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微光显微镜(EMMI)在器件失效分析中的应用 预览
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作者 丁鸷敏 吴照玺 段超 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期156-158,共3页
本文对某款模拟开关开展失效分析,在芯片表面无异常的情况下采用微光显微镜(EMMI)对器件内部损伤点进行准确定位,并开展静电模拟试验对失效原因进行了验证。该案例展示了EMMI在半导体芯片内部缺陷无损定位和分析中的作用,为半导体芯片... 本文对某款模拟开关开展失效分析,在芯片表面无异常的情况下采用微光显微镜(EMMI)对器件内部损伤点进行准确定位,并开展静电模拟试验对失效原因进行了验证。该案例展示了EMMI在半导体芯片内部缺陷无损定位和分析中的作用,为半导体芯片失效分析提供技术手段。 展开更多
关键词 EMMI 元器件失效分析 缺陷定位
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一种纳米级存储器芯片的ESD的物理失效分析和研究 预览
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作者 张登军 逯钊琦 《电子科技》 2018年第12期81-85,共5页
目前国内存储器芯片快速发展,非挥发性存储器NOR发展到45 nm工艺节点,NAND Flash发展到24nm工艺节点。存储器被广泛应用到各种电子产品中,芯片的制造工艺不断提升,集成电路芯片的ESD失效占用很大比例,这个可靠性问题越来越被关注... 目前国内存储器芯片快速发展,非挥发性存储器NOR发展到45 nm工艺节点,NAND Flash发展到24nm工艺节点。存储器被广泛应用到各种电子产品中,芯片的制造工艺不断提升,集成电路芯片的ESD失效占用很大比例,这个可靠性问题越来越被关注。文中对发生问题的集成电路产品进行失效分析,找到失效原因与机理是一项重要的工作,为了有效解决纳米级存储器芯片的静电保护问题,文中提出了一种有效分析纳米级存储器芯片的静电保护电路失效分析方法,从而改进和加强芯片管脚的静电保护电路。 展开更多
关键词 静电保护 失效分析 ESD潜在损伤FIB EMMI
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基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法及案例 被引量:1
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作者 郭啸 王创国 +3 位作者 邹文静 张磊 林罡 贾东铭 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期424-428,共5页
介绍了基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法,并以一款24位串转并驱动器芯片输出端电平不能翻转的失效模式为案例,通过该方法找到了芯片互联层之间短路的故障。从该案例可以看出,基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法具有定位精确、高效... 介绍了基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法,并以一款24位串转并驱动器芯片输出端电平不能翻转的失效模式为案例,通过该方法找到了芯片互联层之间短路的故障。从该案例可以看出,基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法具有定位精确、高效快速的优点,可以为提升GaAs数字电路可靠性提供有力的技术支持,值得广泛应用。 展开更多
关键词 微光显微镜 数字电路 砷化镓 赝配型高电子迁移率场效应管
EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析 被引量:2
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作者 王创国 贾洁 +3 位作者 周舟 沈宏昌 贾东铭 林罡 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期333-338,共6页
首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最... 首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最大可能是由于控制端电阻过大引发RC延迟现象,进而导致关断或开启延迟故障。然后通过微光显微镜和激光感应阻抗变化率对故障件进行故障定位确定了故障点,为分析结果提供了依据。 展开更多
关键词 失效分析 故障树 微光显微镜 激光感应阻抗变化率
一款数字信号处理器的失效分析研究 预览 被引量:1
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作者 王月玲 黄旭东 《电子与封装》 2014年第5期42-44,48共4页
集成电路在实际应用中,经常会出现工作异常甚至失效的情况。当电路发生失效时,需要采用各种手段尽快定位问题所在,在本地复现相关现象,明确问题原因,进而提出针对性的解决方案。介绍一款数字信号处理器电路的失效分析过程。包括问... 集成电路在实际应用中,经常会出现工作异常甚至失效的情况。当电路发生失效时,需要采用各种手段尽快定位问题所在,在本地复现相关现象,明确问题原因,进而提出针对性的解决方案。介绍一款数字信号处理器电路的失效分析过程。包括问题的出现,现场确认,失效现象复现,借助Latch-up、EMMI设备分析问题,提出改版方案。 展开更多
关键词 数字信号处理器 失效分析 闩锁 EMMI
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电流拥挤效应与LED器件可靠性分析 预览 被引量:4
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作者 吴艳艳 冯士维 +2 位作者 乔彦斌 魏光华 张建伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1051-1056,共6页
对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V电压冲击后出现漏电失效现象。通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受了更大的电压和功率;对器件加-2 V偏压,利用光... 对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V电压冲击后出现漏电失效现象。通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受了更大的电压和功率;对器件加-2 V偏压,利用光发射(EMMI)显微镜对芯片表面不同量级漏电流进行定位分析比较,结果表明漏电流集中在p型扩展电极端点附近。分析认为,电压冲击的破坏路径穿过了LED的量子阱结构,而电流的不均匀分布造成了p型扩展电极附近的电流拥挤,加剧了pn结的损伤程度,提高电流扩展的均匀性可以有效提高LED的可靠性。最后还对在正向电流-电压区域出现微分负阻特性的器件进行了失效分析。 展开更多
关键词 光学器件 电流拥挤 发光二极管 EMMI 可靠性
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SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析 预览 被引量:6
7
作者 刘迪 陆坚 +1 位作者 梁海莲 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期97-101,共5页
静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微... 静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微镜和扫描电子显微镜等电学和物理失效分析手段,确定了栅氧化层中物理缺陷的存在、位置及类型;结合栅氧化层经时介质击穿原理分析,揭示了样品的主要失效机理,并分析了经时介质击穿失效的根源,为改进工艺、提高电路可靠性提供了依据。 展开更多
关键词 静态电流 绝缘体上硅 光发射显微镜 扫描电子显微镜 失效分析 经时介质击穿
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SOI电路可靠性筛选技术及失效机理研究 预览
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作者 黄龙 刘迪 +1 位作者 陆坚 顾晓峰 《电子与封装》 2013年第12期30-34,共5页
可靠性筛选是提高电子产品良率的重要技术手段。针对绝缘体上硅(SOI)技术日益广泛的应用,通过大量实验研究了SOI电路的常用筛选试验,并对失效样品进行了相应的失效机理研究。首先讨论了SOI电路失效模式和筛选方法之间的关系;其次,针... 可靠性筛选是提高电子产品良率的重要技术手段。针对绝缘体上硅(SOI)技术日益广泛的应用,通过大量实验研究了SOI电路的常用筛选试验,并对失效样品进行了相应的失效机理研究。首先讨论了SOI电路失效模式和筛选方法之间的关系;其次,针对三款SOI电路分别开展了老炼应力、高温贮存及恒定加速度试验来进行可靠性筛选;最后,利用光发射显微镜、扫描电子显微镜、聚焦离子束和激励源诱导故障测试等失效分析手段,对失效样品进行了失效模式及机理分析,揭示了失效根源,为改进工艺、提高SOI电路可靠性提供了依据。 展开更多
关键词 可靠性筛选 绝缘体上硅 失效分析 光发射显微镜 激励源诱导故障测试
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基于SIFT技术的集成电路失效缺陷分析 预览 被引量:2
9
作者 刘迪 顾晓峰 +1 位作者 陆坚 梁海莲 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期336-340,共5页
激励源诱导故障测试(SIFT)是一种新型的失效定位技术,可用于集成电路和分立器件中漏电、击穿、短路等失效点的定位及失效机理的分析。在介绍SIFT技术工作原理的基础上,利用该技术进行了六反相器电路的深埋层缺陷、收发器电路中电源与... 激励源诱导故障测试(SIFT)是一种新型的失效定位技术,可用于集成电路和分立器件中漏电、击穿、短路等失效点的定位及失效机理的分析。在介绍SIFT技术工作原理的基础上,利用该技术进行了六反相器电路的深埋层缺陷、收发器电路中电源与地之间漏电流失效和串行输出模数转换电路MOS器件欧姆短路的定位,并结合微结构观测分析了失效原因。研究结果表明,SIFT技术能有效分析光发射显微镜(EMMI)和激光光束诱导阻抗变化测试(OBIRCH)技术较难定位的缺陷,弥补了这些常规失效分析技术的不足。 展开更多
关键词 激励源诱导故障测试 失效分析 失效定位 光发射显微镜 激光光束诱导阻抗变化测试
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摩托罗拉EMMI BOX使用秘诀 预览
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作者 朱军 《家庭电子》 2004年第1期 53,共1页
<正> 4.软件问题,主要有两种表现。(l)屏幕显示“e1-0102”,功能失调,维修时,可拆下码片(码片位于CPU右下方,型号为24c04;上方为资料存储器,存电话簿,型号为24c64),然后用LT-48编程器读取码片原始资料,并记录好,再将备份好的码片... <正> 4.软件问题,主要有两种表现。(l)屏幕显示“e1-0102”,功能失调,维修时,可拆下码片(码片位于CPU右下方,型号为24c04;上方为资料存储器,存电话簿,型号为24c64),然后用LT-48编程器读取码片原始资料,并记录好,再将备份好的码片资料调出,并填好记录的原始资料,重新覆盖。 展开更多
关键词 摩托罗拉公司 EMMI BOX 手机 软件版本 使用方法
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电源管理IC失效模式验证及定位方法 被引量:1
11
作者 龚瑜 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第5期394-400,共7页
电源管理集成电路(IC)的自动测试机(ATE)测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效。ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直接应用于失效分析依然存在覆盖局限性问题... 电源管理集成电路(IC)的自动测试机(ATE)测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效。ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直接应用于失效分析依然存在覆盖局限性问题。针对不同功能测试结果,采用了不同的失效模式验证和分析方法。综合运用I-V曲线测试仪、示波器、函数发生器等仪器进行失效模式验证;使用微光显微镜、光诱导电阻变化仪器进行缺陷的失效定位;并借助电路原理图、版图进行故障假设;分析由过电应力、静电放电损伤、封装缺陷等导致的物理损伤;最终揭示了电源管理IC功能失效的主要原因。 展开更多
关键词 失效定位 功能测试失效 自动测试机(ATE) 微光显微镜(EMMI) 光束诱导电阻变化(OBIRCH)
联用动态EMMI与FIB的集成电路失效分析 被引量:4
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作者 陈选龙 刘丽媛 +1 位作者 黎恩良 王宏芹 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第2期285-288,292共5页
EMMI被广泛应用于集成电路的失效分析和机理判定。针对端口I-V特性曲线的异常现象,采用静态电流的发光效应对漏电点进行光发射定位。静态电流法无法全面测试集成电路内部逻辑单元,需要使用动态信号驱动集成电路,使内部失效部位能够产生... EMMI被广泛应用于集成电路的失效分析和机理判定。针对端口I-V特性曲线的异常现象,采用静态电流的发光效应对漏电点进行光发射定位。静态电流法无法全面测试集成电路内部逻辑单元,需要使用动态信号驱动集成电路,使内部失效部位能够产生光发射。对样品在动态失效工作状态进行光发射捕捉,再结合良品对比、电路原理图和版图分析等辅助手段进行故障假设,以定位失效点,最后利用FIB系统对电路进行剖面切割制样,找出物理损伤点。对砷化镓数字集成电路的不稳定软失效案例进行分析,动态EMMI法与FIB系统联用可成功应用于芯片内部金属化互连异常的失效分析,解决传统静态光发射法无法定位的技术难题。 展开更多
关键词 动态EMMI 集成电路 失效定位 失效分析 聚焦粒子束
由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析 被引量:1
13
作者 刘楠 刘大鹏 +1 位作者 张辉 祝伟明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期468-472,共5页
随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器... 随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。 展开更多
关键词 栅氧损伤 闩锁效应 可控硅(SCR) 微光显微镜(EMMI)技术 激光诱导阻值变化 ( OBIRCH) 技术
摩托罗拉EMMI系列手机——故障维修经典回顾 预览
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《家电科技:手机维修天地》 2005年第3期 12-14,共3页
EMMI是摩托罗拉GSM手机的一种开发平台,主要用于L2000系列、V8088、V998、P7X89系列的手机。在该系列手机中最经典的机型就是V998和V8088,而V998又有单加和双加多种版本,不同的版本之间及它们与V8088之间主板的区别:一是字库不同,V... EMMI是摩托罗拉GSM手机的一种开发平台,主要用于L2000系列、V8088、V998、P7X89系列的手机。在该系列手机中最经典的机型就是V998和V8088,而V998又有单加和双加多种版本,不同的版本之间及它们与V8088之间主板的区别:一是字库不同,V998、V998+的字库为28F16083B,V998++、V8088的字库为28F32083B;二是显示排线插座处前者是电阻,后者是电容。 展开更多
关键词 EMMI系列手机 故障 维修 负载电路 电源模块 摩托罗拉公司
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