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磨粒和抛光垫特性对蓝宝石超声化学机械抛光的影响 预览 被引量:1
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作者 钟敏 袁任江 +2 位作者 李小兵 陈建锋 许文虎 《中国表面工程》 CSCD 北大核心 2018年第6期125-132,共8页
抛光磨粒和抛光垫对蓝宝石超声化学机械抛光起重要作用,为研究磨粒和抛光垫特性对蓝宝石材料抛光效率和质量的影响,利用自制超声弯曲振动辅助化学机械抛光装置,研究金刚石、氧化铝和二氧化硅3种不同磨粒,以及表面多孔且无沟槽的聚氨酯... 抛光磨粒和抛光垫对蓝宝石超声化学机械抛光起重要作用,为研究磨粒和抛光垫特性对蓝宝石材料抛光效率和质量的影响,利用自制超声弯曲振动辅助化学机械抛光装置,研究金刚石、氧化铝和二氧化硅3种不同磨粒,以及表面多孔且无沟槽的聚氨酯抛光垫、IC1000抛光垫、IC1000和SubaⅣ复合抛光垫对蓝宝石材料去除率及抛光后表面粗糙度的影响。由质量损失求得的去除率和原子力显微镜表面形貌测试结果表明:二氧化硅抛光液的去除率3.2μm/h接近氧化铝抛光液去除率3.8μm/h,远大于金刚石抛光液去除率0.3μm/h,且其抛光后的蓝宝石表面光滑、无损伤;3种抛光垫抛光后的蓝宝石粗糙度接近,约0.10 nm,但聚氨酯抛光垫的去除率为3.2μm/h,远大于IC1000抛光垫的去除率1.9μm/h及复合垫的去除率1.6μm/h。二氧化硅抛光液和聚氨酯抛光垫适宜蓝宝石超声化学机械抛光工艺,可获得高去除率和原子级光滑表面。 展开更多
关键词 蓝宝石 超声弯曲振动 化学机械抛光 抛光 抛光
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化学机械抛光工艺参数对氧化锆陶瓷抛光速率的影响 预览
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作者 王光灵 刘卫丽 +3 位作者 刘宇翔 孔慧 霍军朝 宋志棠 《表面技术》 CSCD 北大核心 2018年第9期266-271,共6页
目的探究Si02磨料固含量、抛光垫和下压力等工艺参数对氧化锆陶瓷化学机械抛光速率的影响和作用机理。方法采用粒径为80nm的钠型稳定型硅溶胶,氢氧化钠溶液作为pH调节剂,将硅溶胶pH调至为10。通过CP-4抛光设备进行氧化锆陶瓷抛光实验及... 目的探究Si02磨料固含量、抛光垫和下压力等工艺参数对氧化锆陶瓷化学机械抛光速率的影响和作用机理。方法采用粒径为80nm的钠型稳定型硅溶胶,氢氧化钠溶液作为pH调节剂,将硅溶胶pH调至为10。通过CP-4抛光设备进行氧化锆陶瓷抛光实验及摩擦系数采集,采用黏度测试仪测试不同固含量硅溶胶的黏度,采用扫描电子显微镜分析了SUBA系列两种抛光垫的微观结构。结果硅溶胶固含量为37%时,抛光速率最快,达到54.3nm/min,此时摩擦系数最小,为0.1501。随着固含量的增加,摩擦系数小幅增加,并稳定在0.1540附近。硅溶胶固含量高于37%的抛光机制是流体力学作用的结果,固含量低于37%的抛光机制是流体力学和机械力共同作用的结果。扫描电镜下观察发现,SUBA800抛光垫的孔隙尺寸比SUBA600抛光垫的孔隙尺寸小,使用前者的抛光速率快于后者,抛光速率相差10nm/min。因为孔隙多改变了硅溶胶和抛光垫的接触机制,增大了切应力和摩擦系数,机械作用力加强,从而加快了抛光速率。摩擦系数与下压力没有关系,下压力小于3.5psi时,抛光速率符合Preston方程。结论对氧化锆陶瓷进行化学机械抛光处理,固含量在37%时,抛光速率最快。SUBA800抛光垫相比SUBA600抛光垫,更适合氧化锆陶瓷抛光。下压力小于3.5psi时,抛光速率符合Preston方程行为,且摩擦系数和下压力没有关系。 展开更多
关键词 化学机械抛光 氧化锆陶瓷 SI02 抛光机理 抛光 固含量
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动磁场磁流变效应抛光垫抛光力特性试验研究
3
作者 潘继生 于鹏 阎秋生 《机械工程学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期10-17,共8页
基于动磁场磁流变效应抛光方法,采用微型压电式传感器测试分析动磁场磁流变效应抛光垫法向抛光力特性,研究磁极转速、加工间隙、工件运动方式对动磁场磁流变效应抛光力的影响。结果表明,动磁场磁流变效应平面抛光法向力在抛光垫中心区... 基于动磁场磁流变效应抛光方法,采用微型压电式传感器测试分析动磁场磁流变效应抛光垫法向抛光力特性,研究磁极转速、加工间隙、工件运动方式对动磁场磁流变效应抛光力的影响。结果表明,动磁场磁流变效应平面抛光法向力在抛光垫中心区域最大,pv值在抛光垫的半径6 mm处最大;相对静磁场,在磁极转动的动磁场作用下磁流变抛光力和扭矩呈现大幅度波动的动态行为;动磁场磁流变效应抛光力受到磁极转速影响,大于15 r/min开始产生动磁场,在试验所测得的范围内,磁极转速30 r/min左右有最好效果;工件运动方式是影响磁流变抛光作用力的因素,当工件沿抛光盘径向往复偏摆时扭矩剧烈变化,沿抛光盘法向运动加工间隙减小时抛光法向力会瞬间急剧增大,最大峰值达到稳态值的25倍。 展开更多
关键词 动态磁场 磁流变抛光 法向力 扭矩 抛光
抛光垫特性对硬质合金刀片CMP加工效果的影响 预览 被引量:2
4
作者 毛美姣 吴锋 胡自化 《表面技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期270-276,共7页
目的研究不同种类的抛光垫对硬质合金刀片表面化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing/Planarization,CMP)加工过程的影响,为实现硬质合金刀片高效精密CMP加工提供有效参考。方法利用Nanopoli-100智能抛光机,通过自制的Al2O3抛光... 目的研究不同种类的抛光垫对硬质合金刀片表面化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing/Planarization,CMP)加工过程的影响,为实现硬质合金刀片高效精密CMP加工提供有效参考。方法利用Nanopoli-100智能抛光机,通过自制的Al2O3抛光液,分别采用9种不同种类的抛光垫对牌号为YG8的硬质合金刀片进行CMP实验,将0~40、40~80、80~120 min三个加工阶段获得的材料去除率和表面粗糙度进行对比,同时观察最佳的表面形貌,分析抛光垫特性对CMP加工效果的影响。结果在抛光转速60 r/min,抛光压力177.8 k Pa的实验条件下,9种不同类型的抛光垫中仅有5种适合用于YG8硬质合金CMP加工。而且抛光垫的表面粗糙度在YG8刀片CMP加工过程中的影响最为显著,抛光垫表面粗糙度越高,CMP加工的材料去除率越高。此外,抛光垫的使用时间对CMP过程也有影响,抛光垫使用时间越长,CMP的材料去除率越小。结论 YG8硬质合金刀片经5种不同类型抛光垫CMP加工后,其表面的烧伤、裂纹等缺陷均得到了极大改善。当使用细帆布加工40 min时,材料去除率最高,为47.105 nm/min;当使用细帆布加工80min时,表面粗糙度最低,为0.039μm。 展开更多
关键词 化学机械抛光 硬质合金刀片 抛光
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抛光垫磨损非均匀性研究 被引量:1
5
作者 唐咏凯 李军 +3 位作者 花成旭 仝浩呈 朱永伟 左敦稳 《光学技术》 CSCD 北大核心 2017年第3期222-227,共6页
抛光垫是化学机械抛光的重要组成部分,其磨损的非均匀性对被加工工件面型精度和抛光垫修整有重要影响。基于直线摆动式抛光方式,研究了抛光过程中抛光垫与工件的相对运动,建立了抛光垫磨损模型,分析了抛光工艺参数对抛光垫磨损及均匀性... 抛光垫是化学机械抛光的重要组成部分,其磨损的非均匀性对被加工工件面型精度和抛光垫修整有重要影响。基于直线摆动式抛光方式,研究了抛光过程中抛光垫与工件的相对运动,建立了抛光垫磨损模型,分析了抛光工艺参数对抛光垫磨损及均匀性的影响。研究结果表明,工件与抛光垫的转速比为1.11,正弦偏心直线摆动形式,摆动幅度系数为2,摆动频率系数在0.1~0.2之间,抛光垫表面磨损更均匀,并根据抛光垫表面磨损特性优化了抛光垫形状。优化的抛光垫具有更好的面型保持性,延长了修整间隔,为抛光工艺设计提供理论指导。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光 磨损 运动轨迹 非均匀性
聚氨酯抛光垫机械抛光钆镓石榴石晶片 预览
6
作者 张浩然 金洙吉 +1 位作者 王紫光 韩晓龙 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2017年第2期26-30,共5页
钆镓石榴石(gadolinium gallium garnet,GGG)晶片是一种性能优良的激光材料,但其在抛光后易产生划痕、效率低。为保证GGG晶片的平面度、提高抛光效率,同时控制划痕现象,使用聚氨酯抛光垫进行机械抛光,研究抛光压力、抛光盘转速对平面... 钆镓石榴石(gadolinium gallium garnet,GGG)晶片是一种性能优良的激光材料,但其在抛光后易产生划痕、效率低。为保证GGG晶片的平面度、提高抛光效率,同时控制划痕现象,使用聚氨酯抛光垫进行机械抛光,研究抛光压力、抛光盘转速对平面度和表面粗糙度的影响。研究表明:使用聚氨酯抛光垫可以有效避免加工过程中产生划痕。在载荷127g/cm2,转速70r/min的条件下,抛光30min后的平面度可达到226nm,表面粗糙度RMS可达到36.3nm;表面缺陷较小,可被后续化学机械抛光很快去除。 展开更多
关键词 钆镓石榴石(GGG)晶体 平面度 划痕 抛光
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抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响
7
作者 江自超 刘玉岭 +1 位作者 王辰伟 张凯 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第10期715-719,共5页
针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控。实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,... 针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控。实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,使用前期(抛光垫使用时间T。≤500pcs),铜膜平均去除速率稳定,粗抛一致性良好(片内非均匀性(WIWNU)为3.37%),粗抛后剩余膜厚范围小于60nm。使用后期(Tt〉500pcs),粗抛速率一致性较差,粗抛后剩余膜厚范围大于100nm。抛光垫修整能有效恢复抛光垫表面状态,采用在线同步修整技术,可以延长抛光垫使用寿命到750pcs以上。但是过长的修整时间不能保证铜膜良好的平均去除速率一致性,也会加大抛光垫磨损,降低使用寿命。 展开更多
关键词 抛光 使用寿命 实时表面形貌控制(RTPC)技术 平均去除速率一致性 同步在线修整
大口径平面抛光机精密转台设计 被引量:1
8
作者 赵则祥 何鑫 +3 位作者 于贺春 侯晓帅 赵惠英 王文博 《机械设计》 CSCD 北大核心 2016年第12期101-104,共4页
抛光是获得超精密表面的重要手段。在平面抛光过程中,抛光垫类型对应不同的抛光工艺参数,抛光垫的修整精度直接影响工件面形精度,转台对抛光垫的精度具有重要影响,因此,转台系统精度成为衡量一台平面抛光机床的重要技术指标。文中对适... 抛光是获得超精密表面的重要手段。在平面抛光过程中,抛光垫类型对应不同的抛光工艺参数,抛光垫的修整精度直接影响工件面形精度,转台对抛光垫的精度具有重要影响,因此,转台系统精度成为衡量一台平面抛光机床的重要技术指标。文中对适用于大口径平面抛光机的精密转台部件进行了优化设计,该转台具有高精度、高稳定性等特点。检测结果及实际应用表明,文中设计的精密数控转台能够满足大口径平面元件高精度、高效率抛光的需要。 展开更多
关键词 平面抛光 精密数控转台 面形精度 抛光
化学机械抛光中抛光垫技术专利文献综述 预览 被引量:1
9
作者 张宽 《重庆电子工程职业学院学报》 2016年第4期149-150,共2页
基于DWPI数据库,通过检索、统计和分析国内外CMP抛光垫技术专利申请文献,分析CMP抛光垫技术领域的研究现状,归纳总结CMP抛光技术的研究方向和研究结论,并展望CMP抛光垫技术的发展趋势。
关键词 抛光 化学机械 抛光 专利
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聚氨脂抛光垫表面开槽加工工艺研究 预览 被引量:2
10
作者 杨向东 陈文军 +2 位作者 李翠坤 陈泽茫 邓光星 《装备制造技术》 2016年第10期87-89,94共4页
介绍了化学机械抛光技术,重点分析了国产聚氨脂抛光垫表面结构的几何特征及其三种开槽加工工艺的效率与成本。通过检测及试验研究得出结论如下:国产聚氨酯抛光垫表面微孔都在70μm左右。国产聚氨酯抛光垫的孔隙率为62%左右;激光加工工... 介绍了化学机械抛光技术,重点分析了国产聚氨脂抛光垫表面结构的几何特征及其三种开槽加工工艺的效率与成本。通过检测及试验研究得出结论如下:国产聚氨酯抛光垫表面微孔都在70μm左右。国产聚氨酯抛光垫的孔隙率为62%左右;激光加工工艺是可以实现高速、高效、低成本化的聚氨酯抛光垫加工;对于宽度与深度为1mmx1mm的聚氨酯抛光垫沟槽的最佳工艺方案为选择40W激光功率的CO_2激光打标机一次加工成型;抛光垫的低成本化、国产化及其沟槽的结构将是未来CMP的研究方向之一。 展开更多
关键词 CMP 聚氨脂 抛光 开槽加工
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层间介质(ILD)CMP工艺分析 预览 被引量:1
11
作者 詹阳 周国安 +2 位作者 王东辉 杨元元 胡兴臣 《电子工业专用设备》 2016年第6期40-44,共5页
论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP... 论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技术要求,工艺流程和设备结构需求。 展开更多
关键词 层间介质 平整度 抛光 修整器
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聚氨酯/无纺布复合抛光垫的微结构控制及透水性能改进 被引量:1
12
作者 张晓丹 成惠民 +2 位作者 曹新宇 张京楠 马永梅 《塑料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期26-28,38共4页
化学机械抛光中,抛光垫的材料特性是影响抛光效率和光亮度的重要因素之一.聚氨酯抛光垫通常由聚氨酯和无纺布复合制备而成.具有微结构可调性能的聚氨酯抛光垫由改进后的两步法制得,无纺布浸渍聚氨酯浆料后,部分溶剂在水浴中去除,然后在... 化学机械抛光中,抛光垫的材料特性是影响抛光效率和光亮度的重要因素之一.聚氨酯抛光垫通常由聚氨酯和无纺布复合制备而成.具有微结构可调性能的聚氨酯抛光垫由改进后的两步法制得,无纺布浸渍聚氨酯浆料后,部分溶剂在水浴中去除,然后在烘箱中去除剩余溶剂.改进后工艺的预凝聚温度、预凝聚时间、浆料浓度等参数获得了优化,并研究了其对抛光垫结构、性能的影响.改进后的方法使聚氨酯与无纺布纤维紧密结合,既保证了纤维之间孔隙的存在,又增加了材料的强度,在不损失材料硬度的前提下,显著提高了产品的透水性,并有利于打磨效率的提高.与此同时,该方法可以有效减少有机溶剂的使用,大幅缩减生产成本,具有节能、环保的特点. 展开更多
关键词 抛光 微观结构控制 硬度 透水性 聚氨酯
抛光垫使用寿命对硅单晶片抛光质量影响的研究 预览 被引量:1
13
作者 张春翔 陈亚楠 +2 位作者 田原 杨召杰 付旸 《天津科技》 2015年第12期18-19,23共3页
化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化。虽然在化学机械抛光技术中影响硅片抛光效果的因素有很多,但抛光垫是影响抛光效果的关键因素之一。研... 化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化。虽然在化学机械抛光技术中影响硅片抛光效果的因素有很多,但抛光垫是影响抛光效果的关键因素之一。研究了抛光垫使用时间和相应时间硅片的抛光效果之间的关系,指出可通过在抛光过程中控制抛光垫的使用时间,对抛光的工艺参数进行更好的调整。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光 抛光效果
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化学机械研磨抛光垫专利技术发展状况研究 预览 被引量:2
14
作者 唐路璐 《河南科技》 2015年第10期47-48,共2页
化学机械抛光是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的重要技术,作为CMP系统的关键部件之一,抛光垫对抛光效率及抛光质量有着重要影响。本文通过对国内外抛光垫相关专利申请的分析,阐述抛光垫技术发展现状及未来发展趋势,为我国... 化学机械抛光是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的重要技术,作为CMP系统的关键部件之一,抛光垫对抛光效率及抛光质量有着重要影响。本文通过对国内外抛光垫相关专利申请的分析,阐述抛光垫技术发展现状及未来发展趋势,为我国抛光垫相关技术的发展提供一些参考。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光 专利 发展趋势
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Experimental study of fabricating SiC mirror in full aperture with optimized fixed abrasive polishing pad
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作者 王旭 张峰 《中国光学快报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第A01期140-144,共5页
关键词 硅反射镜 抛光 实验 磨料 优化 碳化 制造 相似性指数
抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究 预览 被引量:4
16
作者 王同庆 韩桂全 +2 位作者 赵德文 何永勇 路新春 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期394-399,共6页
利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料... 利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去除率、片内非均匀性、碟形凹陷和腐蚀的影响规律.结果表明:IC1010比IC1000的硬度低、压缩率高、粗糙度大,IC1000为网格状沟槽、沟槽较宽、分布较稀,IC1010为同心圆沟槽、沟槽较细、分布较密;相同条件下IC1010比IC1000的材料去除率大、片内非均匀性好;在相同线宽下IC1000与IC1010的腐蚀几乎一致,IC1010的碟形凹陷比IC1000的略大. 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光 300MM晶圆 铜互连 材料去除率 非均匀性 碟形凹陷
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新型抛光垫沟槽及其在化学机械抛光中的作用研究进展 预览 被引量:4
17
作者 方照蕊 魏昕 +1 位作者 杨向东 邹微波 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2012年第2期77-81,共5页
化学机械抛光过程中,抛光垫性能是影响抛光质量和抛光效率的重要因素之一,而抛光垫的性能又受其表面沟槽结构形状的影响。在介绍几种常见抛光垫沟槽结构形状的特性及其作用研究的基础上,介绍了新型抛光垫沟槽的研究进展,总结了几种... 化学机械抛光过程中,抛光垫性能是影响抛光质量和抛光效率的重要因素之一,而抛光垫的性能又受其表面沟槽结构形状的影响。在介绍几种常见抛光垫沟槽结构形状的特性及其作用研究的基础上,介绍了新型抛光垫沟槽的研究进展,总结了几种新型抛光垫沟槽对抛光效果的影响,为抛光垫沟槽特性的进一步研究提供参考。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光 表面沟槽
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Theoretical study on the removal function of computer controlled polishing SiC mirror with fixed abrasive
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作者 王旭 郑立功 《中国光学快报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第B06期168-173,共6页
关键词 计算机控制 硅反射镜 抛光 固着磨料 碳化 函数模型 研磨技术 实验数据
叶序结构抛光垫表面的抛光液流场分析 预览 被引量:2
19
作者 吕玉山 张田 +3 位作者 王军 李楠 段敏 邢雪岭 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期 24-29,共6页
为了解决在化学机械抛光过程中抛光接触区域内抛光液的分布均匀性问题,基于生物学的叶序理论,设计葵花籽粒结构的仿生抛光垫,建立化学机械抛光抛光液流场的运动方程和边界条件,利用流体力学软件(Fluent)对抛光液的流动状态进行仿... 为了解决在化学机械抛光过程中抛光接触区域内抛光液的分布均匀性问题,基于生物学的叶序理论,设计葵花籽粒结构的仿生抛光垫,建立化学机械抛光抛光液流场的运动方程和边界条件,利用流体力学软件(Fluent)对抛光液的流动状态进行仿真,并获得叶序参数对抛光液流动状态的影响规律。结果表明:抛光液在基于葵花籽粒的仿生抛光垫的流动是均匀的,抛光液沿着逆时针和顺时针叶列斜线沟槽流动,有利于流体向四周发散。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光 抛光 流场 叶序分布
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整洁,凯驰先行 预览
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《日用电器》 2011年第11期 27-28,共2页
地板抛光机 FP 303 凯驰地板抛光机FP303能提供系统的硬质地面维护和护理保养方案:抛光机,抛光垫和各种地面护理剂,为各种地面提供不同的维护组合。凭借设备的高性能,人性化工程学设计,舒适的操作和很优秀的抛光效果,它完全符合... 地板抛光机 FP 303 凯驰地板抛光机FP303能提供系统的硬质地面维护和护理保养方案:抛光机,抛光垫和各种地面护理剂,为各种地面提供不同的维护组合。凭借设备的高性能,人性化工程学设计,舒适的操作和很优秀的抛光效果,它完全符合用以追求高品质生活要求的家庭。有了FP303以后,不再受困于经常性的劳累的地面护理工作。 展开更多
关键词 整洁 抛光 抛光效果 护理工作 护理剂 地面 抛光 工程学
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