期刊文献+
共找到21篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
纳米场效应晶体管生物传感器在肿瘤早期检测中的应用
1
作者 尹长青 许壁榆 +2 位作者 罗振钊 熊阿莉 郑超 《武汉大学学报:医学版》 CAS 2019年第4期586-591,共6页
肿瘤的早期检测对于肿瘤的早期发现、诊断及治疗具有重要意义。基于硅纳米线、石墨烯、二硫化钼的纳米场效应晶体管生物传感器,由于灵敏度高和特异性好、分析速度快、免标记、廉价、能够微型化和一体化等优点,能够检测肿瘤相关标志物微... 肿瘤的早期检测对于肿瘤的早期发现、诊断及治疗具有重要意义。基于硅纳米线、石墨烯、二硫化钼的纳米场效应晶体管生物传感器,由于灵敏度高和特异性好、分析速度快、免标记、廉价、能够微型化和一体化等优点,能够检测肿瘤相关标志物微RNA和蛋白质等,在肿瘤的早期检测中可以发挥重要作用。 展开更多
关键词 纳米场效应晶体管 生物传感器 肿瘤 早期检测
基于CNFET的三输入Majority门电路设计
2
作者 汪扬杰 夏银水 《无线通信技术》 2018年第2期57-62,共6页
Majority(MAJ)运算和反相(INV)运算组成完备集,数字逻辑电路可以用基于"MAJ/INV"的MI(Majority-Inverter)逻辑来实现。三输入MAJ门是MI逻辑电路的一种基本门电路单元。本文设计了一种基于碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube... Majority(MAJ)运算和反相(INV)运算组成完备集,数字逻辑电路可以用基于"MAJ/INV"的MI(Majority-Inverter)逻辑来实现。三输入MAJ门是MI逻辑电路的一种基本门电路单元。本文设计了一种基于碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的三输入MAJ门电路,并用所设计的MAJ门实现三个多输入组合逻辑电路。实验结果表明,在采用相同的器件和工艺的条件下,与现有的设计相比,所设计的MAJ门在功耗和功耗延时积上的改进最高分别达到32.5%和45.3%。 展开更多
关键词 Majority-Inverter逻辑 Majority门 纳米场效应晶体管 功耗 功耗延时积
基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计 预览 被引量:1
3
作者 龚道辉 汪鹏君 +1 位作者 康耀鹏 张会红 《华东理工大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期248-253,共6页
通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器... 通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;其次结合输入输出信号分离方法,提高放大差分信号速度;然后利用使能信号控制电路状态,降低三值灵敏放大器功耗。采用32nm CNFET标准模型库进行HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确;芯片成品率高达96.48%,具有较强的稳定性,且与利用CMOS设计的二值灵敏放大器相比工作速度提高64%,功耗降低83.4%。 展开更多
关键词 纳米场效应晶体管 三值灵敏放大器 成品率 高速低功耗
在线阅读 下载PDF
基于CNFET的单端口三值SRAM单元设计 预览 被引量:2
4
作者 龚道辉 汪鹏君 康耀鹏 《电子技术应用》 北大核心 2016年第7期34-37,共4页
通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和多值存储原理的研究,提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器,并采用交叉耦合方式实现三值数据... 通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和多值存储原理的研究,提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器,并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储;其次结合读写共用的单端口方法,减少互连线数量;然后采用隔离和切断交叉耦合技术,增强三值数据存储的稳定性;最后通过HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确,且与传统CMOS设计的三值SRAM相比读写速度提高24%。 展开更多
关键词 纳米场效应晶体管 单端口 三值SRAM 多值逻辑
在线阅读 下载PDF
一种CNFET的多位三值比较器设计 预览 被引量:2
5
作者 唐伟童 汪鹏君 王谦 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期139-143,156共6页
针对三值比较器速度慢和功耗高的问题.在研究多值逻辑电路工作原理和比较器电路结构的基础上,提出一种碳纳米场效应晶体管的新型多位三值比较器.该电路首先将三值译码信号输入到比较器中,然后对比较结果进行编码转换,最后将各个模... 针对三值比较器速度慢和功耗高的问题.在研究多值逻辑电路工作原理和比较器电路结构的基础上,提出一种碳纳米场效应晶体管的新型多位三值比较器.该电路首先将三值译码信号输入到比较器中,然后对比较结果进行编码转换,最后将各个模块组合为多位三值比较器.实验结果证明其具有正确的逻辑功能,较快的速度和低功耗特性. 展开更多
关键词 多值逻辑 纳米场效应晶体管 低功耗 比较器 编译码
在线阅读 下载PDF
基于CNFET的低功耗三值门电路设计 预览 被引量:5
6
作者 唐伟童 汪鹏君 郑雪松 《宁波大学学报:理工版》 CAS 2014年第3期43-49,共7页
通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor, CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指... 通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor, CNFET)的研究,提出一种基于CNFET的低功耗三值门电路设计方案.该方案在分析CNFET结构及其不同尺寸的碳纳米管对应于不同阈值电压特性的基础上,以多值逻辑理论为指导,设计基于CNFET的三值反相器、与非门、或非门等单元门电路,最后利用HSPICE对所设计的电路进行仿真.结果表明:所设计电路具有正确的逻辑功能,与传统三值门电路相比,三值CNFET门电路平均传输速度提高52.7%,平均能耗节省54.9%. 展开更多
关键词 低功耗 纳米场效应晶体管 多值逻辑 门电路
在线阅读 免费下载
一维硅锗纳米复合材料的制备及在场效应晶体管中的应用 预览
7
作者 裴立宅 赵海生 +1 位作者 谭伟 俞海云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A06期 2323-2326,共4页
一维硅锗纳米复合材料,主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管,具有优异的电学、光学等性能,易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容,所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。总结了一维硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法,重点... 一维硅锗纳米复合材料,主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管,具有优异的电学、光学等性能,易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容,所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。总结了一维硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法,重点评述了在纳米场效应晶体管中的应用,并对其研究前景做了展望。 展开更多
关键词 硅锗 一维纳米复合材料 制备 纳米场效应晶体管 应用
在线阅读 下载PDF
一种在硅材料表面组装金纳米颗粒的新方法 预览
8
作者 张栋 肖淼 +2 位作者 马迅 程国胜 张兆春 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期25-28,50共5页
以氯金酸、L-半胱氨酸为反应试剂,利用内电流和金硫自组装效应,在硅材料表面组装了较为均一的金纳米颗粒,并利用荧光分析与硅纳米线场效应晶体管对该方法进行了相关验证。结果表明:经氢氟酸处理后的硅材料,在氯金酸和L-半胱氨酸混合溶... 以氯金酸、L-半胱氨酸为反应试剂,利用内电流和金硫自组装效应,在硅材料表面组装了较为均一的金纳米颗粒,并利用荧光分析与硅纳米线场效应晶体管对该方法进行了相关验证。结果表明:经氢氟酸处理后的硅材料,在氯金酸和L-半胱氨酸混合溶液中反应3min可在硅表面得到较为均匀、稳定的金纳米颗粒层,其中,氯金酸浓度为0.5mmol/L,氯金酸和L-半胱氨酸浓度比为3∶1。荧光分析表明该方法组装的金颗粒表面已氨基功能化,使得金纳米颗粒修饰的硅材料在应用于生物检测时可直接醛基化修饰蛋白,简化了实验操作。同时,该方法可以在硅纳米线场效应晶体管中特异性组装金纳米颗粒,有力地支持了相关器件在疾病检测方面的应用。 展开更多
关键词 纳米颗粒 硅材料 荧光分析 纳米线场效应晶体管
在线阅读 免费下载
基于CNFET的高性能三值SRAM-PUF电路设计 预览
9
作者 汪鹏君 龚道辉 +1 位作者 张会红 康耀鹏 《电子学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期1090-1095,共6页
通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical Unclonable Functions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随... 通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical Unclonable Functions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随机电流,并对其电流进行失配分析;然后结合三值SRAM单元的电流竞争得到随机的、不可克隆的三值输出信号“0”、“1”和“2”.在32nm CNFET标准模型库下,采用HSPICE对所设计的三值SRAM-PUF电路进行Monte Carlo仿真,分析其随机性、唯一性等性能.模拟结果表明所设计的三值SRAM-PUF电路归一化随机性偏差和唯一性偏差均为0.03%,且与传统二值CMOS设计的PUF电路相比工作速度提高33%,激励响应对数量为原来的(1.5)n倍. 展开更多
关键词 纳米场效应晶体管 三值逻辑 SRAM-PUF 随机性 唯一性
在线阅读 下载PDF
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展 预览
10
作者 肖德元 张汝京 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期87-98,共12页
迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所... 迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。 展开更多
关键词 摩尔定律 CMOS器件 无结场效应 量子阱场效应晶体管 纳米场效应晶体管 石墨烯场效应晶体管 二维半导体场效应晶体管 真空沟道场效应
在线阅读 下载PDF
基于Pd/SWNT/Al结构的场效应晶体管的研究 被引量:1
11
作者 钟汉清 陈长鑫 +4 位作者 刘晓东 魏良明 苏言杰 张丽英 张亚非 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期435-438,共4页
碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET)。文章提出并研究了一种非对称接触的单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET),并对其电学特性进行了表征。在该器件中,SWNT被作为FET的沟... 碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET)。文章提出并研究了一种非对称接触的单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET),并对其电学特性进行了表征。在该器件中,SWNT被作为FET的沟道,两种不同功函数的金属被用来与SWNT形成肖特基接触;SWNT一端与低功函数金属Al形成源极,另一端与高功函数金属Pd形成漏极。该类器件可应用于下一代纳米集成电路中。 展开更多
关键词 纳米 肖特基接触 电子束光刻 纳米场效应晶体管 整流特性
碳纳米管场效应晶体管用于大肠杆菌检测的研究
12
作者 符晓龙 杨丹娜 +1 位作者 谌志强 李赛 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期192-194,共3页
采用连接分子1-芘丁酸琥珀酰亚胺酯(PASE)和大肠杆菌抗体对碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)进行修饰,制备出针对大肠杆菌检测的生物传感器。通过扫描电镜发现有连接分子修饰的CNTFET对大肠杆菌有很好的吸附效果,且根据检测大肠杆菌过... 采用连接分子1-芘丁酸琥珀酰亚胺酯(PASE)和大肠杆菌抗体对碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)进行修饰,制备出针对大肠杆菌检测的生物传感器。通过扫描电镜发现有连接分子修饰的CNTFET对大肠杆菌有很好的吸附效果,且根据检测大肠杆菌过程中CNTFET源漏电极之间电阻的变化特点,发现仅有连接分子修饰的CNTFET对大肠杆菌有很好的响应效果。另外,用CNTFET检测不同浓度的大肠杆菌时,随着大肠杆菌浓度的增加,源漏电极之间的电阻也越来越大,证明了以CNTFET为基础的生物传感器检测大肠杆菌的可能性。 展开更多
关键词 纳米场效应晶体管 生物传感器 大肠杆菌
单壁碳纳米管束的排布 预览
13
作者 杨丹娜 王林 +3 位作者 张潇娴 王东卫 谌志强 李赛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期 103-107,共5页
流体排布法是实现碳纳米管定向排列的一种简单的方法。采用流体排布法在具有浸润性图案化的基底上成功地对单壁碳纳米管(SWNTs)束进行了水平方向上的排布。将SWNTs悬浮液滴入光刻胶制成的微通道中,在流体剪切力作用下,弯曲的SWNTs在... 流体排布法是实现碳纳米管定向排列的一种简单的方法。采用流体排布法在具有浸润性图案化的基底上成功地对单壁碳纳米管(SWNTs)束进行了水平方向上的排布。将SWNTs悬浮液滴入光刻胶制成的微通道中,在流体剪切力作用下,弯曲的SWNTs在一定程度上会被拉伸并且平行地排列在纳米级宽度的微通道中。将排列好的SWNTs阵列转移到一些不同间距的金电极对上面,制作成碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。CNTFET的电性能测试结果表明,制备的SWNTs束可以制造出不同电极间距同时具有良好电性能的CNTFET。 展开更多
关键词 单壁纳米 微通道 毛细 纳米场效应晶体管
在线阅读 下载PDF
基于非平衡Green函数理论的峰值掺杂-低掺杂漏结构碳纳米管场效应晶体管输运研究 被引量:2
14
作者 刘兴辉 张俊松 +6 位作者 王绩伟 敖强 王震 马迎 李新 王振世 王瑞玉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期 384-390,共7页
为改善碳纳米管场效应晶体管的性能,将一种峰值掺杂一低掺杂漏(HALO-LDD)掺杂结构引入碳纳米管沟道.在量子力学非平衡Green函数理论框架内,通过自洽求解Poisson方程和Schr6dinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的碳纳米管场效应管... 为改善碳纳米管场效应晶体管的性能,将一种峰值掺杂一低掺杂漏(HALO-LDD)掺杂结构引入碳纳米管沟道.在量子力学非平衡Green函数理论框架内,通过自洽求解Poisson方程和Schr6dinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的碳纳米管场效应管的输运模型,该模型可实现场效应晶体管的输运性质与碳纳米管手性指数的对接.利用该模型研究了单HALO双LDD掺杂结构对碳纳米管场效应晶体管输运特性的影响.对比分析表明,这种非均匀掺杂结构的场效应管同本征碳纳米管沟道场效应晶体管相比,具有更低的泄漏电流、更大的电流开关比、更小的亚阈区栅电压摆幅,表明其具有更好的栅控能力;具有更小的漏源电导,更适合应用于模拟集成电路中;具有更小的阈值电压漂移,表明更能抑制短沟道效应.同本征沟道碳纳米管场效应晶体管相比,这种非均匀掺杂碳纳米管场效应晶体管在沟道区靠近源端位置,电场强度增大,有利于增大电子的传输速率;在沟道区靠近漏端位置,电场强度减小,更有利于抑制热电子效应. 展开更多
关键词 非平衡Green函数 纳米场效应晶体管 短沟道效应 热电子
碳纳米管场效应晶体管在生物传感器中的应用
15
作者 杨丹娜 王林 +1 位作者 谌志强(综述) 李赛(审校) 《生物医学工程学杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期 1242-1245,共4页
随着禽流感、甲流和其他疾病的出现,发展快速、实时、免标记的生物传感器在早期发现和治疗各种疾病方面有重要的作用。由于单壁碳纳米管(SWNTs)具有独特的一维纳米结构、特殊的电性能、良好的生物相容性和尺寸相容性,这些优点使其... 随着禽流感、甲流和其他疾病的出现,发展快速、实时、免标记的生物传感器在早期发现和治疗各种疾病方面有重要的作用。由于单壁碳纳米管(SWNTs)具有独特的一维纳米结构、特殊的电性能、良好的生物相容性和尺寸相容性,这些优点使其在生物传感器领域有巨大的潜力。本文综述了近年来碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)作为免标记的生物传感器在检测各种生物大分子,如蛋白质、酶、DNA、癌细胞、病毒、糖类物质等方面的应用。 展开更多
关键词 纳米 纳米场效应晶体管 生物传感器
单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究 预览
16
作者 黄改燕 陈长鑫 张亚非 《微纳电子技术》 CAS 2008年第2期 78-82,共5页
综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备... 综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管(SWCNT)的烧除、接触电阻大、滞后现象以及P型CNTFET转化等问题,并针对这些问题提出了具体可行的解决方案。 展开更多
关键词 单壁纳米 纳米场效应晶体管 肖特基势垒 超声纳米焊接 原位生长
在线阅读 下载PDF
碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究 预览 被引量:1
17
作者 袁寿财 刘亚媚 《电子器件》 CAS 2008年第5期 1523-1528,共6页
由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体... 由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化。 展开更多
关键词 纳米场效应晶体管 弹道输运 器件模拟 量子效应 半导体器件模型 超薄衬底
在线阅读 下载PDF
碳纳米管及其应用 预览 被引量:2
18
作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2003年第9期 34-36,共3页
介绍碳纳米管的独特性能及其应用,如优良的导电性能和场发射性能等。
关键词 纳米 纳米场效应晶体管 纳米致发射显示器
在线阅读 下载PDF
碳纳米管/金属接触改善方法的研究进展 预览 被引量:3
19
作者 陈长鑫 金铁凝 张亚非 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期 449-457,共9页
碳纳米管(CNT)由于其独特结构和优异特性已被广泛用来构筑各种纳米器件.而CNT与电极间的接触在CNT器件中扮演着重要的作用,是器件性能的关键影响因素.采用何种有效的方法来改善CNT与金属电极间的接触一直是CNT器件研究中的一个重... 碳纳米管(CNT)由于其独特结构和优异特性已被广泛用来构筑各种纳米器件.而CNT与电极间的接触在CNT器件中扮演着重要的作用,是器件性能的关键影响因素.采用何种有效的方法来改善CNT与金属电极间的接触一直是CNT器件研究中的一个重要方面.本文综述了近年来CNT/金属接触改善方法的研究进展,结合本课题组的研究对目前有代表性的接触改善方法进行介绍.阐述了各种改善方法的原理和加工工艺,讨论了采用这些方法获得的接触特性和器件性能,并对各方法的特点进行了比较. 展开更多
关键词 纳米(CNT) 纳米/金属接触 接触电阻 纳米场效应晶体管(CNTFET) 综述
在线阅读 下载PDF
GNRFET双极特性及工作区域研究 被引量:2
20
作者 张亚军 常胜 +2 位作者 王高峰 黄启俊 王豪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第7期438-443,477共7页
石墨烯器件作为下一代纳米电子器件的有力竞争者受到广泛关注,但对其器件工作机理的研究尚不透彻。对石墨烯纳米带场效应晶体管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)的双极特性进行了研究,分析了偏置电压对GNRFET转... 石墨烯器件作为下一代纳米电子器件的有力竞争者受到广泛关注,但对其器件工作机理的研究尚不透彻。对石墨烯纳米带场效应晶体管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)的双极特性进行了研究,分析了偏置电压对GNRFET转移特性和输出特性的影响,发现除已被关注到的栅电压外,源漏电压对GNRFET的双极特性亦有作用,并将两者综合考虑才能全面反映GNRFET的工作状态。在此基础上,进一步提出了工作区域的概念,将GNR-FET的工作区域划分为空穴导电区、电子导电区、转变区和截止区,为GNRFET器件的应用和电路设计提供指导。 展开更多
关键词 石墨烯纳米场效应晶体管(GNRFET) 双极特性 转移特性 输出特性 工作区域
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈