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LDO调制的电荷泵稳压电路设计
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作者 谭传武 周玲 +1 位作者 刘红梅 刘立君 《国外电子测量技术》 2019年第2期66-69,共4页
随着SOC技术的兴起和发展,便携式电子设备对电源管理芯片的需求大、要求高,要求提供稳定低噪的电压外,还要求低功耗和高转化效率。采用LDO电路结合电荷泵电路形成闭环反馈的稳压电路,利用电容电压不能突变的思想,在反馈状态下实现升降... 随着SOC技术的兴起和发展,便携式电子设备对电源管理芯片的需求大、要求高,要求提供稳定低噪的电压外,还要求低功耗和高转化效率。采用LDO电路结合电荷泵电路形成闭环反馈的稳压电路,利用电容电压不能突变的思想,在反馈状态下实现升降压的稳压电路。完成了LDO电路原理分析、稳压电路设计、带隙基准电路设计、误差放大器电路设计并进行了仿真验证,仿真结果表明,输入电压在2.7~5.5V之间时,输出稳定为5V。采用LDO调制的电荷泵稳压电路设计的电源管理芯片,能广泛应用在便携式电子产品当中。 展开更多
关键词 LDO 电荷泵 电源管理 带隙基准 CMOS 稳压电路
低压低温度系数带隙基准源的设计 预览
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作者 程亮 赵子龙 钟轶峰 《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第2期281-285,共5页
基准源被广泛应用于数模转换器、锁相环等集成电路中,其输出电压的稳定性影响到整个系统的性能。采用高阶曲率补偿原理,设计了一种低压高精度带隙基准电压源。利用工作于亚阈值区的MOSFET栅源电压差所产生的非线性正温度系数电流来修正... 基准源被广泛应用于数模转换器、锁相环等集成电路中,其输出电压的稳定性影响到整个系统的性能。采用高阶曲率补偿原理,设计了一种低压高精度带隙基准电压源。利用工作于亚阈值区的MOSFET栅源电压差所产生的非线性正温度系数电流来修正传统BJT带隙基准源的精度。使用CSMC0.18μmCMOS工艺进行设计,流片后测试结果表明,在1.2V电源电压下室温27℃时输出基准电压812mV;低频时,电源抑制比达到-89dB。在-35℃到115℃的宽温度范围内,温度系数为4.1×10^-6/℃。 展开更多
关键词 集成电路 带隙基准源 曲率补偿 温度系数
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低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计 预览 被引量:1
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作者 连天培 蒋品群 +2 位作者 宋树祥 蔡超波 庞中秋 《广西师范大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2019年第1期125-132,共8页
本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工... 本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8V,仿真结果表明:电路在-40~130℃温度范围内,温度系数为1.54×10^-6℃^-1,输出基准电压为1.154V,电源抑制比在10Hz处为-76dB,在100kHz处为-85dB,在15MHz处为-63dB。本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 动态阈值MOS管
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一种宽温度范围低温度系数的CMOS带隙基准电路 预览
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作者 任贺宇 王军 赵传阵 《天津师范大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2019年第2期71-75,共5页
为得到适用于温度传感器、AD/DA和LDO等精密系统的高精度基准电压,提出基于高阶非线性补偿的5段分段补偿技术,在-40~125℃的宽温度范围内,实现一种高精度带隙基准(BGR)电路.5段分段补偿技术基于电流镜组合构成的电流加减电路实现.BGR电... 为得到适用于温度传感器、AD/DA和LDO等精密系统的高精度基准电压,提出基于高阶非线性补偿的5段分段补偿技术,在-40~125℃的宽温度范围内,实现一种高精度带隙基准(BGR)电路.5段分段补偿技术基于电流镜组合构成的电流加减电路实现.BGR电路基于3.3 V电源供电的0.18μm CMOS工艺完成设计.仿真结果表明,所设计BGR电路的温度系数(TC)为0.05×10^-6/℃,工作电流约为28μA,电源抑制比(PSRR)约为-100dB@dc,线性调整率约为11.8μV/V. 展开更多
关键词 带隙基准 高阶非线性补偿 5段分段补偿 温度系数 电源抑制比
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一款6.4ppm/℃的低功耗带隙基准设计 预览
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作者 潘鸿泽 王东兴 宋明歆 《电子技术应用》 2019年第9期46-49,共4页
设计了一款低功耗带隙基准,通过引入在温度超过某一温度之后的渐变阻抗,改善了带隙基准的温漂值,同时对传统的带有运放的带隙做出了改进,设计了一款低功耗的结构。仿真结果表明,在电源5V供电情况下,总体功耗为1.2μW,在温度范围-40℃~15... 设计了一款低功耗带隙基准,通过引入在温度超过某一温度之后的渐变阻抗,改善了带隙基准的温漂值,同时对传统的带有运放的带隙做出了改进,设计了一款低功耗的结构。仿真结果表明,在电源5V供电情况下,总体功耗为1.2μW,在温度范围-40℃~150℃,温漂为6.40ppm/℃。 展开更多
关键词 带隙基准 低功耗 低温漂 渐变阻抗
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一种高电源抑制比带隙基准源
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作者 周志兴 来强涛 +4 位作者 姜宇 郭江飞 王成龙 陈腾 郭桂良 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第5期1-4,9共5页
介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃~150℃温度范围、3.5 V~6 V的电源电压范围内,该带隙基准... 介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃~150℃温度范围、3.5 V~6 V的电源电压范围内,该带隙基准的温度系数为15 ppm/℃.带隙基准源的电源抑制比在直流处和1 kHz处分别为-125 dB、-106 dB. 展开更多
关键词 带隙基准源 电源抑制比 稳压电路
一种高精度自偏置的带隙基准源 预览
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作者 莫啸 李冬 +1 位作者 张明科 孔德鑫 《数字技术与应用》 2019年第8期75-77,共3页
本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源。仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV。tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的... 本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源。仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV。tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的温度系数低至8.8ppm/℃,具有良好的温度特性。tt模式,27℃时,低频的电源抑制比达到78.8dB,静态电流15.4μA。 展开更多
关键词 自偏置 带隙基准 温度系数 电源抑制比
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一种无电阻结构带隙基准源电路 预览
8
作者 程亮 赵子龙 侯文彦 《山西电子技术》 2019年第5期29-31,49,共4页
使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV GS来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯... 使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV GS来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单。基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃~145℃温度范围内,温漂系数是15×10^-6/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB。 展开更多
关键词 带隙基准源 温度系数 互补金属氧化物半导体 电源抑制比
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一种新型温度补偿方式的带隙基准电压源 预览
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作者 都文和 刘睿 +1 位作者 程秀娟 杨占宇 《电子与封装》 2019年第10期39-43,共5页
设计产生正、负温度系数电压的电路,在传统基准电压源电路的基础上引入新型具有负温度系数电压的补偿电路,使基准的温度系数大大降低。设计基于中芯国际SMIC 0.18μm工艺,仿真结果表明:在工作电压5 V及环境温度27℃下,输出电压为1.3 V;... 设计产生正、负温度系数电压的电路,在传统基准电压源电路的基础上引入新型具有负温度系数电压的补偿电路,使基准的温度系数大大降低。设计基于中芯国际SMIC 0.18μm工艺,仿真结果表明:在工作电压5 V及环境温度27℃下,输出电压为1.3 V;在0~145℃温度变化范围内,温度系数为4.46×10-6/℃。采用二级运放结构,在低频时电源电压抑制比(PSRR)为-73.66 dB;完成了版图设计,版图尺寸为81.44?滋m×129.47?滋m。 展开更多
关键词 带隙基准 温度系数 电源抑制比 温度补偿
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一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现 预览 被引量:1
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作者 刘晓轩 张玉明 +1 位作者 季轻舟 曹天骄 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期41-46,共6页
针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片... 针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片结果表明:在典型工艺角下,基准在-55℃~125℃内,温度系数为1,7×10^-6~6,0×10^-6/℃;在2.2V的电源幅度范围下,具有0.03mV/V的电源抑制特性。该电路已成功应用于一款线性稳压电源中。 展开更多
关键词 带隙基准 分段温度补偿 高阶温度特性
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一种二次补偿的带隙电压基准 预览
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作者 陈光华 陈俊飞 高博 《电子与封装》 2019年第6期29-31,40共4页
为了降低带隙基准电压源的温漂系数,设计了一种采用β倍增器电流源和IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC0.18μm工艺,仿真结果表明,在-40~85℃,该基准电压源的温漂系数为0.336×10^-6/℃,大大降低了... 为了降低带隙基准电压源的温漂系数,设计了一种采用β倍增器电流源和IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC0.18μm工艺,仿真结果表明,在-40~85℃,该基准电压源的温漂系数为0.336×10^-6/℃,大大降低了温度对电压源的影响。 展开更多
关键词 带隙基准 温度系数 β倍增器电流源 IPTAT2电流源
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一种自偏置全集成的低功耗带隙基准电路设计
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作者 黄静 杨羽佳 +2 位作者 王玉娇 孙玲 赵继聪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期494-499,共6页
为满足可穿戴集成电路的低功耗应用需求,设计了一种自偏置全集成的带隙基准电压电路。该电路采用纯CMOS结构,利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压与温度呈反比、热电压与温度呈正比的关系,通过电路结构设计与晶体管尺... 为满足可穿戴集成电路的低功耗应用需求,设计了一种自偏置全集成的带隙基准电压电路。该电路采用纯CMOS结构,利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压与温度呈反比、热电压与温度呈正比的关系,通过电路结构设计与晶体管尺寸优化,获得一个与温度无关的基准电压。电路中的MOSFET偏置于工作电流极低的亚阈值区,从而有效降低了整个带隙基准电路的功耗。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺,在Aether软件环境下完成了电路的仿真和版图设计。后仿真结果表明,室温下,电源电压为3.3 V时,电路总电流为81.2 nA,输出基准电压为1.03 V,启动时间约为0.48μs,功耗约为268 nW,在-40~125℃的范围内温度漂移系数为3.2×10-5/℃。流片后在片测试结果表明,当电源电压在1.6~3.3 V之间变化时,电路输出电压稳定。 展开更多
关键词 带隙基准 低功耗 自偏置 全集成 在片测试
基于Cadence的基准电压源设计与仿真 预览
13
作者 钱香 《电子测试》 2018年第11期63-64,46共3页
基准电压源是模拟电路中的重要组成部分,它要求与电源和温度的关系尽量小,其性能好坏直接影响到整个电路的稳定性。本文对常用的带隙基准电压进行了简单的原理阐述,核心是用一个PTAT(与绝对温度成比例)电路的正温度相关性抵消一个pn... 基准电压源是模拟电路中的重要组成部分,它要求与电源和温度的关系尽量小,其性能好坏直接影响到整个电路的稳定性。本文对常用的带隙基准电压进行了简单的原理阐述,核心是用一个PTAT(与绝对温度成比例)电路的正温度相关性抵消一个pn结的负温度相关性。采用CSMC0.5um工艺对电路进行设计,并通过Cadence仿真对参数进行调整。最后得到电源电压变化范围为2.7V~5.5V,温度变化范围为-20oC~100oC时,带隙基准电压源正符合它的特性,输出几乎与温度无关,与电源电压无关。 展开更多
关键词 基准电压 PTAT 带隙基准
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用于流水线ADC的全差分参考电压电路 被引量:1
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作者 任大为 贾华宇 +2 位作者 杜知微 李灯熬 李雪 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第4期480-484,共5页
为了实现流水线ADC的带隙基准电压低于1V和降低参考电压电路的功耗,提出了一种新的全差分参考电压电路。在传统带隙基准的基础上,该参考电压电路增加了MOS管基-射极电阻,可根据电阻的比例系数来调节输出带隙基准电压。采用电流模电路,... 为了实现流水线ADC的带隙基准电压低于1V和降低参考电压电路的功耗,提出了一种新的全差分参考电压电路。在传统带隙基准的基础上,该参考电压电路增加了MOS管基-射极电阻,可根据电阻的比例系数来调节输出带隙基准电压。采用电流模电路,实现了单端信号转差分信号,结构简单。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计与仿真,结果表明,温度为25℃时,该电路的参考电压VREFP和VREFN分别为1.156V和0.656V。在-40℃-125℃范围内变化时,参考电压的波动小于6mV,温度系数小于4.6×10-5/℃。低频时,电源抑制比为115dB。该参考电压电路应用于高清视频信号处理的流水线ADC中,能实现170MS/s、10位精度的数模转换。 展开更多
关键词 带隙基准 流水线ADC 差分参考电压 温度系数
低温漂高PSRR的二阶补偿带隙基准源设计 预览
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作者 崔晶晶 曾以成 夏俊雅 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2018年第3期565-569,共5页
设计了一种线性补偿低温漂高电源抑制比带隙基准电压源电路。带隙基准核心电路采用三支路共源共栅电流镜结构,提高电路电源抑制比。补偿电路采用分段补偿原理,在低温阶段,加入一段负温度系数电流,在高温阶段,加入一段正温度系数电流,通... 设计了一种线性补偿低温漂高电源抑制比带隙基准电压源电路。带隙基准核心电路采用三支路共源共栅电流镜结构,提高电路电源抑制比。补偿电路采用分段补偿原理,在低温阶段,加入一段负温度系数电流,在高温阶段,加入一段正温度系数电流,通过补偿,使带隙基准输出电压的精确度大大提高,达到降低温度系数的目的;同时电流镜采用共源共栅结构,不仅提高电路的电源抑制比,而且可以抑制负载对镜像晶体管电压的影响。基于0.5μm CMOS工艺,使用Cadence Spectre对电路仿真,结果表明,在-50+125℃温度范围内,基准输出电压的温度系数为2.62×10(-6)/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)高达88 d B。 展开更多
关键词 带隙基准 分段线性补偿 温度系数 电源抑制比(PSRR) 共源共栅
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一种低温度灵敏度片上张弛振荡器
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作者 曹谊 严睿捷 洪志良 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第3期28-32,共5页
本文介绍了一种用CMOS工艺实现的对温度和电源电压变化不敏感的片上张弛振荡器.文中提出了一种降低张弛振荡器频率波动的补偿技术,该技术克服了传统补偿方法受到片上电阻温度特性制约的缺点,极大地提高了振荡器输出频率的稳定性.测试结... 本文介绍了一种用CMOS工艺实现的对温度和电源电压变化不敏感的片上张弛振荡器.文中提出了一种降低张弛振荡器频率波动的补偿技术,该技术克服了传统补偿方法受到片上电阻温度特性制约的缺点,极大地提高了振荡器输出频率的稳定性.测试结果表明,当电源电压从1.62 V变化到1.98 V时,振荡器输出频率变化±0.11%;当温度从40℃变化到125℃时,输出频率变化±0.24%.相比于传统方法,频率波动降低了大约2/3.该振荡器采用TSMC 180nm 1P5M工艺实现,电源电压为1.8V.当工作在25 MHz时,功耗为50μW. 展开更多
关键词 片上张弛振荡器 带隙基准 电压、工艺以及温度变化 物联网
一种带分段曲率补偿的高电源抑制比的带隙基准电压源 预览
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作者 胡伟 方玉明 吉新村 《湖北大学学报:自然科学版》 CAS 2018年第5期501-506,共6页
围绕降低温漂、提高电源抑制比的目标,设计一种带有分段曲率补偿并且具有较好的电源抑制比性能的带隙基准电路.设计带隙基准电路,优化传统的电流求和结构,采用共源共栅结构作为电流源以提高电源抑制比.设计温度补偿电路,改善带隙基准的... 围绕降低温漂、提高电源抑制比的目标,设计一种带有分段曲率补偿并且具有较好的电源抑制比性能的带隙基准电路.设计带隙基准电路,优化传统的电流求和结构,采用共源共栅结构作为电流源以提高电源抑制比.设计温度补偿电路,改善带隙基准的温度系数.设计采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,1.8 V电压供电,输出的基准电压为900 mV,在温度为-45 125℃范围内,仿真显示,温度系数为2.3×10~(-6)/℃,在低频时电源抑制比可以达到-86 dB,电路性能参数满足预期要求. 展开更多
关键词 带隙基准 曲率补偿 电源抑制比
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一种高精度低输出电压的带隙基准
18
作者 居水荣 朱晓宇 +1 位作者 刘锡锋 石径 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第2期167-172,共6页
分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准。在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构。分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果。针对电流模... 分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准。在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构。分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果。针对电流模式带隙基准中的线性补偿电阻,设计了熔丝调节结构。将该带隙基准应用在基于CSMC 0.18μm CMOS工艺的16位高精度数模转换器中。测试结果表明,该带隙基准的输出电压为900mV。在-40℃125℃温度范围内,温度系数低至3×10-6/℃。低频时,电源抑制比达-109dB。 展开更多
关键词 带隙基准源 高阶温度补偿 分段二次补偿 电源抑制比 熔丝调节
高精度、快速瞬态响应LDO电路设计 预览
19
作者 刘智 姜洪雨 +1 位作者 梁希 葛梅 《空间电子技术》 2018年第5期42-45,共4页
文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路。该设计采用高阶曲率补偿技术,以提高带隙基准电压的温度特性;采用多级熔丝修调技术,以提高基准电压和基准电流精度;采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术,以优化LDO快速... 文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路。该设计采用高阶曲率补偿技术,以提高带隙基准电压的温度特性;采用多级熔丝修调技术,以提高基准电压和基准电流精度;采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术,以优化LDO快速瞬态响应特性。这里采用0.6μm Trench SOI CMOS工艺设计、制造。测试结果表明,输出误差小于1%,瞬态响应特性与国外产品相当。 展开更多
关键词 LDO 带隙基准 高阶曲率补偿 快速瞬态响应
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一种温度系数低于1×10^-6/℃的带隙基准电压源
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作者 张寅 李倩茹 +3 位作者 章明 张志文 卢仕 万美琳 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第5期590-595,600共7页
提出了一种温度系数低于1×10-6/℃的曲率补偿带隙基准电压源。采用正温度系数电压对具有互补温度系数的BJT射-基极电压进行1阶补偿,向BJT射极注入互补温度系数电流,在输出电流中引入曲率正补偿项Tln T,以实现高阶温度补偿。同时,... 提出了一种温度系数低于1×10-6/℃的曲率补偿带隙基准电压源。采用正温度系数电压对具有互补温度系数的BJT射-基极电压进行1阶补偿,向BJT射极注入互补温度系数电流,在输出电流中引入曲率正补偿项Tln T,以实现高阶温度补偿。同时,提出了一种新型曲率补偿的低压实现电路。基于标准0.18μm CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在-40℃~125℃范围内,常压、低压带隙基准电压源的温度系数分别为3.48×10-7/℃和4.73×10-7/℃,电源抑制比分别为-73dB和-60dB,最大消耗电流分别为22μA和19μA。该新型低压曲率补偿带隙基准电压源的工作电压为0.9V,面积为0.019 8mm2。 展开更多
关键词 带隙基准 互补温度系数 线性正温度系数 曲率补偿
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