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光伏组件用网格玻璃PID测试后变色原因分析 认领
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作者 李媛媛 苗林 +2 位作者 唐兰兰 张银环 姜倩 《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第1期69-71,共3页
针对光伏组件用网格玻璃经过-1500 V的电势诱导衰减(PID)测试后出现局部变色现象进行了分析,通过对样品进行扫描电子显微镜法(SEM)、能量散射光谱(EDS)及X射线光电子光谱法(XPS)测试,分析元素的含量、结合能等,认为造成发黑的主要原因是... 针对光伏组件用网格玻璃经过-1500 V的电势诱导衰减(PID)测试后出现局部变色现象进行了分析,通过对样品进行扫描电子显微镜法(SEM)、能量散射光谱(EDS)及X射线光电子光谱法(XPS)测试,分析元素的含量、结合能等,认为造成发黑的主要原因是Na+的迁移及Ti3+形成使白色TiO2的正四方晶格发生紊乱,导致价带的电子跃迁到导带所需的能量减小,禁带宽度变窄,使原来白色TiO2也可以被能量较小的光子激发,从而吸收部分能量较低的可见光,出现变色。 展开更多
关键词 网格玻璃 PID测试 白色TiO2 禁带宽度 变色
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铁酸镧B位掺Mn/Co/Cr试样的红外辐射性能与机理 认领
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作者 刘庆生 程华金 +2 位作者 谈成亮 邱建民 涂弢 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期1897-1906,共10页
采用高温固相烧结法制备了粉体材料LaFeO3、LaFe0.75Co0.25O3、LaFe0.75Cr0.25O3和LaFe0.75Mn0.25O3,通过XRD、FTIR、SEM、XPS等检测手段对材料进行表征,同时运用CASTEP模块模拟计算了材料的电子能带结构和光学性质。实验结果表明:掺入M... 采用高温固相烧结法制备了粉体材料LaFeO3、LaFe0.75Co0.25O3、LaFe0.75Cr0.25O3和LaFe0.75Mn0.25O3,通过XRD、FTIR、SEM、XPS等检测手段对材料进行表征,同时运用CASTEP模块模拟计算了材料的电子能带结构和光学性质。实验结果表明:掺入Mn/Cr/Co离子后晶格发生畸变,晶格对称性降低。Mn/Cr/Co掺杂后的粉体材料在近中红外波段发射率排序为:掺Mn>掺Co>掺Cr>纯LaFeO3,其中掺Mn在0.2~2.5μm波段为0.8722,2.5~5μm波段为0.6755,远大于纯LaFeO3的发射率(近中红外波段发射率均为0.5左右)。发射率提升的机理在于:Mn掺杂后,引入了Mn^3+杂质能级,产生了激活能小的Mn^3+?Mn^4+跳跃小极化子,电子-氧空位载流子吸收亦增强,同时体系的晶格畸变导致振动吸收加剧。第一性原理计算结果表明掺杂Mn/Cr/Co材料的禁带宽度分别0.793eV、2.406eV、1.722eV均小于纯LaFeO3的3.817eV,结合态密度计算结果分析其原因,主要Mn3d、Cr3d、Co3d轨道与O2p轨道杂化形成杂质能级,同时Mn3d、Cr3d、Co3d在导带也存在态密度峰,且峰的位置都比LaFeO3峰更靠近费米能级,作为新的导带底相当于缩短了价带顶到导带底之间的间隙宽度。LaFe0.75Mn0.25O3材料在近中红外波段的优异辐射性能表现,可作为耐高温抗氧化高发射率材料在高温热工炉窑具有潜在应用前景。 展开更多
关键词 钙钛矿 掺杂 红外发射率 禁带宽度 红外辐射材料
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基于全电子方法和TB-mBJ势的硫化镉多型体能带结构计算 认领
3
作者 张元珏 高尚鹏 《复旦学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期208-215,共8页
常见的硫化镉多型体为纤锌矿结构硫化镉(w-CdS)和闪锌矿结构硫化镉(zb-CdS).在高压下w-CdS或zb-CdS都会向岩盐矿结构(rs-CdS)转变.在有外加压强条件下的CdS电子能带结构在实验上一直备受关注.全势线性缀加平面波方法计算所得电子能带结... 常见的硫化镉多型体为纤锌矿结构硫化镉(w-CdS)和闪锌矿结构硫化镉(zb-CdS).在高压下w-CdS或zb-CdS都会向岩盐矿结构(rs-CdS)转变.在有外加压强条件下的CdS电子能带结构在实验上一直备受关注.全势线性缀加平面波方法计算所得电子能带结构表明:w-CdS与zb-CdS具有直接带隙,rs-CdS是间接带隙材料.为了更准确的预测禁带宽度,我们探讨了Hubbard U修正和TB-mBJ势的作用,采用TB-mBJ势的能带结构计算得到的w-CdS和zb-CdS的禁带宽度分别为2.74eV和2.66eV,和实验值比较接近.我们采用TB-mBJ势对不同外压下的rs-CdS进行了能带结构计算,指出rs-CdS在高压下仍然保持价带顶在L点,导带底在X点的间接带隙特征.分析了禁带宽度随压强增大而减小的趋势,采用TB-mBJ势的结果和rs-CdS高压下的光学实验结果符合. 展开更多
关键词 硫化镉 密度泛函理论 TB-mBJ 高压 禁带宽度
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Fe^3+掺杂α-Al2O3纳米颗粒的结构及发光性能 认领
4
作者 刘建科 谢鑫 +3 位作者 曹文斌 乔毅楠 徐亚宁 张瑞婷 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1476-1481,共6页
采用化学沉淀法制备出了平均颗粒尺寸分别为12、82和229 nm、Fe含量相同的Fe^3+掺杂α-Al2O3颗粒,并对其晶胞参数、显微结构、禁带宽度及发光性能进行了研究。结果表明:不同尺寸Fe^3+掺杂α-Al2O3颗粒均为纯α-Al2O3相;随着样品颗粒尺... 采用化学沉淀法制备出了平均颗粒尺寸分别为12、82和229 nm、Fe含量相同的Fe^3+掺杂α-Al2O3颗粒,并对其晶胞参数、显微结构、禁带宽度及发光性能进行了研究。结果表明:不同尺寸Fe^3+掺杂α-Al2O3颗粒均为纯α-Al2O3相;随着样品颗粒尺寸增大,禁带宽度减小,晶胞参数先减小后增大;平均颗粒尺寸为12 nm的Fe^3+掺杂α-Al2O3纳米颗粒晶格常数为a=b=0.478 3 nm、c=1.304 7 nm,禁带宽度为4.06 eV,305 nm激发下展现出了良好的发光性能,且其颗粒完全分散、尺寸分布较窄(5~55 nm),在超纯水中可形成稳定胶体。 展开更多
关键词 铁掺杂 α-氧化铝纳米颗粒 禁带宽度 发光性能
铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征 认领
5
作者 马骕驭 马传贺 +5 位作者 卢小双 李国帅 孙琳 陈晔 越方禹 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期92-98,共7页
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_... 利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与Sn_(Zn)相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。 展开更多
关键词 禁带宽度 半导体缺陷 光谱表征 铜锌锡硫
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掺杂可见光催化剂Bi2WO6的制备及降解效果研究 认领
6
作者 张小平 《陶瓷》 CAS 2019年第4期33-42,共10页
笔者采用水热法在不同的条件下(不同温度、不同pH值、不同浓度的表面活性剂)制备了可见光催化剂Bi2WO6,同时也掺杂了Fe制备掺杂了Bi2WO6,并改变了原材料的配比,制备掺杂了Bi2O3-Bi2WO6。实验结果表明:Bi2WO6的禁带宽度在2.83eV时有良好... 笔者采用水热法在不同的条件下(不同温度、不同pH值、不同浓度的表面活性剂)制备了可见光催化剂Bi2WO6,同时也掺杂了Fe制备掺杂了Bi2WO6,并改变了原材料的配比,制备掺杂了Bi2O3-Bi2WO6。实验结果表明:Bi2WO6的禁带宽度在2.83eV时有良好的可见光催化性能。Bi2O3-Bi2WO6拓宽了禁带宽度,使得禁带宽度为3.05eV。催化剂的光催化活性与催化剂的晶型、颗粒的半径大小、比表面积的大小都密切相关。然而催化剂的形貌、粒径、比表面积又与制备条件密切相关,只有在特定形貌下,粒径小并且均匀的情况下的催化剂的催化活性才好。在酸性条件下由于抑制了硝酸铋的水解,从而制备的催化剂的催化活性优于在碱性条件下制备的催化剂。催化剂在降解罗丹明B的实验中,催化时的去乙基作用使得罗丹明B溶液的主峰发生蓝移,主峰由553nm移动到了495nm。催化剂的去乙基作用只有在可见光的照射下才会发生,并且去乙基作用使得光催化降解反应的初速度加快。催化剂的吸附性能影响去乙基反应,吸附性能差的催化剂发生去乙基反应的速度也低。催化剂在降解染料时对染料有选择性,本实验所制备的催化剂对罗丹明B的降解效果高于对甲基橙的降解效果。 展开更多
关键词 光催化性 禁带宽度 晶型结构 表面形貌 粒径尺寸 降解效果
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铜铟硒膜及其离子注入后的光电特性研究 认领
7
作者 王世兴 何伟坚 +2 位作者 王伟 黄建军 苏红 《光学与光电技术》 2019年第3期66-70,共5页
为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理,在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上,通过引入离子注入设计了不同的膜层结构。测试结果表明,随着退火温度、溅射功率的改变,薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化,且表现有... 为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理,在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上,通过引入离子注入设计了不同的膜层结构。测试结果表明,随着退火温度、溅射功率的改变,薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化,且表现有所区别。对铜铟硒膜进行离子注入后发现,黄铜矿结构对应的拉曼峰减弱甚至消失,表面晶格损伤较大;单注入铝离子使得电阻率及禁带宽度均增大,而单注入钛离子增大了禁带宽度但降低了电阻率,双注入铝离子与钛离子则可以在较大范围内对电阻率、禁带宽度进行调制。 展开更多
关键词 铜铟硒膜 离子注入 光电性能 拉曼光谱 禁带宽度
类石墨烯过渡金属二硫化物的制备及应用研究进展 认领
8
作者 秦涛 常恬 +2 位作者 张文 蒋丽娟 李延超 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1023-1029,共7页
二维过渡金属二硫化物(TMDCs)是一种具有类石墨烯层状结构的新型材料。由于其超薄的片层间距、巨大的比表面积、丰富的边缘位点、良好的化学稳定性和可调控禁带宽度等优异的理化性质,引起了光电器件、光催化剂、锂离子电池及超级电容器... 二维过渡金属二硫化物(TMDCs)是一种具有类石墨烯层状结构的新型材料。由于其超薄的片层间距、巨大的比表面积、丰富的边缘位点、良好的化学稳定性和可调控禁带宽度等优异的理化性质,引起了光电器件、光催化剂、锂离子电池及超级电容器、固体润滑剂等领域研究者的广泛关注。介绍了类石墨烯TMDCs的基本结构,对其常用的制备方法及应用进行了重点综述,并展望了其未来研究的发展趋势和面临的挑战。 展开更多
关键词 二维过渡金属硫化物 类石墨烯 禁带宽度 制备 应用
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单层MoS2的研究概述 认领
9
作者 陈广萍 《电子世界》 2019年第21期74-75,共2页
单层的MoS2作为一种新型半导体材料,在场效应晶体管、光发射二极管、光伏器件和光催化等领域具有极大的潜在应用价值。本文对单层的MoS2的制备、应用及理论研究进行简单的概述。单层Mo S2是一种新型的半导体材料,它的直接带隙禁带宽度为... 单层的MoS2作为一种新型半导体材料,在场效应晶体管、光发射二极管、光伏器件和光催化等领域具有极大的潜在应用价值。本文对单层的MoS2的制备、应用及理论研究进行简单的概述。单层Mo S2是一种新型的半导体材料,它的直接带隙禁带宽度为1.8eV,所以它克服了石墨烯零带隙的缺点,同样拥有石墨烯的很多优点。因为单层MoS2独特的微观结构和物理、化学性质,使得它在场效应晶体管、光发射二极管、光伏器件和光催化等领域具有极大的潜在应用价值。 展开更多
关键词 场效应晶体管 半导体材料 新型半导体 直接带隙 光伏器件 石墨烯 禁带宽度 光催化
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石墨烯负载TiO2复合材料的制备及光催化降解印染废水的研究 认领 被引量:1
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作者 胡伟 《印染助剂》 CAS 北大核心 2019年第8期32-36,共5页
利用溶胶-凝胶法和水热法制备了石墨烯改性TiO2催化剂。通过X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UVVis)、扫描电镜(SEM)、光致发光荧光光谱仪(PL)对催化剂进行表征,并考察了该催化剂对亚甲基蓝的光催化降解性能。结果表明,石墨烯成... 利用溶胶-凝胶法和水热法制备了石墨烯改性TiO2催化剂。通过X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UVVis)、扫描电镜(SEM)、光致发光荧光光谱仪(PL)对催化剂进行表征,并考察了该催化剂对亚甲基蓝的光催化降解性能。结果表明,石墨烯成功负载到TiO2表面,不同石墨烯负载量的TiO2均为锐钛矿结构,石墨烯的加入减小了TiO2的禁带宽度,增大了光吸收范围,延长了光生载流子寿命。催化剂活性随石墨烯负载量的增加先增大后减小,3%石墨烯负载量的TiO2具有最高的光催化活性,达到85.5%。光催化活性的提升原因:(1)光吸收的增加;(2)石墨烯的加入促进了电子的转移,延长了光生载流子的寿命。 展开更多
关键词 石墨烯 光催化 禁带宽度 载流子
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退火气氛和Mn^2+掺杂SnO2纳米粒子的粒径和禁带宽度的影响 认领
11
作者 王千 《商丘师范学院学报》 CAS 2019年第12期16-20,共5页
以SnCl4·5H2O作为锡源,采用共沉淀法制备SnO2纳米粒子,对产物进行了TGA,XRD,TEM,EDX表征,以检测产物的微观结构和形貌,证实Mn^2+掺杂物被掺入到SnO2主晶格中而不改变金红石结构,而且所制备的SnO2纳米粒子结晶性好,尺寸较小.在空气... 以SnCl4·5H2O作为锡源,采用共沉淀法制备SnO2纳米粒子,对产物进行了TGA,XRD,TEM,EDX表征,以检测产物的微观结构和形貌,证实Mn^2+掺杂物被掺入到SnO2主晶格中而不改变金红石结构,而且所制备的SnO2纳米粒子结晶性好,尺寸较小.在空气,氧气,氮气,氩气四种退火气氛进行了退火,通过对XRD谱图进行比较,结果表明惰性气体下退火抑制了SnO2纳米粒子的生长.空气中退火所得到的纳米粒径比惰性气体下的大,从而可以得到较小尺寸的纳米粒子,这有利于增大纳米粒子的比表面积.对3%Mn^2+掺杂的SnO2纳米粒子的紫外可见吸收光谱进行了测试,发现惰性气体下退火的吸收光谱相对于空气发生蓝移现象,在空气中得到的禁带宽度值比惰性气体下得到的要大,从而得到较小的禁带宽度,增大了纳米粒子对光响应范围. 展开更多
关键词 二氧化锡 共沉淀 粒径 禁带宽度
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氮气流量和退火处理对射频磁控溅射氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响 认领
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作者 杨勇 汪冰洁 +8 位作者 姚婷婷 李刚 金克武 沈洪雪 王天齐 杨扬 彭赛奥 甘治平 马立云 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期417-422,共6页
常温下利用TiO2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:... 常温下利用TiO2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:磁控溅射N2流量和退火处理对薄膜的微观结构和性能有重要的影响。退火前,薄膜由非晶态TiO2构成;退火后,薄膜呈现锐钛矿相和金红石相的混合相。随着磁控溅射系统中N2流量的增加,退火前禁带宽度从3.19eV减少到2.15eV;退火后,薄膜由非晶相TiO2组织转化为锐钛矿TiO2和金红石TiO2构成的浑河相组织,禁带宽度相比退火前的非晶相TiO2薄膜略有增加。 展开更多
关键词 氮掺杂二氧化钛薄膜 射频磁控溅射 沉积速率 禁带宽度
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掺杂可见光催化剂Bi2WO6的制备及降解效果研究 认领
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作者 张小平 《贵阳学院学报:自然科学版》 2019年第1期90-99,共10页
本文采用水热法在不同的条件下(不同温度、不同pH值、不同浓度的表面活性剂)制备了可见光催化剂Bi2WO6,同时也掺杂了Fe制备了Bi2WO6,并改变了原材料的配比,制备了Bi2O3-Bi2WO6。实验结果表明:Bi2WO6的禁带宽度在2.83eV,有良好的可见光... 本文采用水热法在不同的条件下(不同温度、不同pH值、不同浓度的表面活性剂)制备了可见光催化剂Bi2WO6,同时也掺杂了Fe制备了Bi2WO6,并改变了原材料的配比,制备了Bi2O3-Bi2WO6。实验结果表明:Bi2WO6的禁带宽度在2.83eV,有良好的可见光催化性能。Bi2O3-Bi2WO6拓宽了禁带宽度,使得禁带宽度为3.05eV。催化剂的光催化活性和催化剂的晶型、颗粒的半径大小、比表面积的大小都密切相关。然而催化剂的形貌、粒径、比表面积又与制备条件密切相关,只有在特定形貌下,粒径小并且均匀的情况下的催化剂的催化活性才好。在酸性条件下由于抑制了硝酸铋的水解,从而制备的催化剂的催化活性优于在碱性条件下制备的催化剂。催化剂在降解罗丹明B的实验中,催化时的去乙基作用使得罗丹明B溶液的主峰发生蓝移,主峰由553nm移动到了495nm。催化剂的去乙基作用于只有在可见光的照射下才会发生,并且去乙基作用使得光催化降解反应的初速度加快。催化剂的吸附性能影响去乙基反应,吸附性能差的催化剂发生去乙基反应的速度也低。催化剂在降解染料时对染料有选择性,本实验所制备的催化剂对罗丹明B的降解效果高于对甲基橙的降解效果。 展开更多
关键词 光催化性 禁带宽度 晶型结构 表面形貌 粒径尺寸 降解效果
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La掺杂TiO2的制备及其在钙钛矿太阳能电池中的应用 认领
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作者 郑雨佳 陈加藏 +3 位作者 龚小梅 宾晓蓓 曹宏 薛俊 《四川建材》 2019年第11期32-33,共2页
以钛酸四丁酯、三乙胺为原料,硝酸镧为掺杂源,采用水热法合成了镧掺杂TiO2。通过X射线衍射、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱等测试方法,研究了镧掺杂TiO2的物相组成和光学性能,并将其作为介孔层材料应用于钙钛矿太阳能电池,发现镧掺杂摩尔... 以钛酸四丁酯、三乙胺为原料,硝酸镧为掺杂源,采用水热法合成了镧掺杂TiO2。通过X射线衍射、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱等测试方法,研究了镧掺杂TiO2的物相组成和光学性能,并将其作为介孔层材料应用于钙钛矿太阳能电池,发现镧掺杂摩尔比(La/Ti)为0.04时电池的光电转化效率最高,可达15.43%。 展开更多
关键词 镧掺杂 二氧化钛 禁带宽度 电荷传输 钙钛矿太阳能电池
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BiOXs与羟基化g-C3N4异质结的制备与光催化性能研究 认领 被引量:1
15
作者 李伦 王虎 +2 位作者 宋金玲 段成林 郭茜亚 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2019年第2期121-125,共5页
采用XRD和FT-IR表征方法,成功制备了羟基化g-C3N4.通过SEM和DRS表征发现羟基化g-C3N4均匀分布在BiOXs表面,且禁带宽度得到改善,异质结构筑成功.采用制备的光催化剂对20 mg/L MO模拟污染物进行光催化实验,结果显示异质结对MO降解率为67%... 采用XRD和FT-IR表征方法,成功制备了羟基化g-C3N4.通过SEM和DRS表征发现羟基化g-C3N4均匀分布在BiOXs表面,且禁带宽度得到改善,异质结构筑成功.采用制备的光催化剂对20 mg/L MO模拟污染物进行光催化实验,结果显示异质结对MO降解率为67%.证明异质结的形成有利于光催化效率的提高. 展开更多
关键词 光催化剂 禁带宽度 异质结 光生载流子
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基于SiC的NPN双极型晶体管设计 认领
16
作者 冷贺彬 朱平 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期91-96,137共7页
利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流... 利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BVCEO=900 V)、特征频率高(fT=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。 展开更多
关键词 NPN双极型晶体管 SIC 工作温度 击穿电压 特征频率 禁带宽度 晶体管增益
镓族科技:超宽禁带材料先行者 认领
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作者 刘超 《新材料产业》 2019年第1期35-37,共3页
半导体对20世纪人类的影响令人惊叹。半导体与原子能、激光器和电子计算机一起,被誉为20世纪的'新四大发明',而半导体的发展又决定着电子计算机和激光器的发展进程。试想一下,如果没有半导体,我们的生活会不会变得单调?越来越多... 半导体对20世纪人类的影响令人惊叹。半导体与原子能、激光器和电子计算机一起,被誉为20世纪的'新四大发明',而半导体的发展又决定着电子计算机和激光器的发展进程。试想一下,如果没有半导体,我们的生活会不会变得单调?越来越多的'手机控''低头族'们如果没有了手机和平板电脑等移动通讯或媒体设备,他们会不会痛不欲生? 展开更多
关键词 氧化镓 禁带宽度 击穿场强 半导体材料
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(Mg,Cr)共掺LaFeO3基复合粉体的能带结构及其热辐射性能 认领
18
作者 刘庆生 谈成亮 +3 位作者 程华金 段旭 常晴 陈江安 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1348-1358,共11页
采用高温固相烧结法在1300℃反应2 h成功制备出钙钛矿型LaFe0.75Cr0.25O3和La0.75Mg0.25Fe0.75-Cr0.25O3粉体材料。通过XRD、FT-IR、SEM、XPS和Upward IntegratIRTM等对材料的物相结构和近中红外波段的发射性能进行分析表征,并应用第一... 采用高温固相烧结法在1300℃反应2 h成功制备出钙钛矿型LaFe0.75Cr0.25O3和La0.75Mg0.25Fe0.75-Cr0.25O3粉体材料。通过XRD、FT-IR、SEM、XPS和Upward IntegratIRTM等对材料的物相结构和近中红外波段的发射性能进行分析表征,并应用第一性原理计算分析了其电子结构,研究影响发射率的理论机制。研究表明,粉体在1~5μm波段的发射率都出现上升,但Cr单掺试样的吸收率增幅不大,而Mg-Cr共掺粉体增幅较大,在近红外波区的吸收率在0.9以上。究其原因在于,Cr单掺后晶体发生畸变,但不增加自由载流子的浓度,Mg-Cr共掺后畸变加剧且生成较多氧空位和小极化子,强化了自由载流子的吸收。Cr3d轨道与O 2p所形成的杂化能级和在近费米能级导带区的Cr3d轨道造成了粉体禁带宽度变窄,Mg虽然未直接作用于带隙值,但间接改变了B位元素的形态,产生了更多的小极化子,因此与LaFeO3禁带宽度值(3.817 eV)相比,Mg-Cr共掺(0.109 eV)减小幅度最大,Cr单掺(2.406 eV)次之。 展开更多
关键词 铁酸镧 掺杂 红外发射率 禁带宽度
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水热法制备掺Fe^3+纳米TiO2粉体及其光学行为研究 认领
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作者 薛丹林 黄金亮 +2 位作者 宁向梅 顾永军 李新利 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期39-44,共6页
以钛酸丁酯为前驱体,冰乙酸和无水乙醇为溶剂,以Fe(NO3)·9H2O为掺杂剂,采用水热法制备出Fe掺杂纳米二氧化钛粉体。通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对样品的晶型结构、微观形貌和光学行为... 以钛酸丁酯为前驱体,冰乙酸和无水乙醇为溶剂,以Fe(NO3)·9H2O为掺杂剂,采用水热法制备出Fe掺杂纳米二氧化钛粉体。通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对样品的晶型结构、微观形貌和光学行为等进行表征,研究水热反应温度、时间、Fe^3+的掺杂量对TiO2粉体的影响。结果表明:随着水热处理时间、温度和Fe^3+掺杂量的变化,所得粉体均为锐钛矿相TiO2纳米粉体,没有出现其他杂相。通过掺杂,XRD射线衍射峰强度有所降低,TiO2晶粒生长受到抑制,晶粒平均粒径为10nm左右。Fe^3+掺杂量为摩尔分数1%时,纳米TiO2光吸收强度最强。 展开更多
关键词 水热法 TIO2粉体 掺杂 光吸收 禁带宽度 钛酸丁酯
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电子材料 认领
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《新材料产业》 2019年第1期82-84,共3页
新型超材料将有效提升光通信和计算能力科学家们很早就知道超材料能够操纵诸如可见光之类的电磁波,使其表现出一些特殊的性能。这些特殊的性能促使了许多技术的突破,例如超高分辨率成像技术等。现在,马萨诸塞大学洛威尔分校作为研究小... 新型超材料将有效提升光通信和计算能力科学家们很早就知道超材料能够操纵诸如可见光之类的电磁波,使其表现出一些特殊的性能。这些特殊的性能促使了许多技术的突破,例如超高分辨率成像技术等。现在,马萨诸塞大学洛威尔分校作为研究小组的一部分,正把光操纵技术引向新的方向。研究团队包括马萨诸塞大学洛威尔分校、伦敦国王学院、巴黎狄德罗大学和哈特福德大学,研究小组发明了一种新的超材料. 展开更多
关键词 电子封装材料 SiC GaN 氧化镓 禁带宽度 功率半导体器件 三菱电机 半导体材料 半导体产业链 捕获电子
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