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具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强 预览
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作者 陆义 闫建昌 +6 位作者 李晓航 郭亚楠 吴卓辉 张亮 谷文 王军喜 李晋闽 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期42-53,共12页
为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒,改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能... 为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒,改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能的影响.模拟结果显示,在12nm的AlGaN量子垒上沿着(000-1)方向从Al组分0.65线性渐变到0.6,可以有效平衡量子垒的势垒高度和斜率,从而极大的增强空穴注入,光输出功率相较于传统结构提高了53.6%.该设计为电子泄漏和空穴注入问题提供了直接而有效的解决方案,在实现更高效率的深紫外发光二极管方面显示出广阔的前景. 展开更多
关键词 深紫外LED ALGAN 氮极性 渐变量子垒 载流子调控
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2D study of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN HEMTs’ response to traps 预览
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作者 A.Hezabra N.A.Abdeslam +1 位作者 N.Sengouga M.C.E.Yagoub 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第2期43-48,共6页
In this work, the effects of GaN channel traps and temperature on the performance of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN high electron mobility transistors(HEMTs) on Si(111) substrate, were investigated. 2 D simulations carried out u... In this work, the effects of GaN channel traps and temperature on the performance of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN high electron mobility transistors(HEMTs) on Si(111) substrate, were investigated. 2 D simulations carried out using the Silvaco TCAD simulator tool for different drain and gate voltages showed that acceptor-like traps in the channel have a significant influence on the DC and RF characteristics. It was found that deeper acceptors below the conduction band with larger concentration have a more pronounced effect on the transistor performance. Meanwhile, the donor-like traps show no influence. Pulsing the device with different pulse widths and bias conditions, as well as increasing temperature, showed that the traps are more ionized when the pulse is wider or the temperature is higher, which can degrade the drain current and thus the DC characteristics of the transistor. Passivation of the transistor has also a beneficial effect on performance. 展开更多
关键词 ALGAN HEMT ALGAN/ALN/GAN structure silicon SUBSTRATE Silvaco TRAPPING effects channel TRAPS
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AlGaN nanocrystals:building blocks for efficient ultraviolet optoelectronics
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作者 XIANHE LIU KISHWAR MASHOOQ +2 位作者 DAVID A.LALEYAN ERIC T.REID ZETIAN MI 《光子学研究:英文版》 CSCD 2019年第6期I0014-I0025,共12页
AlGaN nanocrystals have emerged as the building blocks of future optoelectronic devices operating in the ultraviolet(UV) spectral range. In this article, we describe the design and performance characteristics of AlGaN... AlGaN nanocrystals have emerged as the building blocks of future optoelectronic devices operating in the ultraviolet(UV) spectral range. In this article, we describe the design and performance characteristics of AlGaN nanocrystal UV light-emitting diodes(LEDs) and surface-emitting UV laser diodes. The selective-area epitaxy and structural, optical, and electrical properties of AlGaN nanocrystals are presented. The recent experimental demonstrations of AlGaN nanocrystal LEDs and laser diodes are also discussed. 展开更多
关键词 ALGAN NANOCRYSTALS OPTOELECTRONICS
Efficiency enhancement of ultraviolet light-emitting diodes with segmentally graded p-type AlGaN layer
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作者 王林媛 宋伟东 +10 位作者 胡文晓 李光 罗幸君 汪虎 肖稼凯 郭佳琦 王幸福 郝锐 易翰翔 吴启保 李述体 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期650-655,共6页
AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes(UV-LEDs) have attracted considerable interest due to their wide range of application fields. However, they are still suffering from low light out power and unsatisfactory ... AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes(UV-LEDs) have attracted considerable interest due to their wide range of application fields. However, they are still suffering from low light out power and unsatisfactory quantum efficiency.The utilization of polarization-doped technique by grading the Al content in p-type layer has demonstrated its effectiveness in improving LED performances by providing sufficiently high hole concentration. However, too large degree of grading through monotonously increasing the Al content causes strains in active regions, which constrains application of this technique, especially for short wavelength UV-LEDs. To further improve 340-nm UV-LED performances, segmentally graded Al content p-AlxGa1-xN has been proposed and investigated in this work. Numerical results show that the internal quantum efficiency and output power of proposed structures are improved due to the enhanced carrier concentrations and radiative recombination rate in multiple quantum wells, compared to those of the conventional UV-LED with a stationary Al content AlGaN electron blocking layer. Moreover, by adopting the segmentally graded p-AlxGa1-xN, band bending within the last quantum barrier/p-type layer interface is effectively eliminated. 展开更多
关键词 AlGaN ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING diodes polarization-doped P-TYPE LAYER
Reduction of Electron Leakage in a Deep Ultraviolet Nitride Laser Diode with a Double-Tapered Electron Blocking Layer
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作者 王一夫 Mussaab I.Niass +1 位作者 王芳 刘玉怀 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2019年第5期67-70,共4页
A double-tapered AlGaN electron blocking layer (EBL) is proposed to apply in a deep ultraviolet semiconductor laser diode. Compared with the inverse double-tapered EBL, the laser with the double-tapered EBL shows a hi... A double-tapered AlGaN electron blocking layer (EBL) is proposed to apply in a deep ultraviolet semiconductor laser diode. Compared with the inverse double-tapered EBL, the laser with the double-tapered EBL shows a higher slope efficiency, which indicates that effective enhancement in the transportation of electrons and holes is achieved. Particularly, comparisons among the double-tapered EBL, the inverse double-tapered EBL, the singletapered EBL and the inverse single-tapered EBL show that the double-tapered EBL has the best performance in terms of current leakage. 展开更多
关键词 EBL AlGaN REDUCTION of ELECTRON Leakage in a Deep Ultraviolet NITRIDE Laser Diode with a Double-Tapered ELECTRON Blocking Layer
Increasing the hole energy by grading the alloy composition of the p-type electron blocking layer for very high-performance deep ultraviolet light-emitting diodes
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作者 Zi-Hui Zhang Jianquan Kou +7 位作者 Sung-Wen Huang Chen Hua Shao Jiamang Che Chunshuang Chu Kangkai Tian Yonghui Zhang Wengang Bi Hao-Chung Kuo 《光子学研究:英文版》 CSCD 2019年第4期I0001-I0006,共6页
It is well known that the p-type AlGaN electron blocking layer(p-EBL) can block hole injection for deep ultraviolet light-emitting diodes(DUV LEDs). The polarization induced electric field in the p-EBL for [0001] orie... It is well known that the p-type AlGaN electron blocking layer(p-EBL) can block hole injection for deep ultraviolet light-emitting diodes(DUV LEDs). The polarization induced electric field in the p-EBL for [0001] oriented DUV LEDs makes the holes less mobile and thus further decreases the hole injection capability. Fortunately,enhanced hole injection is doable by making holes lose less energy, and this is enabled by a specifically designed p-EBL structure that has a graded AlN composition. The proposed p-EBL can screen the polarization induced electric field in the p-EBL. As a result, holes will lose less energy after going through the proposed p-EBL, which correspondingly leads to the enhanced hole injection. Thus, an external quantum efficiency of 7.6% for the 275 nm DUV LED structure is obtained. 展开更多
关键词 P-TYPE ALGAN electron specifically designed an external quantum
电子材料 预览
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《新材料产业》 2019年第3期81-83,共3页
美国研究人员在单层半导体上直接形成量子光源美国海军研究实验室(NRL)和空军研究实验室(AFRL)的科学家们已经开发出一种可以在单层半导体材料直接形成量子光源的方法。单光子发射器(SPEs)或量子发射器是新兴量子技术的关键组成部分,包... 美国研究人员在单层半导体上直接形成量子光源美国海军研究实验室(NRL)和空军研究实验室(AFRL)的科学家们已经开发出一种可以在单层半导体材料直接形成量子光源的方法。单光子发射器(SPEs)或量子发射器是新兴量子技术的关键组成部分,包括计算、安全通信、传感和计量。传统的发光二极管会同时发射出数十亿的光子,从而形成稳定的光子流。 展开更多
关键词 量子阱 忆阻器 柔性电子器件 氧化镓 ALGAN 电子材料 人工突触 发光二极管
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Simulation of a high-performance enhancement-mode HFET with back-to-back graded AlGaN layers
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作者 Fu PENG Chao YANG +4 位作者 Siyu DENG Dongya OUYANG Bo ZHANG Jie WEI Xiaorong LUO 《中国科学:信息科学(英文版)》 SCIE EI CSCD 2019年第6期87-97,共11页
A novel three-dimensional hole gas(3 DHG) enhancement-mode(E-mode) heterostructure fielde?ect transistor(HFET) is proposed and investigated. It features back-to-back graded AlGaN(BGA) barrier layers consisting of a po... A novel three-dimensional hole gas(3 DHG) enhancement-mode(E-mode) heterostructure fielde?ect transistor(HFET) is proposed and investigated. It features back-to-back graded AlGaN(BGA) barrier layers consisting of a positive-graded AlGaN layer and a negative-graded AlGaN layer, which form polarization gradient and subsequently induce the three-dimensional electron gas(3 DEG) and 3 DHG in the positiveand negative-graded AlGaN layers, respectively. The source and drain are located at the same side of the metal-insulator-semiconductor(MIS) trench gate, and the source is in contact with the HfO2 gate insulator.First, the on-state current is significantly improved owing to the high-density 3 DEG in the positive-graded AlGaN. Next, the vertical conductive channel between the source and 3 DEG is blocked by the 3 DHG, thereby realizing the E-mode. The threshold voltage(Vth) can be modulated by a partial doping conductive channel.Subsequently, a high breakdown voltage(BV) is obtained, because the polarization junction formed by the polarization charges assists in depleting the drift region in the o?-state. Next, the BGA-HFET is smaller than the conventional HFET(Con-HFET) owing to the special location of the source. The BV of the proposed HFET sharply increases to 919 V from 39 V of the Con-HFET with the same gate-drain spacing, and the saturation drain current is increased by 103.5%. 展开更多
关键词 GRADED ALGAN 3DHG-3DEG large on-state current high voltage enhancement mode
硅上的石墨烯-AlGaN纳米锥阵列
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《半导体信息》 2019年第1期4-5,共2页
挪威和德国的研究人员在硅上使用石墨烯掩模生长出了氮化铝镓(AlGaN)纳米锥阵列。发表于[A.Mazid Munshi et al,Appl.Phys.Lett.,vol113,p263102,2018]挪威CrayoNano AS公司、德国马克斯-普朗克学会光学所、德国亥姆霍兹柏林能源与材料... 挪威和德国的研究人员在硅上使用石墨烯掩模生长出了氮化铝镓(AlGaN)纳米锥阵列。发表于[A.Mazid Munshi et al,Appl.Phys.Lett.,vol113,p263102,2018]挪威CrayoNano AS公司、德国马克斯-普朗克学会光学所、德国亥姆霍兹柏林能源与材料中心、挪威科技大学(NTNU)和挪威科技工业研究院(SINTEF)的研究团队看到了该材料在紫外(UV)发光二极管,光电探测器和激光器的潜在应用价值。他们希望这种材料能够克服由晶格和热膨胀不匹配引起的缺陷的平面III族氮化物结构的问题。石墨烯可以实现准范德华外延,避免悬挂化学键引起的问题。 展开更多
关键词 纳米锥 石墨烯 ALGAN
Recent advances in Ga-based solar-blind photodetectors
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作者 徐明升 葛磊 +3 位作者 韩明明 黄静 徐化勇 杨再兴 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第2期49-57,共9页
Solar-blind ultraviolet photodetectors have many advantages, such as low false alarm rates, the ability to detect weak signals, and high signal-to-noise ratios. Among the various functional solar-blind ultraviolet pho... Solar-blind ultraviolet photodetectors have many advantages, such as low false alarm rates, the ability to detect weak signals, and high signal-to-noise ratios. Among the various functional solar-blind ultraviolet photodetectors, Ga-based alloys of AlGaN and Ga2O3 are the most commonly adopted channel semiconductor materials and have attracted extensive research attention in the past decades. This review presents an overview of the recent progress in Ga-based solar-blind photodetectors. In case of AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors, the response properties can be improved by optimizing the AlN nucleation layer and designing the avalanche structure. On the other hand, we also discuss the morphology and growth methods of Ga2O3 nanomaterials and their effect on the performance of the corresponding solarblind photodetectors. The mechanically exfoliated Ga2O3 flakes show good potential for ultraviolet detection. Also, Ga2O3 nanoflowers and nanowires reveal perfect response to ultraviolet light. Finally, the challenges and future development of Ga-based functional solar-blind ultraviolet photodetectors are summarized. 展开更多
关键词 solar-blind PHOTODETECTOR AlGaN Ga2O3
AlGaN基日盲紫外探测器外延关键技术
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作者 谭波 何炬 +3 位作者 陈景文 单茂诚 戴江南 陈长清 《功能材料与器件学报》 CAS 2018年第2期85-89,共5页
以AlGaN为代表的第三代宽禁带半导体材料是制备紫外探测器等光电器件的关键材料,是近年来国内外研究的热点。然而由于缺乏同质外延衬底,异质外延获得的AlGaN材料晶体质量普遍较差且高Al组分AlGaN掺杂困难,严重限制了紫外探测器的性能。... 以AlGaN为代表的第三代宽禁带半导体材料是制备紫外探测器等光电器件的关键材料,是近年来国内外研究的热点。然而由于缺乏同质外延衬底,异质外延获得的AlGaN材料晶体质量普遍较差且高Al组分AlGaN掺杂困难,严重限制了紫外探测器的性能。制备高性能AlGaN基日盲紫外探测器的关键是外延生长高质量的AlGaN材料并实现高效掺杂。本文综述了AlGaN基日盲紫外探测器材料外延生长的关键技术以及国内外研究进展等。 展开更多
关键词 ALGAN 日盲紫外探测器 MOCVD外延生长
SiO2钝化膜对非极性AlGaN-MSM紫外探测器的影响
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作者 贾辉 徐建飞 石璐珊 《光电子.激光》 CSCD 北大核心 2018年第7期698-702,共5页
采用SiO2钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外延薄膜制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外光电探测器。研究了磁控溅射SiO_2钝化膜对探测器光电性能的提升。暗电流测试表明,钝化处理使探测器... 采用SiO2钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外延薄膜制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外光电探测器。研究了磁控溅射SiO_2钝化膜对探测器光电性能的提升。暗电流测试表明,钝化处理使探测器的暗电流可以降低了2-3个数量级。在5 V偏压下,通过光谱响应测试发现,经过钝化处理的探测器在300nm处具有陡峭的截止边,具有很好的深紫外特性,光谱响应范围提高了3个数量级,抑制比高达105。 展开更多
关键词 SiO2钝化膜 非极性 ALGAN 紫外探测器
AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器暗电流研究 预览
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作者 葛张峰 余晨辉(导师) +2 位作者 陈鸣 李林 许金通(导师) 《红外与激光工程》 CSCD 北大核心 2018年第9期181-187,共7页
为了提高AlGaN日盲紫外雪崩探测器的信噪比,降低暗电流,研制高性能日盲紫外探测器,针对AlGaN日盲紫外雪崩探测器暗电流机制进行了深入研究。首先对传统p-i-n-i-n结构雪崩探测器进行了初步研究,分别设计了GaN和AlGaN的两种雪崩探测器模型... 为了提高AlGaN日盲紫外雪崩探测器的信噪比,降低暗电流,研制高性能日盲紫外探测器,针对AlGaN日盲紫外雪崩探测器暗电流机制进行了深入研究。首先对传统p-i-n-i-n结构雪崩探测器进行了初步研究,分别设计了GaN和AlGaN的两种雪崩探测器模型,分析了其不同暗电流特性,得到的模拟暗电流特性曲线与实验吻合。在此基础上,针对日盲紫外波段高Al组分AlGaN雪崩探测器,重点分析研究了不同异质界面的负极化电荷、p型有效掺杂以及温度等因素对暗电流的影响。在AlGaN日盲紫外雪崩探测器研究中得到的近零偏工作暗电流为2.5×10^-13A,在反向138V左右发生雪崩击穿,雪崩开启电流为18.3nA左右,击穿电压温度系数约为0.05V/K,与实验及文献测试结果吻合。 展开更多
关键词 ALGAN 日盲紫外雪崩探测器 暗电流 负极化效应
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AlGaN/GaN HEMT材料的高温MOCVD生长研究 预览
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作者 陈峰武 巩小亮 +3 位作者 罗才旺 程文进 魏唯 鲍苹 《电子工业专用设备》 2018年第4期32-35,69共5页
高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制一直是GaN基射频微波器件的重要发展方向。采用自主研制的生产型高温MOCVD设备进行AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长,通过高温MOCVD外延生长技术改善了AlGaN势垒层、AlN插入层的晶体质量和表面质... 高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制一直是GaN基射频微波器件的重要发展方向。采用自主研制的生产型高温MOCVD设备进行AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长,通过高温MOCVD外延生长技术改善了AlGaN势垒层、AlN插入层的晶体质量和表面质量,从而获得了较高二维电子气迁移率的AlGaN/GaN HEMT结构材料。高分辨X射线衍射仪的分析表明,AlGaN外延层Al组分含量为22.7%,厚度为19.4 nm;Hall效应测试仪的测试表明,HEMT结构材料的室温二维电子迁移率和浓度分别为2 040 cm~2/V·s和6.15×10~(12) cm~(-2),具有较为优异的二维电子气输运性能。上述研究结果表明:国产高温MOCVD设备可为高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制提供新的设备平台。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 ALGAN 高温金属有机物化学气相沉积 二维电子气迁移率
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AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究 预览
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作者 付润定 庄德津 +4 位作者 修向前 谢自力 陈鹏 张荣 郑有炓 《陶瓷学报》 北大核心 2018年第6期690-695,共6页
对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的Al... 对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜,其生长模式符合Stranski-Krastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。 展开更多
关键词 AlN单晶 化学机械抛光 ALGAN Stranski-Krastanow生长模式 应变梯度模型
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AlGaN基日盲紫外探测器成像系统设计与实现
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作者 王继强 许金通 +3 位作者 王玲 谢晶 张燕 李向阳 《光学与光电技术》 2018年第6期45-49,共5页
描述了基于AlGaN日盲紫外焦平面成像系统的硬件和软件设计,实现了对320×256阵列的AlGaN日盲紫外焦平面探测器输出信号的采集、图像处理和成像显示,针对紫外焦平面阵列(UVFPA)器件响应不均匀性,以及容易产生条纹状固定图形背景的问... 描述了基于AlGaN日盲紫外焦平面成像系统的硬件和软件设计,实现了对320×256阵列的AlGaN日盲紫外焦平面探测器输出信号的采集、图像处理和成像显示,针对紫外焦平面阵列(UVFPA)器件响应不均匀性,以及容易产生条纹状固定图形背景的问题,以FPGA为硬件平台,研究了紫外图像的非均匀性校正算法,实现了紫外图像的实时非均匀性校正。经实时的紫外图像处理实验对比与分析表明,该算法有效地提高了图像质量,非均匀性从9.609%降到了4.642%。从实时的紫外图像处理结果来看,成像处理系统完成了图像采集、处理,以及成像显示,并取得了良好的成像效果。 展开更多
关键词 图像处理 日盲 紫外探测器 成像系统 铝镓氮
Enhancing redshift phenomenon in time-resolved photoluminescence spectra of AlGaN epilayer
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作者 李维 金鹏 +4 位作者 王维颖 毛德丰 潘旭 王晓亮 王占国 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第7期399-402,共4页
AlGaN 取向附生的层借助于温度依赖者被学习了时间综合的光致发光(PL ) 和解决时间的光致发光(TRPL ) 。在有增加温度的 TRPL 系列的提高的 redshift 现象被观察,并且局部性的激子象伪一样表现了在 6 K 和 90 K 之间的二维的激子。我... AlGaN 取向附生的层借助于温度依赖者被学习了时间综合的光致发光(PL ) 和解决时间的光致发光(TRPL ) 。在有增加温度的 TRPL 系列的提高的 redshift 现象被观察,并且局部性的激子象伪一样表现了在 6 K 和 90 K 之间的二维的激子。我们证明这些行为被一个变化与在 AlGaN 合金由于搬运人本地化和 delocalization 的比赛增加温度在搬运人动力学引起。 展开更多
关键词 时间分辨荧光光谱 ALGAN 红移现象 温度依赖 光致发光 二维激子 TRPL 子动力学
AlGaN异质结p-i-n型雪崩探测器 预览
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作者 和浩田 李兰 +4 位作者 王璇伟 邵振广 于海林 冯金福 刘玉申 《常熟理工学院学报》 2017年第4期8-11,共4页
高增益AlGaN日盲雪崩探测器在国防安全与生命科学领域有重要的应用价值. 本文通过引入Al0.2Ga0.8N/Al0.4Ga0.6N异质结设计,将雪崩电压从79.3 V降低到73 V,雪崩增益从1.9×106提高到4.8×106. 通过数值模拟分析发现,异质界面极... 高增益AlGaN日盲雪崩探测器在国防安全与生命科学领域有重要的应用价值. 本文通过引入Al0.2Ga0.8N/Al0.4Ga0.6N异质结设计,将雪崩电压从79.3 V降低到73 V,雪崩增益从1.9×106提高到4.8×106. 通过数值模拟分析发现,异质界面极化电场与外加偏压方向一致,将高Al组分区域电场增强,从而降低了雪崩电压;虽然极化电场将低Al组分区域电场强度降低,但低Al组分区域离化系数大于高Al组分区域的离化系数约一个量级,空穴在高Al组分区域加速获得能量,在离化系数较高的低Al组分区域离化雪崩,提高了器件增益. 展开更多
关键词 雪崩探测器 ALGAN 异质结
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6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备 预览 被引量:1
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作者 刘明哲 李鹏翀 +2 位作者 邓高强 张源涛 张宝林 《发光学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期753-759,共7页
利用金属有机物化学气相沉积方法,在n型6H-SiC衬底上制备了15对Si掺杂Al0.19Ga0.81N/Al0.37Ga0.63N DBR,并采用低温AlN缓冲层有效抑制了DBR结构中裂纹的产生,得到了表面均方根粗糙度仅为0.4 nm且导电性能良好的n型DBR,其在369 nm处峰值... 利用金属有机物化学气相沉积方法,在n型6H-SiC衬底上制备了15对Si掺杂Al0.19Ga0.81N/Al0.37Ga0.63N DBR,并采用低温AlN缓冲层有效抑制了DBR结构中裂纹的产生,得到了表面均方根粗糙度仅为0.4 nm且导电性能良好的n型DBR,其在369 nm处峰值反射率为68%,阻带宽度为10 nm。在获得导电DBR的基础上,进一步在n型6H-SiC衬底上构建了有、无DBR的垂直结构紫外LED。对比两者电致发光光谱,发现DBR结构的引入有效增强了LED紫外发光强度。 展开更多
关键词 ALGAN 紫外发光二极管 分布式布拉格反射镜 金属有机物化学气相沉积 垂直结构
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量子阱层和垒层具有不同Al组分的270/290/330nm AlGaN基深紫外LED光电性能 预览
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作者 王福学 叶煊超 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期57-62,共6页
为了研究AlGaN量子阱层和垒层中Al组分不同对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)光电性能的影响,本文利用MOCVD生长、光刻和干法刻蚀工艺制备了AlGaN量子阱层和垒层具有不同Al组分的270/290/330nm深紫外LED,通过实验和数值模拟计算方法发现... 为了研究AlGaN量子阱层和垒层中Al组分不同对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)光电性能的影响,本文利用MOCVD生长、光刻和干法刻蚀工艺制备了AlGaN量子阱层和垒层具有不同Al组分的270/290/330nm深紫外LED,通过实验和数值模拟计算方法发现,量子阱层和垒层中具有低Al组分紫外LED的AlGaN材料具有较低的位错密度、较高的光输出功率和外量子效率。通过电流-电压(I-V)曲线拟合出的较大的理想因子(〉3.5)和能带结构图表明,AlGaN深紫外LED的电流产生是隧穿机制占据主导作用,这是因为高Al组分AlGaN量子阱中强极化场造成了有源层区域较大的能带弯曲和电势降。 展开更多
关键词 ALGAN 深紫外 发光二极管 数值模拟
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