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碳化钨-钴合金表面钽离子注入的研究 预览
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作者 宋俊 李聪 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2019年第19期1029-1034,共6页
在真空和通入氮气两种气氛下,通过MEVVA(金属蒸汽真空弧)源离子注入,在WC–Co合金(YG8)表面制备了钽涂层.分别利用光学显微镜、X射线衍射仪(XRD)和电化学极化曲线测量技术对其表面形貌、相结构和耐蚀性进行了表征.结果发现:钽离子注入&q... 在真空和通入氮气两种气氛下,通过MEVVA(金属蒸汽真空弧)源离子注入,在WC–Co合金(YG8)表面制备了钽涂层.分别利用光学显微镜、X射线衍射仪(XRD)和电化学极化曲线测量技术对其表面形貌、相结构和耐蚀性进行了表征.结果发现:钽离子注入"修复"了基体表面的缺陷,使其变得平整光滑.在氮气气氛下进行离子注入,除了生成Ta2O5、Ta1.1O1.05和一些碳化物外,还有TaN0.43和W3N4两种氮化物新相.钽离子注入后,YG8合金在3.5%NaCl溶液中的腐蚀速率大幅降低,但随着钽离子注入剂量增大,耐蚀性下降.相比于真空注入环境,氮气氛围下Ta离子注入所得涂层的耐蚀性更好. 展开更多
关键词 碳化钨-钴硬质合金 金属蒸汽真空弧源 离子注入 氮气 相结构 耐蚀性
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WC-Co合金表面离子注入法制备钇涂层及其摩擦学性能
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作者 李聪 宋俊 王金凤 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期83-87,共5页
为了提高硬质合金的表面耐磨性能,在通入氮气和未通入氮气的2种情况下,利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源采用离子注入法在YG8型WC-Co合金表面成功制备了钇涂层。结果发现:注入钇离子不仅可以'修复'基体表面的缺陷,而且还能使合... 为了提高硬质合金的表面耐磨性能,在通入氮气和未通入氮气的2种情况下,利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源采用离子注入法在YG8型WC-Co合金表面成功制备了钇涂层。结果发现:注入钇离子不仅可以'修复'基体表面的缺陷,而且还能使合金表面变得平整光滑;XRD显示在涂层表层发现Y2O3、YC2和W3N4 3种新相,这些新相化合物可以显著降低合金表面的摩擦系数,这是由于离子注入时离子的反冲碰撞生成了结构致密且容易缝合于金属表面的氧化物薄膜,以及由级联效应产生的无位错和晶界的非晶态结构,二者可以共同改善基体的表面粗糙度,降低材料表面的摩擦系数。通入氮气对钇离子注入YG8硬质合金后降低其表面摩擦系数起到了促进作用。 展开更多
关键词 WC-CO硬质合金 钆涂层 MEVVA源 离子注入 摩擦学性能
中束流离子注入的束流强度改进研究 预览
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作者 颜维哲 《集成电路应用》 2019年第6期22-24,共3页
由于对离子注入剂量的测量大多为破坏性测量,无法在注入工艺后及时检测注入的准确性,一直是离子注入技术面临的难题。以NISSIN exceed 2000AH中束流离子注入机为平台,着重研究束流强度增强后对晶圆的电学性能带来的影响,及其实际应用。... 由于对离子注入剂量的测量大多为破坏性测量,无法在注入工艺后及时检测注入的准确性,一直是离子注入技术面临的难题。以NISSIN exceed 2000AH中束流离子注入机为平台,着重研究束流强度增强后对晶圆的电学性能带来的影响,及其实际应用。研究通过线下测试片进行实验,验证了束流强度对晶圆实际注入剂量和均匀度的影响。在不改变设定注入剂量的情况下,加大束流强度,亦会使晶圆的实际注入剂量偏多,当束流强度增加100%时,有可能造成实际注入剂量1.5%甚至2%以上的偏差。而当扫描次数小于5次时,注入的均匀度亦会有可能产生偏差。 展开更多
关键词 集成电路制造 离子注入 中束流 束流强度
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Sb掺杂ZnO单晶薄膜的结构和光学性能研究 预览
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作者 原苗苗 杨娅 英敏菊 《北京师范大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期336-340,共5页
采用射频等离子体辅助分子束外延法制备高品质ZnO单晶薄膜,利用离子注入技术向ZnO单晶薄膜中注入不同注量的Sb离子,并对样品进行了氧气氛退火处理.利用高分辨双晶X射线衍射技术、RBS背散射/沟道技术以及低温光致发光光谱测试对注入Sb离... 采用射频等离子体辅助分子束外延法制备高品质ZnO单晶薄膜,利用离子注入技术向ZnO单晶薄膜中注入不同注量的Sb离子,并对样品进行了氧气氛退火处理.利用高分辨双晶X射线衍射技术、RBS背散射/沟道技术以及低温光致发光光谱测试对注入Sb离子后样品的结构和光学性能进行了表征,结果表明:低注量下注入离子对ZnO薄膜结晶品质影响不大,带边发光稍有减弱;当掺杂注量达到1015cm^-2时,离子注入产生了一定量的晶格损伤,同时带边发光被完全抑制.氧气氛下退火后ZnO薄膜发光恢复,带边发光峰主要为受主能级和锌空位发光,表明退火后在ZnO单晶薄膜中形成了(SbZn-2VZn)受主缺陷复合体,有望通过Sb掺杂实现ZnO的p型转化. 展开更多
关键词 离子注入技术 ZNO薄膜 晶体结构 光致发光特性
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锑化铟红外焦平面阵列制备技术 预览
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作者 梁进智 徐长彬 李海燕 《红外》 CAS 2019年第6期7-12,共6页
锑化铟作为制备中波红外探测器的主流材料,其光敏芯片规模经历了单元、多元、线列到面阵的发展过程。出于市场应用需求,光敏芯片的制备技术不断更新换代。按发展先后顺序介绍了锑化铟光敏芯片PN结的制备技术,具体包括热扩散技术、离子... 锑化铟作为制备中波红外探测器的主流材料,其光敏芯片规模经历了单元、多元、线列到面阵的发展过程。出于市场应用需求,光敏芯片的制备技术不断更新换代。按发展先后顺序介绍了锑化铟光敏芯片PN结的制备技术,具体包括热扩散技术、离子注入技术和外延技术。目前国内成熟的光敏芯片成结技术为热扩散技术。国外主流厂家在热扩散、离子注入、外延工艺方面都已研发成熟,并投入实际生产。着重介绍了三种工艺技术的优缺点及配套的焦平面阵列结构设计。 展开更多
关键词 锑化铟 热扩散 离子注入 外延
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n型单晶硅太阳电池中硼离子注入发射极特性研究
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作者 祝方舟 卞剑涛 刘正新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1583-1588,共6页
离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消除的缺点。该文通过对硼注入发射极退火特性进行研究,发现样品的J0e(发射极饱和电流)、少子寿命teff、ImpV... 离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消除的缺点。该文通过对硼注入发射极退火特性进行研究,发现样品的J0e(发射极饱和电流)、少子寿命teff、ImpVoc(理论开路电压)均随退火温度的升高得到显著改善。为进一步研究其机理,采用椭圆偏振光光谱对晶格损伤进行表征,并借助TCAD软件模拟分析注入后热处理所产生的硼硅团簇(BIC)等缺陷状态,从损伤修复和杂质激活两方面对硼(B)注入发射极J0e随退火温度变化的机制做出解释。 展开更多
关键词 太阳电池 离子注入 发射极 缺陷 晶格损伤
离子注入红芸豆种子生物效应分析 预览
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作者 李海金 晋凡生 +2 位作者 常建忠 李洁 刘恩科 《山西农业科学》 2019年第6期982-984,共3页
离子注入处理种子是一项农业物理新技术,该诱变技术稳定可靠、简便易行。采用田间试验的方法,研究不同离子注入剂量对红芸豆生物效应的影响。结果表明,低剂量氮离子注入红芸豆种子对红芸豆的生物效应影响明显,与对照相比,2×10^16N^... 离子注入处理种子是一项农业物理新技术,该诱变技术稳定可靠、简便易行。采用田间试验的方法,研究不同离子注入剂量对红芸豆生物效应的影响。结果表明,低剂量氮离子注入红芸豆种子对红芸豆的生物效应影响明显,与对照相比,2×10^16N^+/cm^2剂量处理使红芸豆株高增高14.6%,豆荚数增加14.7%,百粒质量减少3.4%,产量增加5.4%。试验筛选出了处理红芸豆的最佳剂量,使红芸豆的生长潜力得到提升,产量得到一定提高,对创制新种质资源具有积极的作用。 展开更多
关键词 离子注入 剂量 红芸豆 产量
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N^+注入修复外延Fe膜面内六重磁对称 预览
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作者 姜兴东 管兴胤 +2 位作者 黄娟娟 范小龙 薛德胜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期208-213,共6页
为了研究离子注入对外延磁性薄膜面内磁各向异性的影响,用离子加速器对在有错切角的Si(111)面上外延生长的Fe膜进行了N^+注入实验.随着N^+注入剂量的增加,外延生长的Fe膜的面内磁各向异性逐渐从二重对称改变为六重对称.通过透射电子显... 为了研究离子注入对外延磁性薄膜面内磁各向异性的影响,用离子加速器对在有错切角的Si(111)面上外延生长的Fe膜进行了N^+注入实验.随着N^+注入剂量的增加,外延生长的Fe膜的面内磁各向异性逐渐从二重对称改变为六重对称.通过透射电子显微镜和刻蚀实验验证,发现离子辐照改变了Fe膜表面和界面的状态.未辐照Fe膜面内二重磁对称来自于由于Si(111)面的错切使得在薄膜界面和表面处形成的原子台阶.N^+注入的溅射作用使得Fe膜表面的原子台阶被擦除,N^+注入使得缓冲层和Fe膜界面处相互扩散导致界面处原子台阶消失.因此,外延Fe膜在大剂量N~+注入后表现出Fe(111)面诱导的六重磁对称.研究结果对于提高面内磁记录密度有潜在的应用价值. 展开更多
关键词 外延铁膜 离子注入 磁各向异性
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离子注入机台水汽状况监控的研究 预览
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作者 国子明 姚雷 +2 位作者 王毅 郭国超 张凌越 《集成电路应用》 2019年第7期31-33,共3页
针对闪存产品(Flash)生产过程中出现的良率低下问题,研究离子注入机台水汽类颗粒物的监控方法。做了一系列实验,推导出离子注入过程中水汽对离子注入影响的机理。形成一套简单、有效监控离子注入机台水汽类颗粒物的方法。基于此方法的... 针对闪存产品(Flash)生产过程中出现的良率低下问题,研究离子注入机台水汽类颗粒物的监控方法。做了一系列实验,推导出离子注入过程中水汽对离子注入影响的机理。形成一套简单、有效监控离子注入机台水汽类颗粒物的方法。基于此方法的有效实施,可以避免闪存产品等在生产过程中,由于水汽类颗粒物导致的良率低下等问题。 展开更多
关键词 集成电路制造 闪存产品 离子注入 水汽类颗粒物
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钛基合金表面注磷生物医用改性的研究进展 预览
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作者 秦亮 黄润 刘蕾 《西安文理学院学报:自然科学版》 2019年第3期75-79,共5页
钛基合金由于具有优异的机械性能、耐腐蚀性和生物相容性等优点,是硬组织替代的优选材料.然而,在临床应用中钛基合金常常由于硬度不够、耐磨性较差而产生磨屑致使炎症发生,此外,作为一种生物惰性材料,其往往不能与骨组织形成有效的化学... 钛基合金由于具有优异的机械性能、耐腐蚀性和生物相容性等优点,是硬组织替代的优选材料.然而,在临床应用中钛基合金常常由于硬度不够、耐磨性较差而产生磨屑致使炎症发生,此外,作为一种生物惰性材料,其往往不能与骨组织形成有效的化学键合,而导致形成较差的骨整合效果.基于此,可以在钛及其合金表面离子注入磷元素,改善钛基合金的性质并扩展其临床应用.综述了磷离子注入钛基合金表面生物医用改性的研究进展,对该方法改善钛基金属生物学性质及其在临床上广泛医用的前景做了展望. 展开更多
关键词 离子注入 钛基合金 注磷
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Ti6Al4V合金表面离子注入N+C,Ti+N和Ti+C性能研究
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作者 冯兴国 张凯锋 +2 位作者 周晖 郑玉刚 万志华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1447-1453,共7页
采用等离子体基离子注入的方法在Ti6Al4V合金表面分别注入N+C、Ti+N和Ti+C元素,注入剂量均为2×10^17ions/cm^2,N+C和Ti+N元素的注入负脉冲偏压为-50kV,Ti+C元素的注入电压分别为-20,-35和-50kV。通过X射线光电子能谱仪(XPS)和X射... 采用等离子体基离子注入的方法在Ti6Al4V合金表面分别注入N+C、Ti+N和Ti+C元素,注入剂量均为2×10^17ions/cm^2,N+C和Ti+N元素的注入负脉冲偏压为-50kV,Ti+C元素的注入电压分别为-20,-35和-50kV。通过X射线光电子能谱仪(XPS)和X射线衍射仪(XRD)对注入层进行了微观结构分析。结果表明:Ti+C注入层中存在TiC和Ti-O,Ti+N注入层中存在TiN和Ti-O键。采用纳米压痕仪和球盘磨损试验机对注入层的硬度和摩擦学性能进行了研究。结果表明:在相同注入电压下,Ti+C注入层的硬度最高,其次是Ti+N注入层,N+C注入层的硬度最低;Ti+C注入层的硬度随着注入电压的增大而增大,最大硬度为11.2 GPa。50kV注入层Ti+C具有最低的比磨损率,其值为6.7×10^-5 mm^3/N·m,比磨损率较未处理Ti6Al4V基体下降了1个数量级以上,表现出优异的耐磨损性能。 展开更多
关键词 离子注入 XPS 硬度 摩擦学性能
Zr离子注入对镁合金表面耐磨耐蚀性能的影响
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作者 周必元 郏永强 +3 位作者 宋浩 寇鹏祖 王涛 巴志新 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期135-142,共8页
在不引入外来元素的情况下,通过金属高能离子源(MEVVA)将不同剂量(1×10^16,2×10^16,3×10^16,5×10^16ions/cm^2)的锆元素注入ZK60镁合金表面。采用X射线光电子能谱(XPS)刻蚀技术分析了注入层的结构成分,利用摩擦磨... 在不引入外来元素的情况下,通过金属高能离子源(MEVVA)将不同剂量(1×10^16,2×10^16,3×10^16,5×10^16ions/cm^2)的锆元素注入ZK60镁合金表面。采用X射线光电子能谱(XPS)刻蚀技术分析了注入层的结构成分,利用摩擦磨损试验机研究了注入前后试样表面耐磨性能变化,通过电化学工作站研究了Zr离子注入前后ZK60镁合金在3. 5%Na Cl溶液中的耐腐蚀性能,根据电化学阻抗数据拟合等效电路,探讨其耐蚀机理。结果表明,注入剂量为2×10^16ions/cm^2时,ZK60镁合金表面形成一层主要由Zr O2、Zr和MgO组成的改性层,其表面耐磨性能得到改善;随着注入剂量的增加,其腐蚀电流密度先减小后增加,当注入剂量为2×10^16ions/cm^2时,其腐蚀电流密度下降了约两个数量级,表明Zr离子注入可有效提高ZK60镁合金的耐蚀性能。 展开更多
关键词 镁合金 离子注入 耐磨性能 耐蚀性能
铜铟硒膜及其离子注入后的光电特性研究
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作者 王世兴 何伟坚 +2 位作者 王伟 黄建军 苏红 《光学与光电技术》 2019年第3期66-70,共5页
为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理,在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上,通过引入离子注入设计了不同的膜层结构。测试结果表明,随着退火温度、溅射功率的改变,薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化,且表现有... 为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理,在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上,通过引入离子注入设计了不同的膜层结构。测试结果表明,随着退火温度、溅射功率的改变,薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化,且表现有所区别。对铜铟硒膜进行离子注入后发现,黄铜矿结构对应的拉曼峰减弱甚至消失,表面晶格损伤较大;单注入铝离子使得电阻率及禁带宽度均增大,而单注入钛离子增大了禁带宽度但降低了电阻率,双注入铝离子与钛离子则可以在较大范围内对电阻率、禁带宽度进行调制。 展开更多
关键词 铜铟硒膜 离子注入 光电性能 拉曼光谱 禁带宽度
Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响 被引量:1
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作者 梁李敏 解新建 +3 位作者 刘辉 田园 郝秋艳 刘彩池 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第10期757-761,共5页
利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备的p-GaN薄膜中,制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形... 利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备的p-GaN薄膜中,制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形貌和磁性能的影响。研究结果表明:Ni离子注入未在GaN晶格中引入第二相,中等剂量的Ni离子辐照GaN样品在室温下具有顺磁性,800℃热退火后样品的磁性由顺磁性转化为铁磁性,具有较高的饱和磁化强度。热退火后p-GaN的晶格损伤恢复和空穴载流子浓度增加,因此800℃热退火样品的铁磁性转变是由于Ni离子的自旋电子与空穴栽流子的相互作用增强引起的。 展开更多
关键词 氮化镓 稀磁半导体 离子注入 铁磁性 热退火
采用离子注入法对金属表面改性专利技术综述 预览
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作者 赵亮 于慧泽 《河南科技》 2018年第24期52-54,共3页
离子注入技术属原子级表面加工技术, 其具备改性效果明显、 效率高、 可控性和可操作性强、无污染等优点, 在金属材料、 半导体器件、 医用抗菌等众多领域应用广泛.本文分析了采用离子注入法对金属表面改性的国内外专利申请文献, 分析... 离子注入技术属原子级表面加工技术, 其具备改性效果明显、 效率高、 可控性和可操作性强、无污染等优点, 在金属材料、 半导体器件、 医用抗菌等众多领域应用广泛.本文分析了采用离子注入法对金属表面改性的国内外专利申请文献, 分析了该领域的专利申请量, 归纳出申请人国别和应用领域分布, 同时对该领域未来发展趋势进行了预测. 展开更多
关键词 离子注入 金属 表面改性 核心专利
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碳、银和氮离子注入硅橡胶对大鼠骨髓间充质干细胞生物学行为的影响
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作者 李翔 陈瑶 +3 位作者 周鑫 樊东力 张一鸣 燕荣帅 《第三军医大学学报》 CSCD 北大核心 2018年第23期2162-2167,2189共7页
目的探讨碳、银和氮离子注入硅橡胶对大鼠骨髓间充质干细胞黏附、增殖和分化的影响。方法以浓度为1×1016ions/cm2在10KeV条件下向普通硅橡胶注入碳离子、银离子和氮离子,得到碳硅胶(C-SR)、银硅胶(Ag-SR)和氮硅胶(N-SR) 3组改性的... 目的探讨碳、银和氮离子注入硅橡胶对大鼠骨髓间充质干细胞黏附、增殖和分化的影响。方法以浓度为1×1016ions/cm2在10KeV条件下向普通硅橡胶注入碳离子、银离子和氮离子,得到碳硅胶(C-SR)、银硅胶(Ag-SR)和氮硅胶(N-SR) 3组改性的硅橡胶材料并作为实验组,普通硅橡胶(SR)作为对照组,从130g成年SD大鼠骨髓取2~5代骨髓间充质干细胞进行生物相容性实验。通过CCK-8观察细胞增殖,并在普通光镜下比较黏附细胞的数量和形态,F-actin免疫荧光染色观察细胞骨架形态的变化、Western blot检测成骨及成脂分化相关标志物的表达。结果成功将离子注入硅橡胶中,得到碳硅胶(C-SR)、银硅胶(Ag-SR)和氮硅胶(N-SR) 3种改性的硅橡胶材料。大鼠骨髓间充质干细胞能较好地粘附在改性后的硅橡胶材料上,并且N-SR上细胞增殖较明显,与硅橡胶上的细胞增殖差异有统计学意义(P <0. 05)。通过F-actin免疫荧光染色,不同材料上的细胞骨架形态发生变化,Western blot检测结果显示N-SR有促进成骨分化的趋势。结论碳、银和氮离子注入硅橡胶提高了材料表面的生物相容性,其中N-SR能促进细胞的粘附与增殖,并对干细胞的分化产生影响。 展开更多
关键词 硅橡胶 离子注入 骨髓间充质干细胞 细胞分化表面改性
氧离子注入对氧化钒薄膜电学特性影响的研究 预览
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作者 杨碧赞 《复旦学报:自然科学版》 CSCD 北大核心 2018年第2期223-227,共5页
采用直流磁控溅射方法在Si3N4/Si衬底上淀积了一层55nm的氧化钒薄膜,随后对氧化钒薄膜分别进行不同剂量的O+和Ar+注入.O+具有非常强的化学活性,能够钝化各种电子材料中的缺陷状态,而Ar+作为一种惰性离子,主要是作为一种对比来研究... 采用直流磁控溅射方法在Si3N4/Si衬底上淀积了一层55nm的氧化钒薄膜,随后对氧化钒薄膜分别进行不同剂量的O+和Ar+注入.O+具有非常强的化学活性,能够钝化各种电子材料中的缺陷状态,而Ar+作为一种惰性离子,主要是作为一种对比来研究离子轰击对氧化钒的影响.利用四探针测试设备、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、拉曼分析(Raman)、傅里叶红外光谱分析(FTIR)、X射线光电子能谱分析(XPS)以及X射线衍射仪(XRD)等表征方法来分析离子注入前后氧化钒薄膜性质的变化.实验结果表明,低剂量的O+或Ar+注入都能够使氧化钒的电阻温度系数(TCR)值上升,TCR值分别达到了-2.57%/K或-2.51%/K.而高剂量的O+或Ar+注入反倒会使氧化钒的TCR值和方块电阻(Rsq)值急剧下降.分析发现低剂量O+注入前后薄膜的表面形貌和价键没有发生明显变化.研究表明低剂量O+注入后载流子跳跃导电的激活能上升了,从而导致TCR值上升. 展开更多
关键词 氧化钒 离子注入 电阻温度系数 激活能
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Co离子注入ITO薄膜的磁性研究 预览
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作者 王佳伟 罗凤凤 《江西科学》 2018年第1期26-30,共5页
ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,对其进行磁性离子掺杂,使其具有室温铁磁性而用于自旋电子学器件,具有重要的意义。以ITO薄膜为基体,用MEVVA源注入磁性Co离子,经快速热退火处理后,研究Co离子注入前后薄膜样品的磁性... ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,对其进行磁性离子掺杂,使其具有室温铁磁性而用于自旋电子学器件,具有重要的意义。以ITO薄膜为基体,用MEVVA源注入磁性Co离子,经快速热退火处理后,研究Co离子注入前后薄膜样品的磁性质。经GAXRD和XPS分析,没有发现Co纳米团簇及其氧化物等第二相生成。未注入Co离子的ITO薄膜具有室温铁磁性,其磁性起源于薄膜中少量的VO,Co离子注入后,薄膜样品的饱和磁化强度明显增强,一方面是由于Co-O-Co铁磁耦合对的生成,另一方面是磁性Co离子注入后,促进了样品中磁极化子间的交换相互作用。 展开更多
关键词 ITO薄膜 离子注入 室温铁磁性
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Wettability of Si and Al–12Si alloy on Pd-implanted 6H–SiC
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作者 汪婷婷 刘桂武 +3 位作者 黄志坤 张相召 徐紫巍 乔冠军 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期352-356,共5页
关键词 PD SI 植入 合金 原文 离子 接触角 底层
Guiding properties of proton-implanted Nd^3+-doped phosphate glass waveguides
20
作者 朱其峰 王玥 +2 位作者 沈建平 郭海涛 刘春晓 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第5期318-321,共4页
关键词 磷酸盐玻璃 玻璃波导 质子 植入 Nd 性质 平面波导 相互作用
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