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Ka波段BiCMOS低功耗驱动放大器设计 认领
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作者 王绍权 廖余立 王鑫 《现代信息科技》 2020年第12期47-50,共4页
该文介绍了一款Ka波段(33.0 GHz~37.0 GHz)低功耗驱动放大器。此放大器使用SiGe BiCMOS工艺设计,其采用了Cascade级联结构,提高了放大器的电源电压和工作频率带宽,通过实现共射极与共基极的级间匹配,可以有效地提高放大器的增益。测试... 该文介绍了一款Ka波段(33.0 GHz~37.0 GHz)低功耗驱动放大器。此放大器使用SiGe BiCMOS工艺设计,其采用了Cascade级联结构,提高了放大器的电源电压和工作频率带宽,通过实现共射极与共基极的级间匹配,可以有效地提高放大器的增益。测试结果表明:在33.0 GHz~37.0 GHz频率范围内,放大器增益大于15.0 dB,OP-1dB为-6.0 dBm。此放大器采用5.0 V供电,工作电流为8 mA,面积为0.7 mm^2。 展开更多
关键词 KA波段 放大器 SiGe BiCMOS 有源相控阵雷达
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1837例血清过敏原sIgE检测结果分析 认领
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作者 魏伟华 《广东医科大学学报》 2020年第1期73-76,共4页
目的对血清特异性IgE(sIgE)检测结果进行分析,了解过敏性疾病或疑似过敏性疾病的就诊者过敏原sIgE检测结果特点。方法回顾性分析2017年12月-2018年11月在深圳市龙岗区第三人民医院就诊的1837例过敏性疾病或疑似过敏性疾病患者的血清过敏... 目的对血清特异性IgE(sIgE)检测结果进行分析,了解过敏性疾病或疑似过敏性疾病的就诊者过敏原sIgE检测结果特点。方法回顾性分析2017年12月-2018年11月在深圳市龙岗区第三人民医院就诊的1837例过敏性疾病或疑似过敏性疾病患者的血清过敏原sIgE检测结果。结果该院送检过敏原检测的科室主要为皮肤科、五官科和儿科,占送检例数前3位,构成比分别为68.2%(1253/1837)、22.1%(406/1837)、7.9%(145/1837);全院科室阳性检出率占据前3位的过敏原是户尘螨、树花粉和牛奶,检出率为39.0%(718/1837)、14.5%(268/1837)和13.2%(244/1837);不同性别间过敏原检出构成比比较:男性户尘螨、猫毛皮屑、牛奶(混合)sIgE检测结果阳性率均高于女性,差异有统计学意义(P<0.01);不同年龄组间具体过敏原sIgE检测结果阳性构成比有差别(P<0.01);不同季节检出构成比有差异的过敏原为鸡蛋白、牛奶(混合)、腰果、混合霉菌、树花粉(P<0.01)。结论不同性别、年龄及季节,具体过敏原sIgE阳性检出率存在差异。 展开更多
关键词 血清过敏原 SIGE 过敏性疾病
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一款2G/s采样率20 GHz带宽主从式跟踪保持电路设计研究 认领
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作者 张贵福 周劼 刘友江 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期73-80,共8页
设计了一款全差分、20 GHz带宽主从式跟踪保持芯片(MS-THA)。该芯片采样率为2 G/s,工作带宽大于20 GHz,采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺实现。该芯片采用传统的开关发射极跟随器(SEF)作为跟踪保持核心电路,Cherryhooper电路作为输入缓冲和... 设计了一款全差分、20 GHz带宽主从式跟踪保持芯片(MS-THA)。该芯片采样率为2 G/s,工作带宽大于20 GHz,采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺实现。该芯片采用传统的开关发射极跟随器(SEF)作为跟踪保持核心电路,Cherryhooper电路作为输入缓冲和输出缓冲的带宽增强核心电路,并利用交叉反馈电容抑制馈通。为了验证上述电路的有效性,设计了一个单级THA电路,测试结果为MS-THA电路提供了足够的支持。在单电源+3.3 V供电、输入直流电平为0 V,2 G/s采样率以及-3 dBm输入信号功率条件下,获得的单端输出无杂散动态范围小于-23.5 dB,总功耗约为300 mW。 展开更多
关键词 主从式 跟踪保持放大器 SiGe BiCMOS工艺 无杂散动态范围
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一种SiGe D波段高增益低噪声放大器 认领
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作者 赵君鹏 吴凯翔 +2 位作者 曹军 蔡运城 高海军 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第1期36-40,共5页
基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益... 基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益提升技术来提高前两级Cascode结构的增益。仿真结果表明,该放大器在中心频率140 GHz处实现了32 dB的增益,在125~148 GHz范围内均达到30 dB以上的增益,在相同频率范围内实现了小于6 dB的噪声系数,直流功耗仅为26 mW,芯片尺寸为610μm×340μm。该放大器具有低噪声和高增益的特点。 展开更多
关键词 SIGE 低噪声放大器 毫米波 增益提升
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 认领
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作者 王利斌 王信 +3 位作者 吴雪 李小龙 刘默寒 陆妩 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2020年第5期60-66,共7页
本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数... 本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。 展开更多
关键词 SIGE BICMOS 偏置条件 电离总剂量 氧化物陷阱电荷 界面态
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一种2.4GHz SiGe全集成射频前端电路 认领
6
作者 刘启 甘业兵 黄武康 《微电子学与计算机》 北大核心 2020年第10期7-12,共6页
基于0.18μm SiGe工艺设计了一款2.4 GHz全集成射频前端电路.该射频前端包含了四个单刀开关、一个功率放大器(PA)和一个低噪声放大器(LNA).基于联合设计的思路,该电路只有一个输入管脚和一个输出管脚,低噪声放大器的阻抗匹配网络与功率... 基于0.18μm SiGe工艺设计了一款2.4 GHz全集成射频前端电路.该射频前端包含了四个单刀开关、一个功率放大器(PA)和一个低噪声放大器(LNA).基于联合设计的思路,该电路只有一个输入管脚和一个输出管脚,低噪声放大器的阻抗匹配网络与功率放大器阻抗匹配网络一同在片上完成.该芯片工作电压为3.3 V,在接收模式时,该射频前端的增益为13.5 dB,噪声系数为2.8 dB,静态工作电流为5.1 mA;在发射模式时,该射频前端的功率增益为25.4 dB,饱和功率为24.3 dBm,最大PAE为30.8%,输出20 dBm功率时频谱满足802.15.4协议要求.该射频前端无需片外元器件即可实现50Ω的输入输出匹配. 展开更多
关键词 射频前端 低噪声放大器 功率放大器 低噪声 SIGE 联合设计
Design and Simulation of Improved SOI SiGe Hetero-Junction Bipolar Transistor Architecture with Strain Engineering 认领
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作者 Naidan Miao Peipei Liu +6 位作者 Jianhao Wen Jinxi Wei Baichuan Zhang Shiqi Wang Ruwen Zeng Guanyu Wang Chunyu Zhou 《应用数学与应用物理(英文)》 2020年第2期218-228,共11页
In order to improve the electrical and frequency characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs), a novel structure of SOI SiGe heterojunction bipolar transistor is designed in this work. Compared wi... In order to improve the electrical and frequency characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs), a novel structure of SOI SiGe heterojunction bipolar transistor is designed in this work. Compared with traditional SOI SiGe HBT, the proposed device structure has smaller window widths of emitter and collector areas. Under the act of additional uniaxial stress induced by Si0.85Ge0.15, all the collector region, base region and emitter region are strained, which is beneficial to improve the performance of SiGe HBTs. Employing the SILVACO&#9415;TCAD tools, the numerical simulation results show that the maximum current gain βmax, the Earley voltage VA are achieved for 1062 and 186 V, respectively, the product of β and VA, i.e., β ×VA, is 1.975 × 105 V and, the peak cutoff frequency fT is 419 GHz when the Ge component in the base has configured to be a trapezoidal distribution. The proposed SOI SiGe HBT architecture has a 52.9% improvement in cutoff frequency fT compared to the conventional SOI SiGe HBTs. 展开更多
关键词 UNIAXIAL STRAIN SOI SIGE HBT Electrical PERFORMANCE Frequency PERFORMANCE
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呼出气FeNO测定在不同病原体婴幼儿反复喘息疾病中的临床意义 认领
8
作者 及立立 黄坤玲 +5 位作者 路素坤 曹丽洁 杨会荣 牛波 帅金凤 刘建华 《西南国防医药》 CAS 2020年第6期571-573,共3页
目的探讨呼出气一氧化氮(FeNO)测定在不同病原体婴幼儿反复喘息疾病中的临床意义.方法选择2016年1月~2018年12月480例石家庄地区反复喘息(既往1年内喘息≥3次)婴幼儿,于喘息急性期、缓解24 h后、出院1月测定FeNO,对不同时期FeNO水平进... 目的探讨呼出气一氧化氮(FeNO)测定在不同病原体婴幼儿反复喘息疾病中的临床意义.方法选择2016年1月~2018年12月480例石家庄地区反复喘息(既往1年内喘息≥3次)婴幼儿,于喘息急性期、缓解24 h后、出院1月测定FeNO,对不同时期FeNO水平进行横向研究比较,结合呼吸道病原检测,了解呼吸道病原体感染的流行情况,对血清过敏原特异性IgE(sIgE)水平进行相关性分析.结果急性期FeNO水平最高,其次为缓解期,出院后1月最低(P<0.05).同时检测出病毒与细菌者124例(25.83%),只检测出病毒、细菌者分别有152例(31.67%)、144例(30.00%),病毒与细菌均未检出者60例(12.50%).(3)同时检测出病毒与细菌患儿急性期、缓解期、出院后1月FeNO水平最高,其次为只检出病毒或细菌的患儿,病毒与细菌均未检出的患儿最低(P<0.05);而只检出病毒与只检出细菌患儿无显著差异(P>0.05).Pearson相关分析发现,FeNO水平与sIgE水平呈正相关.结论FeNO水平可反映出气道炎症反应及程度,同时合并病毒与细菌感染的气道炎症反应更严重,且FeNO与sIgE有很好的相关性,有利于指导临床治疗. 展开更多
关键词 呼出气一氧化氮 病原体 婴幼儿 喘息 SIGE
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豚草花粉在夏秋季花粉症中的致敏特点分析 认领
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作者 王晓艳 丁佳琪 +3 位作者 陈艳蕾 郭淼颖 王洪田 王学艳 《中国耳鼻咽喉头颈外科》 CSCD 2020年第4期180-183,共4页
目的通过对夏秋季节花粉症的研究了解豚草花粉的致敏特点.方法对2017年8~9月夏秋季节就诊的典型花粉症患者纳入研究,均进行艾蒿、豚草、藜草sIgE水平检测.同时,采用蛋白芯片法进行蒿属及豚草部分组分蛋白检测.结果126例花粉症患者被纳... 目的通过对夏秋季节花粉症的研究了解豚草花粉的致敏特点.方法对2017年8~9月夏秋季节就诊的典型花粉症患者纳入研究,均进行艾蒿、豚草、藜草sIgE水平检测.同时,采用蛋白芯片法进行蒿属及豚草部分组分蛋白检测.结果126例花粉症患者被纳入本研究.艾蒿sIgE浓度显著高于豚草和藜科(P<0.01).仅有1.6%患者为豚草花粉单一过敏,豚草花粉与艾蒿花粉共同致敏率为65.8%,与藜科花粉的共同致敏率为45.2%,44.4%的患者对3种花粉同时过敏.在豚草和艾蒿sIgE同时阳性的8例患者中,组分检测显示Amb a 1均为阴性,其他组分的阳性率依次为Art an 2(87.5%),Art an 1(75%),Art an 3(62.5%).结论组分蛋白检测结果初步证实,豚草花粉致敏实际上可能为蒿属花粉引起的交叉过敏反应. 展开更多
关键词 花粉 鼻炎 变应性 季节性 变应原 豚草 杂草花粉 特异性免疫球蛋白E 过敏原组分蛋白 交叉过敏反应
High crystalline quality of SiGe fin fabrication with Si-rich composition area using replacement fin processing 认领
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作者 昝颖 李永亮 +5 位作者 程晓红 赵治乾 刘昊炎 吴振华 都安彦 王文武 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期441-444,共4页
A high crystalline quality of SiGe fin with an Si-rich composition area using the replacement fin processing is systematically demonstrated in this paper.The fin replacement process based on a standard FinFET process ... A high crystalline quality of SiGe fin with an Si-rich composition area using the replacement fin processing is systematically demonstrated in this paper.The fin replacement process based on a standard FinFET process is developed.A width of less than 20-nm SiGe fin without obvious defect impact both in the direction across the fin and in the direction along the fin is verified by using the high angle annular dark field scanning transmission electron microscopy and the scanning moiréfringe imaging technique.Moreover,the SiGe composition is inhomogenous in the width of the fin.This is induced by the formation of 111 facets.Due to the atomic density of the 111 facets being higher,the epitaxial growth in the direction perpendicular to these facets is slower than in the direction perpendicular to 001.The Ge incorporation is then higher on the 111 facets than on the 001 facets.So,an Si-rich area is observed in the central area and on the bottom of SiGe fin. 展开更多
关键词 SIGE selective epitaxial growth FINFET replacement fin processing
Effects of buried oxide layer on working speed of SiGe heterojunction photo-transistor 认领
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作者 刘先程 马佳俊 +4 位作者 谢红云 马佩 陈亮 郭敏 张万荣 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第2期458-462,共5页
The effects of buried oxide(BOX)layer on the capacitance of SiGe heterojunction photo-transistor(HPT),including the collector-substrate capacitance,the base-collector capacitance,and the base-emitter capacitance,are s... The effects of buried oxide(BOX)layer on the capacitance of SiGe heterojunction photo-transistor(HPT),including the collector-substrate capacitance,the base-collector capacitance,and the base-emitter capacitance,are studied by using a silicon-on-insulator(SOI)substrate as compared with the devices on native Si substrates.By introducing the BOX layer into Si-based SiGe HPT,the maximum photo-characteristic frequency ft,opt of SOI-based SiGe HPT reaches up to 24.51 GHz,which is 1.5 times higher than the value obtained from Si-based SiGe HPT.In addition,the maximum optical cut-off frequency fβ,opt,namely its 3-dB bandwidth,reaches up to 1.13 GHz,improved by 1.18 times.However,with the increase of optical power or collector current,this improvement on the frequency characteristic from BOX layer becomes less dominant as confirmed by reducing the 3-dB bandwidth of SOI-based SiGe HPT which approaches to the 3-dB bandwidth of Si-based SiGe HPT at higher injection conditions. 展开更多
关键词 silicon-on-insulator(SOI) SIGE HETEROJUNCTION photo-transistor(HPT) characteristic frequency 3-dB BANDWIDTH
Microstructure and ferromagnetism of heavily Mn doped SiGe thin flims 认领
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作者 王焕明 孙森 +5 位作者 徐家胤 吕晓伟 汪渊 彭勇 张析 向钢 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期484-488,共5页
Heavily Mn-doped SiGe thin films were grown by radio frequency magnetron sputtering and then treated by postgrowth thermal annealing.Structural characterizations reveal the coexistence of Mn-diluted SiGe crystals and ... Heavily Mn-doped SiGe thin films were grown by radio frequency magnetron sputtering and then treated by postgrowth thermal annealing.Structural characterizations reveal the coexistence of Mn-diluted SiGe crystals and Mn-rich nanoclusters in the annealed films.Magnetic measurements indicate the ferromagnetic ordering of the annealed samples above room temperature.The data suggest that the ferromagnetism is probably mainly contributed by the Ge-rich nanoclusters and partially contributed by the tensile-strained Mn-diluted SiGe crystals.The results may be useful for room temperature spintronic applications based on group IV semiconductors. 展开更多
关键词 Mn-doped SiGe diluted magnetic semiconductor NANOCLUSTERS FERROMAGNETISM
NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe界面的影响 认领
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作者 朱轩民 张静 +4 位作者 马雪丽 李晓婷 闫江 李永亮 王文武 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期444-448,463共6页
研究了不同条件的非原位NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si0.7Ge0.3,采用双层Al2O3结构,第一层1 nm厚的Al2O3薄膜为保护层,之后使用非原位NH3等离子体分别在300和400℃下对... 研究了不同条件的非原位NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si0.7Ge0.3,采用双层Al2O3结构,第一层1 nm厚的Al2O3薄膜为保护层,之后使用非原位NH3等离子体分别在300和400℃下对Al2O3/SiGe界面进行不同时间和功率的钝化处理,形成硅氮化物(SiNxOy)和锗氮化物(GeNxOy)的界面层。通过X射线光电子能谱(XPS)分析表面的物质成分,结果表明NH3等离子体钝化在界面处存在选择性氮化,更倾向于与Si结合从而抑制Ge形成高价态,这种选择性会随着时间的增加、功率的增高和温度的升高变得更加明显。 展开更多
关键词 SIGE 界面钝化 NH3等离子体 Al2O3/SiGe/Si 选择性
锁相环单片多带VCO设计 认领
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作者 孟志朋 《电子质量》 2019年第8期86-89,共4页
该文基于0.35μm SiGe工艺设计了一款集成压控振荡器(VCO)的小数频率合成器单片。通过使用电容谐振腔技术实现多带VCO,芯片基波频率覆盖范围为2.2~4.4GHz一个倍频程,总覆盖范围为0.1375~4.4GHz。该设计采用二分法自校准选带技术实现锁... 该文基于0.35μm SiGe工艺设计了一款集成压控振荡器(VCO)的小数频率合成器单片。通过使用电容谐振腔技术实现多带VCO,芯片基波频率覆盖范围为2.2~4.4GHz一个倍频程,总覆盖范围为0.1375~4.4GHz。该设计采用二分法自校准选带技术实现锁相环的自动选带,实现芯片低相噪,带内归一化噪声本底可达-219dBc/Hz。频率合成器芯片面积为2.5*2.6mm^2。 展开更多
关键词 锁相环 多带VCO 自校准 频率合成器 SIGE
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再发性腹痛患儿血清25-(OH)D3、总IgE和特异性IgE的变化 认领
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作者 侯博 王瑞平 董欢 《河北医药》 CAS 2019年第13期2029-2032,共4页
目的分析再发性腹痛患儿血清25-羟维生素D3[25-(OH)D3]、总IgE、特异性IgE的变化,并探讨其与再发性腹痛的关系。方法选取2016年7月至2018年5月进行诊疗的再发性腹痛患儿90例为研究组,同期健康体检儿童90例为对照组。采集2组研究对象的... 目的分析再发性腹痛患儿血清25-羟维生素D3[25-(OH)D3]、总IgE、特异性IgE的变化,并探讨其与再发性腹痛的关系。方法选取2016年7月至2018年5月进行诊疗的再发性腹痛患儿90例为研究组,同期健康体检儿童90例为对照组。采集2组研究对象的清晨空腹静脉血,采用酶联免疫吸附法(ELISA)检测25-(OH)D3、总免疫球蛋白E(TIgE),运用免疫印迹法检测血清中特异性IgE(sIgE),比较25-(OH)D3与TIgE的水平关系及与患儿血清sIgE及临床指标的关系,受试者工作特征曲线(ROC)分析25-(OH)D3与TIgE对再发性腹痛患儿的临床诊断意义。结果2组研究对象年龄、性别比、体重指数(BMI)比较均无统计学意义(P>0.05),研究组嗜酸性粒细胞、白细胞增多比例显著高于对照组(P<0.05)。研究组患儿血清25-(OH)D3水平显著低于对照组(P<0.05),研究组血清TIgE显著高于对照组,sIgE阳性比例显著高于对照组(P<0.05)。相关性分析显示,25-(OH)D3与TIgE、sIg、白细胞、嗜酸性粒细胞均呈负相关(P<0.05),TIgE、sIgE与白细胞、嗜酸性粒细胞均呈正相关(P<0.05)。ROC分析结果显示25-(OH)D3与TIgE的AUC面积分别为0.798、0.748,敏感度分别为72.1%、77.0%,特异度分别为91.8%、45.9%。结论血清25-(OH)D3的表达降低,TIgE、sIgE表达的异常升高可能与再发性腹痛患儿的发病因素密切相关,检测25-(OH)D3,TIgE、sIgE在血清的变化可以有效评估再发性腹痛患儿的病情发展程度,为及时有效的治疗提供理论参考。 展开更多
关键词 再发性腹痛 25-(OH)D3 TIGE SIGE
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一款低相位噪声的可编程分频器 认领
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作者 王增双 高晓强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期916-920,共5页
设计了一款低相位噪声的可编程分频器,主要用于高鉴相频率的锁相环频率源中。电路设计采用2/3分频器级联结构,通过数选电路实现连续可变分频。从相位噪声产生机理、噪声来源及相位噪声与抖动的关系等方面分析影响分频器相位噪声的关键因... 设计了一款低相位噪声的可编程分频器,主要用于高鉴相频率的锁相环频率源中。电路设计采用2/3分频器级联结构,通过数选电路实现连续可变分频。从相位噪声产生机理、噪声来源及相位噪声与抖动的关系等方面分析影响分频器相位噪声的关键因素,通过工艺选择、电路设计和仿真分析来优化分频器的相位噪声。采用0.13μm SiGe BiCOMS工艺进行了设计仿真和流片,芯片面积为1.3 mm^2。测试结果表明:该分频器最高工作频率为20 GHz,电源电压为+3.3 V,最大电流为80 mA,可实现1~31连续分频,在输入6 GHz正弦波信号下20分频时的相位噪声为-145 dBc/Hz@1 kHz。 展开更多
关键词 低相位噪声 分频器 锁相环(PLL) SIGE BiCOMS工艺
基于SiGe工艺的Ka波段瓦特级功率放大器芯片设计 认领
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作者 郭思成 安文星 黄翔东 《南开大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期45-49,共5页
提出了一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段功率放大器(PA),在25-30 GHz的频段内输出功率均达到瓦特级(30 d Bm以上).该PA由驱动级与功率级放大器级联组成,两级均使用堆叠结构.其中,最后一级功率级电路采用两路功率合成的方法,所... 提出了一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段功率放大器(PA),在25-30 GHz的频段内输出功率均达到瓦特级(30 d Bm以上).该PA由驱动级与功率级放大器级联组成,两级均使用堆叠结构.其中,最后一级功率级电路采用两路功率合成的方法,所使用的功率合成网络为匹配网络的一部分.每级堆叠结构均采用最优级间匹配技术(相邻堆叠晶体管间匹配),使堆叠结构中每层晶体管达到最优负载阻抗,进而使堆叠结构达到最大输出功率.使用Agilent ADS软件进行PA性能仿真,版图仿真结果显示:工作在25-30 GHz的功率放大器最大输出功率为30.9 dBm,功率附加效率为22.9%,大信号功率-1 dB带宽为5 GHz(25-30 GHz),1 dB压缩点输出功率为28.5 d Bm,大信号增益为22.7 dB. 展开更多
关键词 堆叠结构功率放大器 功率合成 射频 SIGE BICMOS
SiGe BiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究 认领
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作者 安恒 张晨光 +3 位作者 杨生胜 薛玉雄 王光毅 王俊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第3期149-155,共7页
验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描... 验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。 展开更多
关键词 SIGE BICMOS 线性器件 单粒子效应 单粒子瞬态 脉冲激光
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器 认领
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作者 张翼 沈宇 +3 位作者 李晓鹏 杨磊 刘中华 郭宇锋 《南京邮电大学学报:自然科学版》 北大核心 2019年第5期26-33,共8页
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码... 基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码率,提高工作速度。电路仿真结果表明,当时钟采样率为10 GS/s时,ADC电路的微分非线性和积分非线性均小于0.2 LSB。该ADC电路在输入信号频率低于10 MHz时的有效位数大于2.8位,在输入信号频率为1 GHz时的有效位数大于2.5位。在-5 V和-3.3 V供电电压下,电路的总功耗为1.6 W,芯片面积为1.0 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 全并行模数转换器 SIGE BICMOS工艺 差分编码电路 超高速
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一种W波段SiGe BiCMOS平衡式功率放大器 认领 被引量:2
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作者 徐余龙 施雨 +3 位作者 李庄 陶小辉 曹锐 桑磊 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第1期63-67,共5页
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入与输出匹配性能。利用三维电磁场仿真软件进行了电磁仿真。仿... 基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入与输出匹配性能。利用三维电磁场仿真软件进行了电磁仿真。仿真结果表明,在90~100GHz频段内,输入与输出的匹配良好,输入反射系数S11小于-17dB,输出反射系数S22小于-14dB。在94GHz频率处,小信号增益为6.1dB,输出1dB压缩点功率为10.2dBm。芯片尺寸为1.22mm×1.42mm。该功率放大器适用于通信、雷达、成像等领域。 展开更多
关键词 平衡式功率放大器 变压器匹配网络 W波段 SiGe BICMOS 耦合器
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