期刊文献+
共找到939篇文章
< 1 2 47 >
每页显示 20 50 100
磁控溅射法制备晶格大尺寸的ITO薄膜 认领
1
作者 陈婉君 《中国新技术新产品》 2020年第11期28-31,共4页
该文为了制备一种高透过率、高导电、晶格尺寸大的ITO薄膜,探讨制备最佳ITO薄膜的工艺条件,研究了磁控溅射机台的直流功率,射频功率对ITO薄膜的光电性能及形貌的影响。结果表明:当本体真空在7.0×10^-4 Pa条件下,直流功率为200 W,... 该文为了制备一种高透过率、高导电、晶格尺寸大的ITO薄膜,探讨制备最佳ITO薄膜的工艺条件,研究了磁控溅射机台的直流功率,射频功率对ITO薄膜的光电性能及形貌的影响。结果表明:当本体真空在7.0×10^-4 Pa条件下,直流功率为200 W,射频功率400 W,氩气流量100 sccm,用600℃快速升降温机台进行熔合3 min,可获得方块电阻为50Ω/□,可见光波段透过率为88.7%,大晶格尺寸且发光均匀的高性能ITO薄膜,为生产发光二极管提供了一条高效的制备流程。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 射频磁控溅射 大尺寸ITO晶体
在线阅读 下载PDF
MoS2薄膜负极材料的制备及其电化学行为 认领
2
作者 邓文昕 吴爱民 +3 位作者 周抒予 黄慧慧 邱治文 黄昊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期8105-8110,共6页
采用射频磁控溅射技术,以MoS2为溅射靶材,在不同溅射功率下制备了系列MoS2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对薄膜进行表征,探讨循环过程中薄膜结构与形貌变化及其对电池循... 采用射频磁控溅射技术,以MoS2为溅射靶材,在不同溅射功率下制备了系列MoS2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对薄膜进行表征,探讨循环过程中薄膜结构与形貌变化及其对电池循环性能的影响。结果表明,所制备的薄膜为富S的MoS2非晶态薄膜;SEM分析表明薄膜中S与Mo元素分布均匀,不存在偏聚现象;XPS分析表明所制备的薄膜中存在单质S相,单质S相在整体薄膜中含量大体占14%(原子分数)左右。在初始充放电循环过程中,这些均匀分布的单质S和Li^+反应生成多硫化锂,产生不可逆损耗,从而原位形成分布均匀的多孔结构,可有效缓解薄膜后续循环过程中的体膨胀,同时增加活性材料比表面积,有利于改善薄膜比容量及循环稳定性。当靶功率为100 W时,薄膜电极循环20圈,放电比容量为429.8 mAh/g,经300圈循环,放电比容量仍可保持在420.4 mAh/g,表现出优异的循环稳定性。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 二硫化钼薄膜 多孔结构 循环性能 射频磁控溅射
在线阅读 下载PDF
基于射频磁控溅射技术高容量硅负极薄膜材料可控制备研究 认领
3
作者 王春花 罗启波 +5 位作者 陈亚岚 白国梁 刘娜 卫巍 董彦杰 吴根华 《鲁东大学学报:自然科学版》 2020年第1期55-59,F0003共6页
硅基薄膜材料由于具有较高比容量、较好的循环寿命等优势而备受关注.本文采用射频磁控溅射方法在不同功率下制备了锂离子电池Si薄膜负极材料.采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、EDS等手段进行了物理表征,并采用恒流充放电性能... 硅基薄膜材料由于具有较高比容量、较好的循环寿命等优势而备受关注.本文采用射频磁控溅射方法在不同功率下制备了锂离子电池Si薄膜负极材料.采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、EDS等手段进行了物理表征,并采用恒流充放电性能测试、循环伏安测试(CV)等手段研究了射频溅射功率对硅负极薄膜材料的电化学性能影响.研究结果表明在溅射时间为5 min的条件下,当溅射功率为120 W时,Si薄膜的综合电化学性能是最优的,其首周充电比容量达到3595 mAh/g,循环150周后容量仍然高达2768 mAh/g,显示出了良好的循环性能,同时也表现出较好的倍率性能. 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 射频磁控溅射 溅射功率
在线阅读 下载PDF
柔性ZnO/PI/PET复合薄膜的制备工艺及其阻隔性能研究 认领
4
作者 王超楠 罗胜耘 +1 位作者 程维维 鲁听 《包装工程》 CAS 北大核心 2020年第19期90-98,共9页
目的解决物理溅射沉积法制备的无机氧化物类高阻隔包装材料柔韧性不足,使用过程中易脆裂的问题。方法采用射频磁控溅射技术(RF),以氧化锌(ZnO)、聚酰亚胺(PI)为靶材,在PET塑料表面同时沉积制备ZnO/PI/PET复合薄膜。详细分析PI的引入对Zn... 目的解决物理溅射沉积法制备的无机氧化物类高阻隔包装材料柔韧性不足,使用过程中易脆裂的问题。方法采用射频磁控溅射技术(RF),以氧化锌(ZnO)、聚酰亚胺(PI)为靶材,在PET塑料表面同时沉积制备ZnO/PI/PET复合薄膜。详细分析PI的引入对ZnO阻隔层微观结构以及性能的影响,优化ZnO/PI/PET的溅射制备工艺。结果沉积层微观形貌及包装性能受溅射功率密度比(PZnO/PPI)的影响较大。随着PZnO/PPI的降低,沉积层PI含量增加,阻隔层纳米颗粒由燕麦形状向球形转变,球径呈降低趋势。沉积层柔韧性提升明显,经过100次折叠后,没有明显裂纹产生(PZnO/PPI≤2)。在PZnO/PPI为2,氩气流量为40 mL/min,沉积时间为30 min,工作气压为0.5 Pa的条件下,ZnO/PI/PET复合阻隔薄膜对水蒸气、氧气的阻隔能力最为理想,水蒸气透过率为0.342 g/(m2∙d),氧气透过率为0.365 mL/(m2∙d)。结论适量PI片段的引入可以有效提升无机氧化物阻隔层的柔韧性及耐折叠能力,还可进一步提升复合沉积膜对水蒸气、氧气等气体小分子的阻隔能力。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZnO/PI/PET 透氧率 透水率 柔韧性
在线阅读 免费下载
射频磁控溅射生长AlN:Er薄膜及其光致发光 认领
5
作者 沈龙海 吕伟 +3 位作者 刘俊 齐东丽 杨久旭 刘彦良 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期172-177,共6页
采用射频磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长了AlN:Er薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对薄膜晶体取向和表面形貌进行了表征,并测量了薄膜的光致发光(PL)光谱。结果表明:不同条件下的AlN:Er薄膜均以(002)晶面取向... 采用射频磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长了AlN:Er薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对薄膜晶体取向和表面形貌进行了表征,并测量了薄膜的光致发光(PL)光谱。结果表明:不同条件下的AlN:Er薄膜均以(002)晶面取向择优生长,在靶基距5 cm条件下得到了结晶度较好的AlN:Er薄膜;与同条件下生长的AlN薄膜相比, AlN:Er薄膜(002)晶面衍射峰的角度向小角度偏移了0.4°,晶格常数c值增大了0.005 nm。不同条件下生长的AlN:Er薄膜表面大范围内均匀平坦,当靶基距从5 cm增大到6 cm时薄膜生长方式由层状生长转变为颗粒密堆积状生长。AlN:Er薄膜在480, 555和610 nm处均有较强的发光峰,分别来源于Er3+的4F7/2能级向基态4I15/2能级的间接激发跃迁、铝空位(VAl)向价带顶的跃迁和导带底向与氧有关的杂质能级(Io)间的跃迁,并且随着靶基距增大,薄膜在555和610 nm处的发光峰强度减弱。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 AlN:Er 择优生长 晶格扩张
CaZrO3薄膜的微观结构与介电性能研究 认领
6
作者 谢斌 余萍 《广东化工》 CAS 2020年第7期4-6,共3页
采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了单一钙钛矿结构的CaZrO3薄膜。研究了CaZrO3薄膜的介电性能和微观形貌,利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜技术对所制备薄膜的微观结构进行了表征,并对所制备薄膜的介电性能进行了系统... 采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了单一钙钛矿结构的CaZrO3薄膜。研究了CaZrO3薄膜的介电性能和微观形貌,利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜技术对所制备薄膜的微观结构进行了表征,并对所制备薄膜的介电性能进行了系统测试,侧重讨论了制备工艺参数O2:Ar比对所制备薄膜的物相及电学性能的影响。研究结果表明,O2:Ar比对所制备薄膜的相纯度有显著影响,在O2:Ar比为10:40和20:40时获得单一钙钛矿相的CaZrO3薄膜,O2:Ar比为30:40和40:40时,薄膜中可观察到第二相Ca0.2Zr0.8O1.8(CSZ)杂相。O2:Ar比为10:40条件下所制备的单一钙钛矿相CaZrO3薄膜在1MHz介电常数约为30,介电损耗为0.006,并且该薄膜在40 V直流电压下,漏电流密度为5×107 A/cm2。单一钙钛矿相的CaZrO3薄膜在薄膜型电容器和微波器件方面具有潜在应用。 展开更多
关键词 CaZrO3薄膜 射频磁控溅射 O2:Ar流量比 介电性能 漏电流密度
在线阅读 下载PDF
ZnO/SiO2复合薄膜的制备及其阻隔性能研究 认领
7
作者 王超楠 卢加永 +1 位作者 鲁听 罗胜耘 《包装工程》 CAS 北大核心 2020年第7期107-112,共6页
目的为了进一步提高氧化锌(ZnO)沉积复合薄膜对氧气的阻隔能力,探索其应用于食品和药品包装材料的可行性。方法采用射频磁控溅射技术(RF),以ZnO和二氧化硅(SiO2)为靶材,在PET塑料表面同时沉积,制备ZnO/SiO2复合薄膜包装材料,并详细分析S... 目的为了进一步提高氧化锌(ZnO)沉积复合薄膜对氧气的阻隔能力,探索其应用于食品和药品包装材料的可行性。方法采用射频磁控溅射技术(RF),以ZnO和二氧化硅(SiO2)为靶材,在PET塑料表面同时沉积,制备ZnO/SiO2复合薄膜包装材料,并详细分析SiO2的引入对ZnO沉积膜微观结构和阻隔能力的影响,优化ZnO/SiO2的制备工艺。结果SiO2的引入,使ZnO纳米颗粒的形状由片状燕麦变成了球形,当功率密度比PSiO2/PZnO为0.67,氩气流量为20 mL/min,沉积时间为20 min,工作气压为0.5 Pa时,ZnO/SiO2复合薄膜的氧气透过率降低为0.462 mL/(m^2·d),水蒸气透过率有所增加,为0.367 g/(m^2·d)。结论引入合适比例的SiO2,可有效提升ZnO沉积层对氧气渗入的阻隔能力,但SiO2引入量过高时,会加剧纳米裂纹,对复合薄膜的阻隔能力不利。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZnO/SiO2复合薄膜 透氧率 透水率
在线阅读 免费下载
退火处理对MgZnO薄膜性能的影响 认领
8
作者 吴昀卓 高晓红 +4 位作者 秦大双 曾一明 张耕严 刘建文 岳廷峰 《电脑知识与技术:学术版》 2020年第5期250-252,共3页
采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了MgZnO薄膜,并将制备的薄膜在200℃、N2下进行退火处理。采用XRD表征薄膜的结晶情况,用AFM表征薄膜材料表明形貌,用EDS表征薄膜材料元素成分与含量,用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明,... 采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了MgZnO薄膜,并将制备的薄膜在200℃、N2下进行退火处理。采用XRD表征薄膜的结晶情况,用AFM表征薄膜材料表明形貌,用EDS表征薄膜材料元素成分与含量,用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明,退火后薄膜结晶程度提高,晶粒尺寸变大,均方根粗糙度(RMS)降低,Mg元素原子百分比有所增加,可见光区域平均透过率为96%。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜晶体管 退火处理 射频磁控溅射
在线阅读 下载PDF
利用射频磁控溅射法制备多层MoS2薄膜 认领
9
作者 滕世豹 杨瑞霞 +4 位作者 兰飞飞 陈春梅 田树盛 孙小婷 刘海萍 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第4期280-286,311共8页
利用射频磁控溅射法结合退火工艺制备了多层结构的MoS2薄膜。优化溅射功率和工作气压条件,在溅射功率为30 W、工作气压为1.0 Pa条件下制备了致密度良好的MoS2薄膜,X射线衍射测量结果表明这种原生的薄膜是非晶态的。对原生的MoS2薄膜在... 利用射频磁控溅射法结合退火工艺制备了多层结构的MoS2薄膜。优化溅射功率和工作气压条件,在溅射功率为30 W、工作气压为1.0 Pa条件下制备了致密度良好的MoS2薄膜,X射线衍射测量结果表明这种原生的薄膜是非晶态的。对原生的MoS2薄膜在高纯氮气氛围下进行不同温度条件的退火,X射线衍射和拉曼散射测量结果表明,退火温度达到550℃时,MoS2薄膜开始结晶化;温度为650℃时,出现MoS2晶粒;当退火温度达到800~950℃时,薄膜转变成连续的多层MoS2薄膜,多层膜的X射线衍射峰半高宽为0.384°。这一结果表明,射频磁控溅射法结合热退火是一种制备多层MoS2薄膜的简单易行的方法。 展开更多
关键词 MoS2 射频磁控溅射 退火温度 多层薄膜 溅射功率 工作气压
射频磁控溅射法成长Cu-Al-O薄膜的特性分析 认领
10
作者 王春艳 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2020年第1期42-45,共4页
本文以Cu靶和Al靶为靶材,在Al靶上粘贴不同数量的Cu片控制Cu/Al比例,利用射频磁控溅射法在玻璃基板上沉积Cu-Al-O薄膜;通过WDS、XRD、XPS、四点探针、霍尔效应及UV-vis光谱等分析Al含量对薄膜成分、晶体结构以及光电特性的影响。结果表... 本文以Cu靶和Al靶为靶材,在Al靶上粘贴不同数量的Cu片控制Cu/Al比例,利用射频磁控溅射法在玻璃基板上沉积Cu-Al-O薄膜;通过WDS、XRD、XPS、四点探针、霍尔效应及UV-vis光谱等分析Al含量对薄膜成分、晶体结构以及光电特性的影响。结果表明,薄膜中Al含量随Cu片数量增多由0增至19.35%;薄膜的晶体结构随着Al含量增加,由CuO相转变为非晶态;电阻率随着Al含量增加,由0.49Ω·cm增至11.78Ω·cm;Cu-Al-O薄膜为p型导电;可见光透射率随Al含量增加由19.98%增加至74.11%,光学能隙由2.09 eV增至2.88 eV。 展开更多
关键词 p型透明导电氧化物薄膜 Cu-Al-O薄膜 射频磁控溅射 AL含量 晶体结构 光电特性
射频功率对DLC薄膜结构和力学性能的影响 认领
11
作者 伍醒 蒋爱华 程勇 《真空》 CAS 2019年第4期34-36,共3页
使用射频磁控溅射,以高纯度碳靶材和高纯度甲烷为碳源,在不同射频功率下制备了类金刚石(DLC)薄膜。利用扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪和显微硬度计测试了薄膜的结构与性能。研究结果表明:制备的薄膜致密均匀,随着射频功率的增大薄膜... 使用射频磁控溅射,以高纯度碳靶材和高纯度甲烷为碳源,在不同射频功率下制备了类金刚石(DLC)薄膜。利用扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪和显微硬度计测试了薄膜的结构与性能。研究结果表明:制备的薄膜致密均匀,随着射频功率的增大薄膜生长速度增大,C原子含量增大;在200W功率制备的薄膜sp~3含量高,其分子结构与性能也就更偏向于金刚石,薄膜维氏硬度达到1038.26 MPa。同时发现,随制备功率的增加,DLC薄膜硬度呈先增大再减小的趋势,薄膜石墨化程度增大。 展开更多
关键词 DLC薄膜 射频磁控溅射 射频功率 键合结构 硬度
H2对Al-Si-GNP共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响 认领
12
作者 丁春华 汪国庆 +1 位作者 段光申 姜宏 《海南大学学报:自然科学版》 CAS 2019年第1期1-5,共5页
以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al2O3、SiO2、氧化石墨烯(GNP)共掺杂氧化锌(GASZO)透明导电薄膜.考察了在Ar(流量不变)中H2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果... 以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al2O3、SiO2、氧化石墨烯(GNP)共掺杂氧化锌(GASZO)透明导电薄膜.考察了在Ar(流量不变)中H2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果表明薄膜晶相为纤锌矿结构、呈c轴择优取向;Scherrer公式计算发现增加H2量,可以减小薄膜的平均晶粒尺寸;H2流量对薄膜内应力影响较大.此外,还采用四探针测试仪、紫外—可见分光光度计(UV-Vis)等对薄膜的光电性能进行了表征.当Ar流量为70 sccm、H2占溅射气氛1. 00%时,薄膜具有最低电阻率7. 746×10-4Ω·cm;适量的H2流量可以提高玻璃在近紫外区的透过率;镀膜后样品在可见光区的平均透过率为90%左右. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 共掺杂 ZNO薄膜 光电性能
在线阅读 下载PDF
Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响 认领
13
作者 叶伟 崔立堃 常红梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1344-1351,共8页
具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO... 具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO 2 修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO 2 修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10^-5 A/cm^2 降低到7.7×10^-7 A/cm^2 ,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×10^13 cm^-2 降低到9×10 12 cm^-2 ,迁移率从0.001cm^2 /(V·s)升高到0.159cm^2 /(V·s). 展开更多
关键词 SIO2薄膜 氧化锌薄膜晶体管 修饰层 Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜 射频磁控溅射
在线阅读 免费下载
有源层厚度对InSnZnO薄膜晶体管的影响 认领
14
作者 杨浩志 李治玥 +3 位作者 刘媛媛 孙珲 吕英波 刘超 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期61-66,共6页
在室温下,采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡锌(ITZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层, ITZO薄膜厚度分别为16, 25, 36, 45和55 nm。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光分光光度计测试分析了不同厚度ITZO薄膜的结晶情... 在室温下,采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡锌(ITZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层, ITZO薄膜厚度分别为16, 25, 36, 45和55 nm。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光分光光度计测试分析了不同厚度ITZO薄膜的结晶情况、表面形貌及光学特性的变化规律,并使用半导体特征测试仪表征了ITZO TFT的输出特性及转移特性,研究了有源层厚度对ITZO TFT电学性能的影响。结果表明:不同厚度的ITZO薄膜均为非晶结构,成膜致密,薄膜在可见光范围内的平均透过率均高于85%。在界面态密度(N■)和载流子浓度的共同影响下,当有源层厚度为36 nm时, ITZO TFT电学性能最优。其场效应迁移率(μFE)为14.04 cm2·(V·s)-1,开关比(Ion/off)为1×106,亚阈值摆幅(S)仅有0.5 V·dec-1。此外,有源层厚度的增大可以削弱空气中水分和氧气对TFT的侵蚀,提高器件的稳定性。因此可以通过改变有源层厚度来调控TFT的性能。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ITZO薄膜 薄膜晶体管 厚度
氮气流量和退火处理对射频磁控溅射氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响 认领
15
作者 杨勇 汪冰洁 +8 位作者 姚婷婷 李刚 金克武 沈洪雪 王天齐 杨扬 彭赛奥 甘治平 马立云 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期417-422,共6页
常温下利用TiO2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:... 常温下利用TiO2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:磁控溅射N2流量和退火处理对薄膜的微观结构和性能有重要的影响。退火前,薄膜由非晶态TiO2构成;退火后,薄膜呈现锐钛矿相和金红石相的混合相。随着磁控溅射系统中N2流量的增加,退火前禁带宽度从3.19eV减少到2.15eV;退火后,薄膜由非晶相TiO2组织转化为锐钛矿TiO2和金红石TiO2构成的浑河相组织,禁带宽度相比退火前的非晶相TiO2薄膜略有增加。 展开更多
关键词 氮掺杂二氧化钛薄膜 射频磁控溅射 沉积速率 禁带宽度
在线阅读 免费下载
氢稀释比对磁控溅射低温(100 ℃)沉积氢化微晶硅薄膜微结构特性的影响 认领
16
作者 王林青 周永涛 +1 位作者 王军军 刘雪芹 《中南大学学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第10期2661-2667,共7页
在低温(100℃)条件下采用磁控溅射在玻璃和硅(100)衬底上沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究不同氢稀释比对微晶硅薄膜微结构特性的影响。结果表明:薄膜从非晶相过渡到了微晶相当氢稀释比增加到约50%,氢化微晶硅薄膜的结晶率随氢稀释比... 在低温(100℃)条件下采用磁控溅射在玻璃和硅(100)衬底上沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究不同氢稀释比对微晶硅薄膜微结构特性的影响。结果表明:薄膜从非晶相过渡到了微晶相当氢稀释比增加到约50%,氢化微晶硅薄膜的结晶率随氢稀释比从40%增加到70%先增加后趋于稳定;薄膜的表面粗糙度随着氢稀释比的增加而增加,氢含量的变化趋势与之相反;所制备的氢化微晶硅薄膜都具有(111)择优取向,与氢稀释比无关,且薄膜结构致密。 展开更多
关键词 微晶硅薄膜 射频磁控溅射 氢稀释比例 低温 微结构
在线阅读 免费下载
磁控溅射沉积制备Al掺杂ZnO薄膜的棒状晶粒生长 认领
17
作者 赵笑昆 李博研 张增光 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第A01期112-115,共4页
Al掺杂ZnO(AZO)薄膜由于电导率高、光学透过率高、原料储量丰富、成本低廉而成为最具潜力的透明导电薄膜。本实验采用射频磁控溅射法沉积制备了30cm×30cm的AZO薄膜,研究了溅射压强对晶体结构、微观结构、电学和光学性能的影响,实... Al掺杂ZnO(AZO)薄膜由于电导率高、光学透过率高、原料储量丰富、成本低廉而成为最具潜力的透明导电薄膜。本实验采用射频磁控溅射法沉积制备了30cm×30cm的AZO薄膜,研究了溅射压强对晶体结构、微观结构、电学和光学性能的影响,实现微观结构和性能的调节。结果表明,溅射压强增大,薄膜沉积速率降低,晶体c轴择优取向生长变弱,晶粒尺寸变大且存在长度大于100nm的棒状晶粒。0.933Pa时薄膜电阻率降至最低(1.01×10^-3Ω·cm),可见光透过率为79.7%,禁带宽度Eg=3.82eV,有利于透明导电膜的应用。 展开更多
关键词 Al掺杂ZnO 射频磁控溅射 压强 晶粒生长
在线阅读 免费下载
Cu过量对Cu1+xAl1-xO2(0≤x≤0.04)薄膜结构与光电性能的影响 认领
18
作者 赵学平 张铭 +3 位作者 白朴存 侯小虎 刘飞 严辉 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第4期633-640,共8页
以单相多晶Cu1+xAl1-xO2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+xAl1-xO2(0≤x≤0.04)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu1+xAl1-xO2薄膜的结构与光电性能。结果表明... 以单相多晶Cu1+xAl1-xO2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+xAl1-xO2(0≤x≤0.04)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu1+xAl1-xO2薄膜的结构与光电性能。结果表明,沉积态薄膜经退火处理后,由非晶转变为具有铜铁矿结构的纯相Cu1+xAl1-xO2;退火态薄膜在可见光区域的平均透过率约为55%,平均可见光透过率不受Cu含量的影响;退火态薄膜样品的室温电导率随Cu含量的增加而增大,Cu1.04Al0.96O2的室温电导率最高,为1.22×10-2S/cm;在近室温区(200~300K),退火态薄膜均很好地符合Arrhenius热激活模式。 展开更多
关键词 CuAlO2薄膜 射频磁控溅射 光电性能
在线阅读 下载PDF
ZnO/GGG准2-2型单端口SAW谐振器初探 认领
19
作者 王城 钟智勇 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第5期650-653,共4页
为降低制备ZnO/YIG用于研究声表面波(SAW)对自旋波的激励和传播特性的研究成本,采用射频磁控溅射技术在更低成本的钆镓石榴石(GGG)上沉积ZnO薄膜,对ZnO/GGG准2-2型单端口SAW谐振器进行初探。使用X线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)以及... 为降低制备ZnO/YIG用于研究声表面波(SAW)对自旋波的激励和传播特性的研究成本,采用射频磁控溅射技术在更低成本的钆镓石榴石(GGG)上沉积ZnO薄膜,对ZnO/GGG准2-2型单端口SAW谐振器进行初探。使用X线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)以及扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和形貌进行了表征和分析。结果表明,当在氧气流量4 cm 3/min、450℃下退火处理时,ZnO薄膜呈现出表面平滑、残余应力小及具有高度c轴择优取向等优点。经测试声表面波频率为201 MHz,对应相速度为3 216 m/s,机电耦合系数为0.22%,说明制备的ZnO薄膜在高频声表面波器件研究和应用方面具有潜力。 展开更多
关键词 钆镓石榴石(GGG)衬底 ZnO薄膜 射频磁控溅射 声表面波频率 相速 机电耦合系数
在线阅读 免费下载
磁控溅射法制备LiTaO3薄膜及其结晶性能研究 认领
20
作者 孙斌玮 杨明 +2 位作者 苟君 王军 蒋亚东 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第6期806-809,814共5页
用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积了LiTaO3薄膜,并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方法分析了薄膜的结晶性能、各元素化学价态和元素原子百分比。结果表明,经700℃退火处理1h得到的薄膜结晶性... 用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积了LiTaO3薄膜,并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方法分析了薄膜的结晶性能、各元素化学价态和元素原子百分比。结果表明,经700℃退火处理1h得到的薄膜结晶性能最好,在(104)晶向上具有强烈的择优取向性。薄膜退火温度的升高导致薄膜中Li空位缺陷和O空位缺陷减少。研究表明,薄膜中O/Li的原子比对结晶性能有着非常明显的影响,原子值越接近晶体化学计量比,结晶性能越好。 展开更多
关键词 钽酸锂 铁电薄膜 射频磁控溅射 结晶性能 近化学计量比
上一页 1 2 47 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈