应用.在实际应用中,智能薄膜材料的"智能"程度往往会受限于它的二维尺度,如应激行为单一、特性变化测试困难等. 展开更多
关键词 智能材料 薄膜材料 折纸 特性变化 功能材料 环境变化 生物智能 自变形
应用于变电站接地网的空间磁场检测装置
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作者 姜海波 黄俊澄 +2 位作者 赵世钦 马天驰 李伟 《功能材料与器件学报》 CAS 2019年第1期60-63,共4页
变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合... 变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合物LCP为介质基板的柔性宽带天线,用于准确检测变电站接地网的空间磁场,该天线的基本辐射单元为宽带单极子天线,采用了微带馈电的馈电方式。经软件仿真结果表明,该天线覆盖在0.5KHz-22KHz工作频段,已经满足了宽带天线的要求。 展开更多
关键词 变电站接地网 宽带天线 液晶聚合物
基于小波变换的提高输电线路雷击定位精度研究
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作者 曾宪武 李生福 +1 位作者 靳鹏飞 李伟 《功能材料与器件学报》 CAS 2019年第1期48-53,共6页
为了满足基于OPGW偏振态信号的输电线路雷击点定位的技术要求,根据雷击OPGW产生的偏振态突变信号特征,利用Matlab对峰值检测法和希尔伯特-黄变换法进行仿真研究,在研究的基础上提出了一种基于小波变换模极大值的定位方法。通过仿真分析... 为了满足基于OPGW偏振态信号的输电线路雷击点定位的技术要求,根据雷击OPGW产生的偏振态突变信号特征,利用Matlab对峰值检测法和希尔伯特-黄变换法进行仿真研究,在研究的基础上提出了一种基于小波变换模极大值的定位方法。通过仿真分析,对比了三种算法的优缺点,结果表明小波变换的效果最优,可将雷击定位误差控制在米量级。 展开更多
关键词 光偏振态 定位精度 小波变换 误差分析
超导纳米线单光子探测系统数字化监控平台研究 预览
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作者 汪旭 尤立星 +2 位作者 成明 蒋燕阳 王永良 《信息技术与网络安全》 2019年第6期69-75,共7页
超导纳米线单光子探测是新型光电探测技术,因具有高探测效率、低时间抖动、低暗计数等优良特性被广泛应用到量子信息技术等领域。系统包括电子学模块、制冷模块、探测器和真空模块。通过搭建硬件集成系统和使用软件开发技术,研发出基于... 超导纳米线单光子探测是新型光电探测技术,因具有高探测效率、低时间抖动、低暗计数等优良特性被广泛应用到量子信息技术等领域。系统包括电子学模块、制冷模块、探测器和真空模块。通过搭建硬件集成系统和使用软件开发技术,研发出基于传输/网际协议和RS-232串口协议通信的数字化监控平台。该平台能有效提升探测系统的可操作性,有效提高测量实验的工作效率,推进单光子探测技术产业化进程的发展和相关领域的应用。平台能实时采集与分析探测系统中的温度、真空度等参数,同时包括对系统安保监控信息呈动态展示,并自动控制系统从液氦温区到室温(4~300K)的升降温过程。 展开更多
关键词 超导纳米线单光子探测 数字化 自动控制 量子通信
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通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性 预览
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作者 陈其苗 宋禹忻 +5 位作者 张振普 刘娟娟 芦鹏飞 李耀耀 王庶民 龚谦 《材料导报》 CSCD 北大核心 2018年第6期1004-1009,共6页
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖... 利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖层Ge量子点能保持更大的应变量。另外,随着量子点尺寸和晶格失配度的增大,导带Γ谷与导带L谷的能量差缩减,最终使Ge转变为直接带隙材料。直接带隙能量随着量子点尺寸的增大而减小。该研究结果表明张应变Ge量子点是制备包含激光器在内的Si基光源的理想材料,在未来光电子应用中有巨大潜力。 展开更多
关键词 张应变Ge 量子点 有限元 有效质量法 直接带隙
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杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响 预览
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作者 蔡剑辉 陈治西 +5 位作者 刘晨鹤 张栋梁 刘强 俞文杰 刘新科 马忠权 《电子器件》 北大核心 2018年第6期1367-1371,共5页
为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和... 为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和不同的亚阈值斜率。因此,只有减小了外界吸附分子的影响,才能获得具有稳定电学性能的MoS2器件,并确保迁移率、亚阈值斜率、开启电压等重要电学参数的可靠性。 展开更多
关键词 MoS2背栅场效应晶体管 杂质吸附 不同的扫描条件 回滞窗口 亚阈值斜率
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利用原位APXPS与STM研究H2在ZnO(1010)表面的活化 预览 被引量:1
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作者 刘强 韩永 +7 位作者 曹云君 李小宝 黄武根 余毅 杨帆 包信和 李毅敏 刘志 《物理化学学报》 CSCD 北大核心 2018年第12期1366-1372,共7页
Cu/ZnO/Al2O3是工业中最广泛使用的甲醇合成催化剂。然而该催化反应的活性位点和机理目前仍存争议。H2作为反应物之一,研究其在ZnO表面的活化和解离对于弄清甲醇合成反应的催化机理具有重要的帮助。本工作利用近常压光电子能谱(APXPS)... Cu/ZnO/Al2O3是工业中最广泛使用的甲醇合成催化剂。然而该催化反应的活性位点和机理目前仍存争议。H2作为反应物之一,研究其在ZnO表面的活化和解离对于弄清甲醇合成反应的催化机理具有重要的帮助。本工作利用近常压光电子能谱(APXPS)和扫描隧道显微镜(STM)原位研究了H2在ZnO(1010)表面上的活化和解离。APXPS结果表明:在0.3mbar(1mbar=100Pa)的H2气氛中,室温下ZnO表面形成羟基(OH)吸附物种。STM实验发现通入H2后ZnO表面发生了(1×1)到(2×1)的重构。上述结果和原子H在ZnO(1010)表面的吸附结果一致。然而吸附H2O可以导致同样的现象。因此,我们还开展了H2O在ZnO(1010)表面吸附的对比实验。结果表明:H2气氛中ZnO表面发生0.3eV的能带弯曲,而H2O吸附实验中几乎观察不到能带弯曲发生。同时,热稳定性实验表明H2气氛中ZnO表面的OH不同于H2O解离吸附产生的OH,前者具有更高的脱附温度。因此,本工作的结果表明常温和常压下H2在ZnO(1010)表面发生解离吸附。这一结果和以往超高真空下未发现H2在ZnO(1010)表面上的解离不同,说明H2的活化是一个压力依赖过程。 展开更多
关键词 H2 ZnO(1010) 活化 解离吸附 近常压光电子能谱 扫描隧道显微镜
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X射线自由电子激光在物理学中的应用
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作者 泮丙营 叶茂 封东来 《物理》 北大核心 2018年第7期418-425,共8页
在原子/分子空间尺度直接探测微观世界的飞秒量级动态复杂过程一直是科学家追求的梦想。2009年,X射线自由电子激光装置的出现使得这个梦想成为可能。文章将介绍近年来利用X射线自由电子激光装置在凝聚态物理、非线性光学、高压物理等研... 在原子/分子空间尺度直接探测微观世界的飞秒量级动态复杂过程一直是科学家追求的梦想。2009年,X射线自由电子激光装置的出现使得这个梦想成为可能。文章将介绍近年来利用X射线自由电子激光装置在凝聚态物理、非线性光学、高压物理等研究领域取得的一些突破性进展,并展望其未来在解决重大物理问题中的可能应用。 展开更多
关键词 自由电子激光 物理科学 超快过程
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