期刊文献+
共找到121篇文章
< 1 2 7 >
每页显示 20 50 100
化学机械抛光液的研究进展 预览
1
作者 孟凡宁 张振宇 +2 位作者 郜培丽 孟祥东 刘健 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期1-10,23共11页
化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项化学机械抛光性能。将抛光液磨粒分为单一磨粒、混合磨粒以... 化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项化学机械抛光性能。将抛光液磨粒分为单一磨粒、混合磨粒以及复合磨粒,综述了近年来国内外化学机械抛光液磨粒发展现状,其中重点分析和总结了SiO2、Al2O3、CeO2三种单一磨粒,SiO2/Al2O3、SiO2/SiO2、SiO2/CeO2混合磨粒,CeO2@SiO2、PS@CeO2、PS@SiO2、sSiO2@mSiO2、PMMA@CeO2、PS@mSiO2等核-壳结构复合磨粒,Co、Cu、Fe、Ce、La、Zn、Mg、Ti、Nd等离子掺杂复合磨粒的研究和应用现状,并针对目前存在的问题进行了详细的分析。针对目前化学机械抛光液不同材料氧化剂(高锰酸钾和过氧化氢)的选择和使用进行了分析总结。此外,介绍了一种新型绿色环保抛光液的研究和使用情况,同时对化学机械抛光液存在的共性问题进行了总结,最后展望了化学机械抛光液未来的研究方向。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光液 磨粒 氧化剂 绿色环保
在线阅读 免费下载
磷化铟的化学机械抛光技术研究进展
2
作者 孙世孔 路家斌 阎秋生 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第3期201-210,共10页
磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层... 磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响磷化铟基器件的性能。综述了磷化铟晶体化学机械抛光(CMP)技术进展;介绍了磷化铟表面的化学反应原理、CMP去除机理;详细分析了磷化铟抛光液组分及pH值、抛光工艺参数(抛光压力、抛光盘转速、抛光垫特性、磨料种类、粒径及浓度)等对磷化铟抛光质量的影响;介绍了磷化铟抛光片的清洗工艺,并对磷化铟CMP的后续研究方向提出一些建议。 展开更多
关键词 磷化铟 化学机械抛光(CMP) 抛光机理 抛光液 加工工艺
磨粒和抛光垫特性对蓝宝石超声化学机械抛光的影响 预览 被引量:1
3
作者 钟敏 袁任江 +2 位作者 李小兵 陈建锋 许文虎 《中国表面工程》 CSCD 北大核心 2018年第6期125-132,共8页
抛光磨粒和抛光垫对蓝宝石超声化学机械抛光起重要作用,为研究磨粒和抛光垫特性对蓝宝石材料抛光效率和质量的影响,利用自制超声弯曲振动辅助化学机械抛光装置,研究金刚石、氧化铝和二氧化硅3种不同磨粒,以及表面多孔且无沟槽的聚氨酯... 抛光磨粒和抛光垫对蓝宝石超声化学机械抛光起重要作用,为研究磨粒和抛光垫特性对蓝宝石材料抛光效率和质量的影响,利用自制超声弯曲振动辅助化学机械抛光装置,研究金刚石、氧化铝和二氧化硅3种不同磨粒,以及表面多孔且无沟槽的聚氨酯抛光垫、IC1000抛光垫、IC1000和SubaⅣ复合抛光垫对蓝宝石材料去除率及抛光后表面粗糙度的影响。由质量损失求得的去除率和原子力显微镜表面形貌测试结果表明:二氧化硅抛光液的去除率3.2μm/h接近氧化铝抛光液去除率3.8μm/h,远大于金刚石抛光液去除率0.3μm/h,且其抛光后的蓝宝石表面光滑、无损伤;3种抛光垫抛光后的蓝宝石粗糙度接近,约0.10 nm,但聚氨酯抛光垫的去除率为3.2μm/h,远大于IC1000抛光垫的去除率1.9μm/h及复合垫的去除率1.6μm/h。二氧化硅抛光液和聚氨酯抛光垫适宜蓝宝石超声化学机械抛光工艺,可获得高去除率和原子级光滑表面。 展开更多
关键词 蓝宝石 超声弯曲振动 化学机械抛光 抛光液 抛光垫
在线阅读 下载PDF
硒化锌晶体精细雾化抛光液及去除机理研究 预览 被引量:1
4
作者 李庆忠 施卫彬 夏明光 《表面技术》 CSCD 北大核心 2018年第6期271-276,共6页
目的配制适合硒化锌雾化施液化学机械抛光的最优抛光液。方法选取氧化铝磨粒、pH调节剂四甲基氢氧化铵、氧化剂过氧化氢、表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮为主要活性成分,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,通过正交试验对硒化锌晶体进行... 目的配制适合硒化锌雾化施液化学机械抛光的最优抛光液。方法选取氧化铝磨粒、pH调节剂四甲基氢氧化铵、氧化剂过氧化氢、表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮为主要活性成分,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,通过正交试验对硒化锌晶体进行精细雾化抛光,分析材料去除机理,并与传统抛光对比。结果氧化铝质量分数为9%、pH值为11、过氧化氢含量为3.5%、聚乙烯吡咯烷酮含量为0.75%时,材料去除率较高,为923.67 nm/min,同时表面粗糙度较小,为2.13 nm。在相同工况条件下,传统抛光材料的去除率和表面粗糙度分别为965.53 nm/min和2.27 nm。结论抛光液各组分对试验结果影响最大的为氧化铝磨粒,然后依次为氧化剂、pH值、表面活性剂。精细雾化抛光效果与传统抛光相近,但抛光液用量仅为后者的1/8。 展开更多
关键词 化学机械抛光 硒化锌 去除机理 精细雾化 正交试验 抛光液
在线阅读 免费下载
射流抛光中抛光液黏度对材料去除函数的影响
5
作者 孙鹏飞 张连新 +2 位作者 李建 王中昱 周涛 《光学学报》 CSCD 北大核心 2018年第12期303-311,共9页
抛光液黏度是影响射流抛光(FJP)效果的重要因素,针对硬脆光学元件射流抛光中对抛光液黏度缺乏系统研究的现状,研究了抛光液黏度变化对材料去除函数的影响。建立射流抛光连续相、离散相模型和磨损模型,计算不同黏度下磨粒运动轨迹,分析... 抛光液黏度是影响射流抛光(FJP)效果的重要因素,针对硬脆光学元件射流抛光中对抛光液黏度缺乏系统研究的现状,研究了抛光液黏度变化对材料去除函数的影响。建立射流抛光连续相、离散相模型和磨损模型,计算不同黏度下磨粒运动轨迹,分析磨料颗粒撞击速度矢量随黏度的变化规律。配置不同黏度相同质量分数的抛光液,结合BK7工件静态采斑实验研究与塑性磨损理论计算,获得不同黏度下的材料去除函数,分析黏度对去除函数的影响机制,并进一步研究由此引起的工件表面粗糙度变化。结果表明:随着抛光液黏度增大,材料去除函数的去除深度减小、去除形状及去除范围保持不变,这有利于降低工件表面粗糙度。该研究扩展了现有光学元件射流抛光材料去除理论,对实际抛光液黏度调控具有理论指导意义。 展开更多
关键词 光学加工 射流抛光 抛光液 黏度 材料去除
不锈钢CMP抛光液的研制 预览
6
作者 崔洪刚 汪永超 唐浩 《机械设计与制造》 北大核心 2018年第1期73-75,共3页
简单介绍了不锈钢材料表面的几种加工工艺的优缺点,介绍了化学机械抛光(CMP)工艺的机理。介绍了抛光液的各成分及其作用机理,同时列举了一些常用的药品种类。针对不锈钢材料,通过理论分析或者实验对比,合理选择各个成分的药品种类,确... 简单介绍了不锈钢材料表面的几种加工工艺的优缺点,介绍了化学机械抛光(CMP)工艺的机理。介绍了抛光液的各成分及其作用机理,同时列举了一些常用的药品种类。针对不锈钢材料,通过理论分析或者实验对比,合理选择各个成分的药品种类,确定了二氧化硅、柠檬酸、过氧化氢、烷基酚聚氧乙烯醚和苯并三氮唑作为抛光液的主成分。通过正交实验的方法确定了每个成分的最佳含量。最后采用优化后的CMP抛光液进行不锈钢的CMP实验,并对比不锈钢抛光前后表面质量验证抛光液的有效性。 展开更多
关键词 不锈钢 化学机械抛光 抛光液 成分
在线阅读 下载PDF
CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究 预览
7
作者 李晖 徐世海 +1 位作者 高飞 徐永宽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期931-935,共5页
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于CdS晶片cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO2浓度为20%,氧化剂NaCl... 研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于CdS晶片cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO2浓度为20%,氧化剂NaClO的浓度为2.5%,pH值为10.64。在优化其他工艺条件下,采用该抛光液对CdS晶片Cd面进行抛光,可以获得高质量的抛光表面,经原子力显微镜(AFM)测试,在10μm×10μm的区域内,Cd面表面粗糙度Ra仅为0.171nm。该抛光液也适用于S面的抛光,S面表面粗糙度Ra可达到0.568nm,从而达到双面共用的效果。 展开更多
关键词 CMP CdS晶片 Cd面 抛光液 表面粗糙度
在线阅读 下载PDF
KIO4抛光液中盐酸胍对铜钌CMP的影响
8
作者 杜义琛 王辰伟 +4 位作者 周建伟 张文倩 季军 何彦刚 罗超 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第2期280-284,共5页
使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34kPa、抛光头转速为87r/min、抛光盘转速为93r/min、流量为300mL/min的条件下,研究不同浓度的盐酸胍(GH)对铜钌CMP的影响。电化学和AFM表面形貌图被用来对Ru和Cu表面的化学机理进行分析。实验... 使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34kPa、抛光头转速为87r/min、抛光盘转速为93r/min、流量为300mL/min的条件下,研究不同浓度的盐酸胍(GH)对铜钌CMP的影响。电化学和AFM表面形貌图被用来对Ru和Cu表面的化学机理进行分析。实验结果表明,随着GH浓度的升高,Ru和Cu的抛光速率逐步降低,并且达到良好的速率选择比。 展开更多
关键词 高碘酸钾 盐酸胍 CMP 电化学 抛光液
用于TSV硅衬底的碱性抛光液研究 被引量:1
9
作者 刘俊杰 李海清 +3 位作者 马欣 刘玉岭 牛新环 王如 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第3期424-428,共5页
在穿透硅通孔(TSV)工艺中,研究了碱性抛光液组分的组合方式和抛光液的稀释倍数对硅衬底去除速率的影响。分析了硅衬底的去除机理;研究了抛光液对Si/Cu去除速率的选择性;研究了抛光液的存储时间不同时pH值和硅衬底去除速率的变化。该... 在穿透硅通孔(TSV)工艺中,研究了碱性抛光液组分的组合方式和抛光液的稀释倍数对硅衬底去除速率的影响。分析了硅衬底的去除机理;研究了抛光液对Si/Cu去除速率的选择性;研究了抛光液的存储时间不同时pH值和硅衬底去除速率的变化。该抛光液通过在硅溶胶中依次加入表面活性剂、无机碱、有机胺碱,再用去离子水稀释15倍配制而成,并应用于TSV图形片。实验结果表明:该抛光液对硅衬底的去除速率较高,达到1.045μm/min;采用该抛光液对TSV图形片抛光120s后,铜柱露出2μm;抛光液储存时间30天后,硅衬底去除速率仅损失1.3%。该碱性抛光液满足半导体制造行业要求。 展开更多
关键词 穿透硅通孔 化学机械抛光 抛光液
光催化辅助化学机械抛光CVD金刚石抛光液的研制 预览 被引量:2
10
作者 苑泽伟 杜海洋 +1 位作者 何艳 张悦 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2016年第5期15-20,31共7页
CVD金刚石因其优越的物理化学特性被应用到许多高科技领域中,但目前的抛光方法存在着效率低、精度差等诸多问题,无法满足高科技领域对金刚石高效超光滑的表面精度要求。我们提出利用二氧化钛光催化辅助化学机械抛光方法实现CVD金刚石的... CVD金刚石因其优越的物理化学特性被应用到许多高科技领域中,但目前的抛光方法存在着效率低、精度差等诸多问题,无法满足高科技领域对金刚石高效超光滑的表面精度要求。我们提出利用二氧化钛光催化辅助化学机械抛光方法实现CVD金刚石的高质量加工,并研制出用于金刚石抛光的二氧化钛光催化氧化原理结合辅助化学机械抛光液。首先,我们根据光催化原理搭建相应的化学机械抛光装置;然后,采用甲基橙溶液氧化变色及溶液氧化还原电位(ORP)表征抛光液的氧化性;最后,对CVD金刚石进行了光催化辅助化学机械抛光。结果表明:P25型二氧化钛光催化活性最高,每100mL纯水中加入1mL的H_2O_2与0.2mL的H_3PO_4对催化剂活性影响最大,氧化还原能力较高,采用其加工CVD金刚石可使抛光表面变得极为光滑。 展开更多
关键词 CVD金刚石 二氧化钛 光催化 化学机械抛光 抛光液
在线阅读 免费下载
A quantitative investigation of the influence with the components of the CMP alkali slurry on the polishing rate
11
作者 樊世燕 刘恩海 +5 位作者 张军 刘玉岭 王磊 林凯 孙鸣 石陆魁 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第9期143-148,共6页
The influence of the components of an alkali polishing slurry and the mutual influences on the Cu polishing rate were investigated by a CMP polishing rate prediction model established with a modified artificial neural... The influence of the components of an alkali polishing slurry and the mutual influences on the Cu polishing rate were investigated by a CMP polishing rate prediction model established with a modified artificial neural network based on the artificial bee colony algorithm. The quantitative method of sensitivity analysis was employed to fulfill the purpose of quantizing the influence on the polishing rate. The result of the analysis indicates that under certain CMP conditions, the Cu polishing rate was controlled by the silica abrasives, the FA/O chelating agent, the surfactant and the oxidant agent in the polishing slurry. Such factors showed the different sensitivity coefficients with 0.78, 0.53, 0.29 and 0.19 respectively on all the sample points. The mutual influence between the FA/O chelating agent and the oxidant agent on the polishing rate seemed obviously strongest when the proportion of them was 2 to 7, with the global sensitivity coefficients between 5 to 9; the mutual influence of silica abrasives and oxidant on the polishing rate was greater as the proportion of the above additives was beyond 5, with the global sensitivity coefficients between 2.5 and 6; the mutual influence of the surfactant and oxidant on the polishing rate was not obvious, with global sensitivity coefficients less than 3. Thus, it provides a kind of effective method for quantitating the influence with the components of the CMP alkali slurry on the polishing rate. 展开更多
关键词 碱性抛光液 抛光速率 有效成分 CMP 定量调查 敏感性分析 人工神经网络 二氧化硅
优化CMP碱性铜抛光液配比的新方法 被引量:1
12
作者 樊世燕 刘玉岭 +2 位作者 林凯 石陆魁 刘恩海 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期211-216,共6页
采用响应曲面法(RSM)和人工神经网络(ANN)分别对化学机械抛光(CMP)碱性铜抛光液的主要成分(Si O2磨料、FA/O型螯合剂、H2O2氧化剂)进行优化研究。采用RSM优化,当抛光液中磨料、氧化剂和FA/O型螯合剂的体积分数分别为10.57%,1.52... 采用响应曲面法(RSM)和人工神经网络(ANN)分别对化学机械抛光(CMP)碱性铜抛光液的主要成分(Si O2磨料、FA/O型螯合剂、H2O2氧化剂)进行优化研究。采用RSM优化,当抛光液中磨料、氧化剂和FA/O型螯合剂的体积分数分别为10.57%,1.52%和2.196%时,Cu的抛光速率的预测值和实测值分别为924.29和908.96 nm/min;采用ANN结合人工蜂群算法(ABC)优化,当抛光液中磨料、氧化剂和FA/O型螯合剂的体积分数分别为11.58%,1.467%和2.313%时,Cu的抛光速率的预测值和实测值分别为947.58和943.67 nm/min,其拟合度为99.36%,高于RSM的94.63%,且均方根误差较低为0.199 3。结果表明,在抛光液配比优化方面,RSM和ANN都是可行的,但后者比前者具有更好的拟合度和预测准确度,为更加高效科学地优化抛光液配比提供了一种新的思路和方法。 展开更多
关键词 抛光液 化学机械抛光(CMP) 响应曲面法(RSM) 人工神经网络(ANN) 人工蜂群(ABC)算法
GaN基LED衬底材料化学机械抛光研究进展 预览 被引量:7
13
作者 熊伟 储向峰 +2 位作者 白林山 董永平 叶明富 《表面技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期125-130,共6页
概述了化学机械抛光作用机制,着重阐述了3种常见衬底(α—Al2O3,SiC,Si)的化学机械抛光现状,主要从抛光工艺参数和抛光液组成(不同磨料、磨料粒径、氧化剂、络合剂、pH值等)对晶片抛光效果的影响展开研究,并指出了目前化学机... 概述了化学机械抛光作用机制,着重阐述了3种常见衬底(α—Al2O3,SiC,Si)的化学机械抛光现状,主要从抛光工艺参数和抛光液组成(不同磨料、磨料粒径、氧化剂、络合剂、pH值等)对晶片抛光效果的影响展开研究,并指出了目前化学机械抛光存在的问题,进一步展望了LED衬底化学机械抛光的发展前景。 展开更多
关键词 衬底材料 化学机械抛光 抛光工艺 抛光浆料
在线阅读 免费下载
Preparation of composite abrasives by electrostatic self-assembly method and its polishing properties in Cu CMP 预览
14
作者 Huang Yishen Xu Xuefeng +2 位作者 Yao Chunyan Hu Jiande Peng Wei 《中国工程科学:英文版》 2014年第2期75-81,92共8页
The adsorption characteristics of cationic polyelectrolyte poly dimethyl diallyl ammonium chloride(PDADMAC) and anionic polyelectrolyte poly(sodium-p-styrenesulfonate)(PSS) on benzoguanamine formaldehyde(BGF) particle... The adsorption characteristics of cationic polyelectrolyte poly dimethyl diallyl ammonium chloride(PDADMAC) and anionic polyelectrolyte poly(sodium-p-styrenesulfonate)(PSS) on benzoguanamine formaldehyde(BGF) particles are investigated. The charging characteristics of BGF particles are changed and controlled using electrostatic self-assembly method. A variety of PEi-BGF/SiO2composite abrasives are obtained.The as-prepared samples are analyzed by zeta potential analysis,transmission electron microscope(TEM) and thermogravimetric(TG) analysis. The composite abrasive slurries are prepared for copper polishing. The polishing results indicate that it is SiO2abrasives,not only coated SiO2abrasive on polymer particles but also free SiO2abrasive in slurry,that offer the polishing action. The material removal rates of copper polishing are264 nm/min,348 nm/min and 476 nm/min using single SiO2abrasive slurry,PE0-BGF/SiO2mixed abrasive slurry and PE3-BGF/SiO2composite abrasive slurry,respectively. The surface roughness Raof copper wafer(with 5 μm×5 μm district) is decreased from 0.166 μm to 3.7 nm,2.6 nm and 1.5 nm,and the surface peak-valley values Rpvare less than 20 nm,14 nm and 10 nm using these kinds of slurries,respectively.更多还原 展开更多
关键词 混合磨料 抛光性能 组装方法 复合 聚二甲基二烯丙基氯化铵 制备 静电 阴离子聚电解质
在线阅读 下载PDF
纳米金刚石抛光液中磨料的可控性团聚研究现状 预览 被引量:2
15
作者 王沛 朱峰 王志强 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2014年第6期64-68,75共6页
纳米金刚石抛光液在超精密抛光中应用广泛,但纳米金刚石极易发生团聚,限制了它在抛光领域中的应用。对纳米金刚石抛光液中磨料的分散机理、分散方法以及国内外在纳米金刚石抛光液制备中的一些研究现状进行了综述,提出了纳米金刚石抛... 纳米金刚石抛光液在超精密抛光中应用广泛,但纳米金刚石极易发生团聚,限制了它在抛光领域中的应用。对纳米金刚石抛光液中磨料的分散机理、分散方法以及国内外在纳米金刚石抛光液制备中的一些研究现状进行了综述,提出了纳米金刚石抛光液的研究方向。 展开更多
关键词 纳米金刚石 抛光液 可控性团聚 分散
在线阅读 免费下载
TSV硅衬底CMP后表面微粗糙度分析与优化 被引量:1
16
作者 杨昊鹍 刘玉岭 +2 位作者 王辰伟 孙鸣 张宏远 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期523-527,共5页
为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析。采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂)配比控制的组合实验。实验结果表... 为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析。采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂)配比控制的组合实验。实验结果表明,抛光液组分中活性剂体积分数对CMP过程中硅衬底片表面微粗糙度及去除速率的影响最为显著。优化抛光液组分配比条件下,CMP后硅衬底表面微粗糙度可有效降到0.272nm(10μm×10μm),去除速率仍可达到0.538μm/min。将优化后的抛光液与生产线上普遍采用的某国际商用抛光液进行对比,在抛光速率基本一致的条件下,粗糙度有效降低50%。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 抛光液 活性剂 抛光速率 表面粗糙度
抛光介质对固结磨料化学机械抛光水晶的影响 预览 被引量:20
17
作者 居志兰 朱永伟 +2 位作者 王建彬 樊吉龙 李军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期955-962,共8页
在固结磨料化学机械抛光中,工件表面与抛光介质易发生水解反应,产生软化层,而软化层厚度直接影响材料去除速率及表面质量。本文采用显微硬度计测量了不同介质条件下水晶表面的变质层厚度,并基于CP-4研磨抛光平台研究了不同抛光介质... 在固结磨料化学机械抛光中,工件表面与抛光介质易发生水解反应,产生软化层,而软化层厚度直接影响材料去除速率及表面质量。本文采用显微硬度计测量了不同介质条件下水晶表面的变质层厚度,并基于CP-4研磨抛光平台研究了不同抛光介质及温度对材料去除速率的影响,进而在线测量了抛光过程中声发射信号及抛光垫与工件之间摩擦系数的变化。结果表明:六偏磷酸钠的加入可促进水晶玻璃表层网络结构断裂,软化表层,软化层厚度随着浸泡时间、温度升高而增加,进而提高了水晶玻璃的去除率;而且随着温度升高,水解作用更加明显。实验显示,声发射信号及摩擦系数实时测量对抛光工艺参数的优化具有指导意义。 展开更多
关键词 抛光介质 固结磨料 化学机械抛光 软化层 显微硬度 材料去除速率
在线阅读 下载PDF
表面活性剂在抛光液中应用 预览 被引量:1
18
作者 裴占柱 《广州化工》 CAS 2013年第8期99-100,共2页
讨论一种用于金属类的抛光液的制备和性能。它由磨料与表面活性剂(非离子型与阴离子型)、助剂与水组成的溶液,该溶液用Na2CO3将pH值调至8~9,本抛光剂特别适于抛光钢制品与不锈钢制品,而且可以减少原材料消耗,缩短加工时间。
关键词 表面活性剂 抛光液 磨料 螯合剂
在线阅读 下载PDF
工艺参数对稀土抛光液分散性能的影响 预览 被引量:1
19
作者 舒硕 李梅 +2 位作者 柳召刚 胡艳宏 王觅堂 《有色金属:冶炼部分》 CAS 北大核心 2013年第1期37-40,共4页
用BYK180分散剂和稀土抛光粉配制抛光液,借助吸光度和沉降体积等指标研究了分散剂用量、pH、搅拌速率和时间等参数对稀土抛光液分散性能的影响。结果表明,随着BYK180用量、搅拌速率和搅拌时间的增加,抛光液的分散性先增加后降低。pH=... 用BYK180分散剂和稀土抛光粉配制抛光液,借助吸光度和沉降体积等指标研究了分散剂用量、pH、搅拌速率和时间等参数对稀土抛光液分散性能的影响。结果表明,随着BYK180用量、搅拌速率和搅拌时间的增加,抛光液的分散性先增加后降低。pH=6.8为此抛光液的等电点,在一定pH范围内,偏离等电点越远,抛光液吸光度越大,且碱性体系的吸光度略大于酸性体系。当抛光液酸性和碱性过强时,吸光度又变小。获得最佳分散效果抛光液的工艺参数为:BYK180用量0.75%,溶液pH=9.5,搅拌速率2000r/min,搅拌时间120min。 展开更多
关键词 抛光液 工艺参数 分散剂 PH 搅拌速率 性能
在线阅读 下载PDF
纳米SiO2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用 预览 被引量:2
20
作者 张泽芳 侯蕾 +2 位作者 闫未霞 刘卫丽 宋志棠 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期88-91,共4页
制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。... 制备一种纳米氧化硅抛光液,采用扫描电子显微镜、激光粒度仪、颗粒计数仪等对其物性参数进行表征;使用该抛光液对LED蓝宝石衬底进行机械化学抛光,采用轮廓仪、表面缺陷检测设备、原子力显微镜等对抛光后的蓝宝石衬底表面进行表征。结果表明,制备的纳米氧化硅抛光液对LED蓝宝石衬底具有优异的抛光性能,抛光后的表面无划伤、无腐蚀坑,且粗糙度小于0.2nm。 展开更多
关键词 蓝宝石 氧化硅 抛光 LED 抛光液
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 7 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈