期刊文献+
共找到41篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
磷化铟的化学机械抛光技术研究进展
1
作者 孙世孔 路家斌 阎秋生 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第3期201-210,共10页
磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层... 磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响磷化铟基器件的性能。综述了磷化铟晶体化学机械抛光(CMP)技术进展;介绍了磷化铟表面的化学反应原理、CMP去除机理;详细分析了磷化铟抛光液组分及pH值、抛光工艺参数(抛光压力、抛光盘转速、抛光垫特性、磨料种类、粒径及浓度)等对磷化铟抛光质量的影响;介绍了磷化铟抛光片的清洗工艺,并对磷化铟CMP的后续研究方向提出一些建议。 展开更多
关键词 磷化铟 化学机械抛光(CMP) 抛光机 抛光 加工工艺
化学机械抛光工艺参数对氧化锆陶瓷抛光速率的影响 预览
2
作者 王光灵 刘卫丽 +3 位作者 刘宇翔 孔慧 霍军朝 宋志棠 《表面技术》 CSCD 北大核心 2018年第9期266-271,共6页
目的探究Si02磨料固含量、抛光垫和下压力等工艺参数对氧化锆陶瓷化学机械抛光速率的影响和作用机理。方法采用粒径为80nm的钠型稳定型硅溶胶,氢氧化钠溶液作为pH调节剂,将硅溶胶pH调至为10。通过CP-4抛光设备进行氧化锆陶瓷抛光实验及... 目的探究Si02磨料固含量、抛光垫和下压力等工艺参数对氧化锆陶瓷化学机械抛光速率的影响和作用机理。方法采用粒径为80nm的钠型稳定型硅溶胶,氢氧化钠溶液作为pH调节剂,将硅溶胶pH调至为10。通过CP-4抛光设备进行氧化锆陶瓷抛光实验及摩擦系数采集,采用黏度测试仪测试不同固含量硅溶胶的黏度,采用扫描电子显微镜分析了SUBA系列两种抛光垫的微观结构。结果硅溶胶固含量为37%时,抛光速率最快,达到54.3nm/min,此时摩擦系数最小,为0.1501。随着固含量的增加,摩擦系数小幅增加,并稳定在0.1540附近。硅溶胶固含量高于37%的抛光机制是流体力学作用的结果,固含量低于37%的抛光机制是流体力学和机械力共同作用的结果。扫描电镜下观察发现,SUBA800抛光垫的孔隙尺寸比SUBA600抛光垫的孔隙尺寸小,使用前者的抛光速率快于后者,抛光速率相差10nm/min。因为孔隙多改变了硅溶胶和抛光垫的接触机制,增大了切应力和摩擦系数,机械作用力加强,从而加快了抛光速率。摩擦系数与下压力没有关系,下压力小于3.5psi时,抛光速率符合Preston方程。结论对氧化锆陶瓷进行化学机械抛光处理,固含量在37%时,抛光速率最快。SUBA800抛光垫相比SUBA600抛光垫,更适合氧化锆陶瓷抛光。下压力小于3.5psi时,抛光速率符合Preston方程行为,且摩擦系数和下压力没有关系。 展开更多
关键词 化学机械抛光 氧化锆陶瓷 SI02 抛光机 抛光 固含量
在线阅读 免费下载
金属材料表面的电子束抛光研究进展 被引量:1
3
作者 戴伟 郑志镇 +1 位作者 李建军 黄齐文 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期582-596,共15页
电子束技术应用于金属材料表面的抛光,作为一种新型的材料加工工艺,具有抛光效率高、材料去除效果好、抛光表面性能优良等优点。本文在探讨电子束抛光(EBP)技术机理的基础上,介绍了国内外EBP技术所使用的材料和设备类型,给出了EBP技... 电子束技术应用于金属材料表面的抛光,作为一种新型的材料加工工艺,具有抛光效率高、材料去除效果好、抛光表面性能优良等优点。本文在探讨电子束抛光(EBP)技术机理的基础上,介绍了国内外EBP技术所使用的材料和设备类型,给出了EBP技术的数值模型,分析了工件材料、脉冲电压、能量密度和脉冲次数等不同的因素对EBP的影响规律。在总结EBP技术的优点和缺点的基础上,对EBP金属材料的现状和发展方向进行了评价和展望。 展开更多
关键词 电子束 金属表面 抛光机 影响因素
化学辅助软性磨粒流抛光技术 预览
4
作者 马宝丽 计时鸣 谭大鹏 《轻工机械》 CAS 2014年第1期115-118,共4页
针对当前模具结构化表面抛光难度大的问题,提出了一种新型的光整加工技术--化学辅助软性磨粒流抛光。阐述了化学抛光、软性磨粒流抛光的工作原理以及相互协调作用机理,对化学抛光液中各组分的抛光作用进行分析,探讨了软性磨粒流中流... 针对当前模具结构化表面抛光难度大的问题,提出了一种新型的光整加工技术--化学辅助软性磨粒流抛光。阐述了化学抛光、软性磨粒流抛光的工作原理以及相互协调作用机理,对化学抛光液中各组分的抛光作用进行分析,探讨了软性磨粒流中流体的速度、磨粒的粒径与体积含量3个主要工艺参数对材料去除率的影响规律,提出固液两相流场的数值模拟、环保型化学液的配置以及理论模型的建立是3个关键技术,最后对化学辅助软性磨粒流抛光应用前景进行展望。 展开更多
关键词 软性磨粒流抛光 化学抛光 抛光机 结构化表面
在线阅读 下载PDF
二氧化铈浆料抛光机理的研究进展 被引量:5
5
作者 刘军 宋晓岚 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期 68-73,共6页
由于具有抛光速率快、选择性好、自动停止等特点,二氧化铈浆料被广泛用于材料的表面抛光处理,但抛光机理研究的相对滞后严重制约其物化改性和推广。针对这一现状,本文介绍了二氧化铈浆料抛光过程中的物理作用及化学作用,总结了化学机械... 由于具有抛光速率快、选择性好、自动停止等特点,二氧化铈浆料被广泛用于材料的表面抛光处理,但抛光机理研究的相对滞后严重制约其物化改性和推广。针对这一现状,本文介绍了二氧化铈浆料抛光过程中的物理作用及化学作用,总结了化学机械抛光机理,并对今后研究方向提出了展望。 展开更多
关键词 二氧化铈 抛光机 作用 化学作用 化学机械抛光
二维超声无磨料抛光机理研究 预览 被引量:1
6
作者 蒋建军 郑建新 刘传绍 《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2012年第5期 89-92,共4页
根据二维超声振动无磨料抛光过程,从变速特性、占空率、工件表层金属的变形、能量集中效应、抗振性和摩擦性质等方面研究了二维超声无磨料抛光加工机理。
关键词 二维超声无磨料抛光 表面质量 抛光机
在线阅读 下载PDF
碳化硅光学表面抛光机理研究 被引量:3
7
作者 范镝 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2012年第2期 127-130,共4页
碳化硅光学反射镜已经在国民生活各个领域得到广泛应用,但是其抛光机理尚不明确。对碳化硅光学表面抛光机理进行了研究。介绍了陶瓷材料的磨削机理——压痕断裂模型。应用压痕断裂模型分析了理想状态下的碳化硅抛光过程,并研究了实际抛... 碳化硅光学反射镜已经在国民生活各个领域得到广泛应用,但是其抛光机理尚不明确。对碳化硅光学表面抛光机理进行了研究。介绍了陶瓷材料的磨削机理——压痕断裂模型。应用压痕断裂模型分析了理想状态下的碳化硅抛光过程,并研究了实际抛光过程中碳化硅光学表面的抛光机理。 展开更多
关键词 光学制造 抛光机 碳化硅 压痕断裂模型
不锈钢超精抛光蜡的研制 预览 被引量:2
8
作者 朱永华 潘国顺 刘岩 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期47-49,共3页
目前,国产不锈钢超精抛光蜡不能满足市场需求,对其配方研制报道较少。为此,对不锈钢粗抛光后,采用超精抛光蜡进行精抛光,对其组分进行了筛选:以仪型氧化铝粉为抛光磨料;以混合硬脂酸作抛光内脂;利用油酸的润滑作用降低不锈钢表... 目前,国产不锈钢超精抛光蜡不能满足市场需求,对其配方研制报道较少。为此,对不锈钢粗抛光后,采用超精抛光蜡进行精抛光,对其组分进行了筛选:以仪型氧化铝粉为抛光磨料;以混合硬脂酸作抛光内脂;利用油酸的润滑作用降低不锈钢表面的抛光温度,利用三乙醇胺与有机酸的皂化反应生成物润滑和清洁不锈钢表面;利用松香和石油磺酸钡提高不锈钢表面的光泽度。获得的抛光蜡最佳组成:22.5g硬脂酸,4.5g油酸,0.5g三乙醇胺,0.5g石油磺酸钡,2.5g水白氢化松香,69.5g氧化铝粉。经该超精抛光蜡抛光后不锈钢表面光泽度可达690.6。不锈钢超精抛光蜡的抛光机理:硬脂酸在铁表面产生化学吸附形成单分子层硬脂酸铁皂膜,该润滑膜在金属表面附着力大,使边界润滑能力大为提高,从而消除了氧化铝粉体磨削过程中可能带来的微细划痕。 展开更多
关键词 超精抛光 不锈钢 光泽度 抛光机
在线阅读 下载PDF
钛基片的化学机械抛光技术研究 预览 被引量:1
9
作者 戴媛静 裴惠芳 +1 位作者 潘国顺 刘岩 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期131-136,共6页
采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表... 采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除. 展开更多
关键词 钛基片 化学机械抛光 纳米级粗糙度 抛光机
在线阅读 免费下载
化学机械抛光压力控制技术研究 预览 被引量:4
10
作者 刘涛 高慧莹 +1 位作者 张领强 陈学森 《电子工业专用设备》 2010年第9期 9-13,22,共6页
概述了化学机械抛光技术的发展现状,讨论分析了主要工艺参数对抛光机理的影响。重点论述了化学机械抛光工艺中不同压力控制方法及其技术特点,提出了一种新的压力控制方案,并通过实验验证了该控制技术的先进性。
关键词 化学机械抛光 抛光机 压力控制
在线阅读 下载PDF
Mg-Al合金化学机械抛光中表面状态的研究 预览 被引量:2
11
作者 张研 刘玉岭 +3 位作者 牛新环 梁蒲 肖文明 阎宝华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期 75-78,共4页
化学机械抛光(CMP)可以获得高精度、低表面粗糙度和无损伤工件表面,并可实现全局平坦化。将CMP技术拓展到Mg-Al合金表面加工中,研究了Mg-Al合金化学机械抛光机理,分析了Mg-Al合金化学机械抛光中pH值、压力、流量、转速等参数对Mg-A... 化学机械抛光(CMP)可以获得高精度、低表面粗糙度和无损伤工件表面,并可实现全局平坦化。将CMP技术拓展到Mg-Al合金表面加工中,研究了Mg-Al合金化学机械抛光机理,分析了Mg-Al合金化学机械抛光中pH值、压力、流量、转速等参数对Mg-Al合金表面状态的影响。结果表明,当pH值为11.20,压力为0.06MPa,流量200mL/min,转速60r/min,用Olympus显微镜观察Mg-Al合金表面状态良好。这一结果为进一步采用化学机械抛光法加工Mg-Al合金奠定了基础。 展开更多
关键词 镁铝合金 化学机械抛光 抛光机 表面状态
在线阅读 下载PDF
化学气相沉积碳化硅超光滑抛光机理与表面粗糙度影响因素 预览
12
作者 康念辉 李圣怡 郑子文 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期 89-94,共6页
为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行... 为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究。研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低最终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大。研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据。 展开更多
关键词 化学气相沉积碳化硅 纳米划痕试验 抛光机 表面粗糙度
在线阅读 下载PDF
ULSI制造中Cu的电化学机械抛光 预览 被引量:2
13
作者 储向峰 白林山 李玉琢 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第2期 115-118,共4页
电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械... 电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流量对抛光速率的影响,发现在抛光电压为4.7V、流量为150~200mL/min、抛光台转速为30~40r/min、抛光压力为3.45kPa时能达到较好的抛光速率。考察了抛光电压对图案晶圆片上台阶高度减小效率的影响,发现台阶高度减小效率随抛光电压增大而减小,并且对抛光机理做了初步分析。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 电化学机械抛光 化学机械抛光 抛光机
在线阅读 下载PDF
超声无磨料抛光机理研究 预览 被引量:4
14
作者 李义辉 刘传绍 《现代机械》 2009年第6期 81-83,共3页
介绍了超声抛光的优缺点,重点从超声无磨料抛光脉冲特点和能量集中效应、工艺系统的刚化、工件表层金属的变形及超声振动改变抛光过程的摩擦性质四个方面探讨了超声无磨料抛光机理。并与常规挤压抛光进行了对比分析。
关键词 超声振动 无磨料抛光 抛光机 表面质量
在线阅读 下载PDF
化学机械抛光技术研究进展 预览 被引量:34
15
作者 宋晓岚 李宇焜 +2 位作者 江楠 屈一新 邱冠周 《化工进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期 26-31,共6页
通过回顾化学机械抛光技术的发展历史,概述了化学机械抛光作用机制与实际应用情况,着重阐述了几种重要抛光浆料(如CeO2、SiO2、Al2O3抛光浆料)的优缺点、抛光机理及其国内外新近制备方法,进一步展望了化学机械抛光技术的发展前景与新... 通过回顾化学机械抛光技术的发展历史,概述了化学机械抛光作用机制与实际应用情况,着重阐述了几种重要抛光浆料(如CeO2、SiO2、Al2O3抛光浆料)的优缺点、抛光机理及其国内外新近制备方法,进一步展望了化学机械抛光技术的发展前景与新型抛光浆料的开发方向。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光浆料 抛光机
在线阅读 免费下载
镁合金抛光机理与CMP工艺研究 预览 被引量:5
16
作者 陈景 刘玉岭 +3 位作者 王晓云 王立发 马振国 武亚红 《微纳电子技术》 CAS 2008年第2期 114-117,122,共5页
将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,不利于抛光的进行,因此提出无氧化... 将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,不利于抛光的进行,因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光。同时分析了镁合金的抛光机理,抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响,利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察,通过合理控制工艺参数,能够得到较佳的镁合金抛光表面,远优于单一的机械加工,为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础。 展开更多
关键词 镁合金(MB2) 化学机械抛光 抛光机 抛光速率 抛光
在线阅读 下载PDF
磨料水射流抛光技术的研究现状 被引量:3
17
作者 车翠莲 黄传真 +2 位作者 朱洪涛 李全来 刘丽芳 《磨料磨具通讯》 2007年第11期 8-9,共2页
磨料水射流抛光是新出现的一种精密加工技术。本文综述了国内外学者对磨料水射流抛光技术的研究情况,介绍了磨料水射流抛光机理和各工艺参数对抛光效果的影响,指出了目前磨料水射流抛光加工中存在的问题。
关键词 磨料水射流 抛光技术 精密加工技术 抛光效果 工艺参数 抛光机 抛光加工 国内外
LBO晶体超光滑表面抛光机理 预览 被引量:4
18
作者 李军 朱镛 陈创天 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期 18-21,共4页
胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理。在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了... 胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理。在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系。LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液与晶体表面的活泼原子层发生化学反应形成过渡的软质层,软质层在磨料和抛光盘的作用下很容易被无损伤的去除。酸性条件下,随抛光液pH值的减小抛光材料的去除率增大;抛光液pH值为4时,获得最好的表面粗糙度。 展开更多
关键词 LBO晶体 化学机械抛光 超光滑表面 抛光机 材料去除
在线阅读 下载PDF
磨料水射流抛光技术的研究现状 预览 被引量:8
19
作者 车翠莲 黄传真 +2 位作者 朱洪涛 李全来 刘丽芳 《工具技术》 北大核心 2007年第10期 14-16,共3页
磨料水射流抛光是新出现的一种精密加工技术。本文综述了国内外学者对磨料水射流抛光技术的研究情况,介绍了磨料水射流抛光机理和各工艺参数对抛光效果的影响,指出了目前磨料水射流抛光加工中存在的问题。
关键词 磨料水射流抛光 抛光机 精密加工技术
在线阅读 免费下载
模具自由曲面抛光过程的分析与研究 预览 被引量:10
20
作者 丁金福 李伟 +1 位作者 虞付进 张克华 《模具工业》 北大核心 2006年第9期 66-70,共5页
针对模具自由曲面抛光中受几何、物理及力学等因素的影响,从抛光工具与自由曲面之间的接触及摩擦角度分析。深入研究自由曲面的抛光机理,并对影响抛光工艺过程的主要因素进行分析,探讨自由曲面抛光过程中获取高质量表面的方法。
关键词 模具 自由曲面 抛光机 抛光工艺
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈