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非离子表面活性剂对铝栅化学机械平坦化的影响 预览
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作者 张金 刘玉岭 闫辰奇 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2019年第17期919-921,共3页
采用由5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、4%H2O2、1%FA/O型螯合剂和0.0%~2.5%多元胺醇型非离子表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。工艺条件为:工作压力13.79 kPa,抛头转速55 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 ... 采用由5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、4%H2O2、1%FA/O型螯合剂和0.0%~2.5%多元胺醇型非离子表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。工艺条件为:工作压力13.79 kPa,抛头转速55 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min,时间180 s。研究了抛光液中非离子表面活性剂体积分数对铝片去除速率、表面粗糙度和润湿性的影响。随着非离子表面活性剂体积分数的增大,铝片的去除速率呈缓慢下降的趋势,表面粗糙度先减小后略增,对抛光液的接触角减小。抛光液中非离子表面活性剂积分数为2.0%时,铝片对其接触角为11.25°,抛光后的表面粗糙度(Ra)为2.3 nm。 展开更多
关键词 铝栅 化学机械平坦 多元胺醇型非离子表面活性剂 去除速率 表面粗糙度 润湿性
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基于TSV技术的CMP工艺优化研究 预览
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作者 张康 李婷 +2 位作者 刘小洁 高跃昕 刘宜霖 《电子工业专用设备》 2019年第4期1-4,64共5页
TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法。基于TSV技术的CMP工艺主要用于通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光和晶圆背面TSV结构的暴露及平坦化工艺,分步抛光工艺匹配技术具有去除... TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法。基于TSV技术的CMP工艺主要用于通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光和晶圆背面TSV结构的暴露及平坦化工艺,分步抛光工艺匹配技术具有去除速率高、抛光时间可控、碎片风险小、选择比低、凹陷及凸起缺陷少等特点,铜的去除率大于1000nm/min,铜凹陷小于15nm,平坦化表面粗糙度小于1nm,表面不均匀度小于5%,可满足TSV工艺技术中晶圆表面的平坦化需求。 展开更多
关键词 硅通孔技术 化学机械平坦 通孔 工艺匹配
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非离子表面活性剂在钽基阻挡层CMP中的作用 被引量:1
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作者 张文倩 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 牛新环 韩丽楠 季军 杜义琛 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第3期421-424,共4页
碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用。分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量铜表面粗糙度。对含有不同浓度活性剂的抛光液进行接触角和Zeta电位的测试,并对活性剂的作用机理进行分... 碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用。分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量铜表面粗糙度。对含有不同浓度活性剂的抛光液进行接触角和Zeta电位的测试,并对活性剂的作用机理进行分析。活性剂体积分数达到3%时,铜表面粗糙度可达0.679nm,抛光液在铜膜表面的接触角低至10.25°,Zeta电位达到-50.2mV。实验结果表明,活性剂在减小粗糙度的同时可提高抛光液的湿润性和稳定性,便于抛光后清洗和长时间放置。 展开更多
关键词 非离子表面活性剂 接触角 化学机械平坦 ZETA电位 表面粗糙度
AEO6对铜CMP后清洗颗粒去除的影响 预览
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作者 胡新星 檀柏梅 《硅酸盐通报》 CSCD 北大核心 2018年第10期3256-3259,共4页
硅溶胶等残留颗粒是铜CMP后清洗需要去除的沾污之一。在FA/OⅡ螯合剂的协同作用下,对比了八种表面活性剂和四种添加剂对铜表面颗粒沾污去除的影响,表面活性剂包括阴离子型ALS、LABSA、MAP-K、LPS-30和非离子型AEO6、LEP-10、LDEA、APG12... 硅溶胶等残留颗粒是铜CMP后清洗需要去除的沾污之一。在FA/OⅡ螯合剂的协同作用下,对比了八种表面活性剂和四种添加剂对铜表面颗粒沾污去除的影响,表面活性剂包括阴离子型ALS、LABSA、MAP-K、LPS-30和非离子型AEO6、LEP-10、LDEA、APG1214,添加剂为硝酸钾、柠檬酸、乙二醇、枧油。并对表面活性剂和添加剂的浓度进行优化。清洗方式为使用PVA刷进行刷洗,清洗后通过金相显微镜检测剩余颗粒,扫描电镜观测铜表面形貌。实验得出颗粒去除效果较好的表面活性剂为AEO6,较佳的浓度为0.02M。聚氧乙烯类表面活性剂与FA/OⅡ螯合剂的配伍效果较好。添加0.9wt%枧油可使AEO6清洗液的颗粒去除效果略微提升,枧油做复配的非离子表面活性剂。 展开更多
关键词 化学机械平坦 铜CMP后清洗 去除颗粒 表面活性剂
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磨料粒径对铝栅CMP去除速率和粗糙度的影响 预览
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作者 张金 刘玉岭 +1 位作者 闫辰奇 张文霞 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2017年第1期29-31,39共4页
在铝栅化学机械平坦化(CMP)中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度。采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析。结果表明,去除速率与参与抛光的磨料颗粒数目和单个颗粒去除速率有关,表面... 在铝栅化学机械平坦化(CMP)中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度。采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析。结果表明,去除速率与参与抛光的磨料颗粒数目和单个颗粒去除速率有关,表面粗糙度与单个磨料颗粒机械作用和抛光后磨料颗粒表面吸附有关,并对抛光液稳定性进行了研究。最终选用粒径70 nm,质量分数为5%的磨料,去除速率可达到181 nm/min,表面粗糙度为9.1 nm,对今后铝栅CMP的研究提供了参考。 展开更多
关键词 化学机械平坦 去除速率 粒径 粗糙度 高k金属栅极
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新型碱性抛光液各组分对铜化学机械平坦化性能的影响 被引量:1
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作者 田胜骏 王胜利 +3 位作者 王辰伟 王彦 田骐源 腰彩虹 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期923-928,共6页
随着集成电路特征尺寸的减小、晶圆尺寸的增大以及布线层的逐渐增多,加工晶圆过程中实现较高的材料去除速率、较小的片内非一致性(WIWNU)及较小的表面粗糙度已经成为铜化学机械抛光工艺的几大难点。采用正交实验法选取5组抛光液进行Cu... 随着集成电路特征尺寸的减小、晶圆尺寸的增大以及布线层的逐渐增多,加工晶圆过程中实现较高的材料去除速率、较小的片内非一致性(WIWNU)及较小的表面粗糙度已经成为铜化学机械抛光工艺的几大难点。采用正交实验法选取5组抛光液进行Cu CMP实验,系统研究了含有双氧水、脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)、FA/OⅠ型螯合剂与苯骈三氮唑(BTA)的碱性抛光液化学组分对铜去除速率、WIWNU的影响,并对铜CMP的各种变化规律做出机理分析。结果表明:采用pH值约为8.6,体积分数为3%的H_2O_2,质量分数为0.08%的非离子表面活性剂AEO与体积分数为1.5%的螯合剂的碱性抛光液,在12英寸(1英寸=2.54 cm)铜镀膜片抛光后有助于去除速率达到629.1 nm/min,片内非一致性达到4.7%,粗糙度达到1.88 nm。 展开更多
关键词 片内非一致性 螯合剂 活性剂 化学机械平坦 表面粗糙度
Defectivity control of aluminum chemical mechanical planarization in replacement metal gate process of MOSFET
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作者 张金 刘玉岭 +2 位作者 闫辰奇 何彦刚 高宝红 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2016年第4期120-124,共5页
The replacement metal gate(RMG) defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate(HKMG) chemical mechanical polishing(CMP). In this study, three major defect types, including fall-on particles, ... The replacement metal gate(RMG) defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate(HKMG) chemical mechanical polishing(CMP). In this study, three major defect types, including fall-on particles, micro-scratch and corrosion have been investigated. The research studied the effects of polishing pad,pressure, rotating speed, flow rate and post-CMP cleaning on the three kinds of defect, which finally eliminated the defects and achieved good surface morphology. This study will provide an important reference value for the future research of aluminum metal gate CMP. 展开更多
关键词 缺陷类型 金属栅极 化学机械平坦 MOSFET 控制 工艺 化学机械抛光
Effect of polishing parameters on abrasive free chemical mechanical planarization of semi-polar(1122) aluminum nitride surface 被引量:1
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作者 Khushnuma Asghar D. Das 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2016年第3期115-121,共7页
An abrasive free chemical mechanical planarization(AFCMP) of semi-polar(1122) Al N surface has been demonstrated. The effect of slurry p H, polishing pressure, and platen velocity on the material removal rate(MRR) and... An abrasive free chemical mechanical planarization(AFCMP) of semi-polar(1122) Al N surface has been demonstrated. The effect of slurry p H, polishing pressure, and platen velocity on the material removal rate(MRR) and surface quality(RMS roughness) have been studied. The effect of polishing pressure on the AFCMP of the(1122) Al N surface has been compared with that of the(1122) Al Ga N surface. The maximum MRR has been found to be 562 nm/h for the semi-polar(1122) Al N surface, under the experimental conditions of 38 k Pa pressure,90 rpm platen velocity, 30 rpm carrier velocity, slurry p H 3 and 0.4 M oxidizer concentration. The best root mean square(RMS) surface roughness of 1.2 nm and 0.7 nm, over a large scanning area of 0.70×0.96 mm~2, has been achieved on AFCMP processed semi-polar(1122) AlN and(AlGaN) surfaces using optimized slurry chemistry and processing parameters. 展开更多
关键词 化学机械平坦 抛光压力 铝表面 半极性 磨料 材料去除率 表面粗糙度 ALGAN
小尺寸器件的金属栅平坦化新技术
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作者 赵治国 殷华湘 +6 位作者 朱慧珑 张永奎 张严波 秦长亮 张青竹 张月 赵超 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1030-1033,共4页
随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提... 随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀+介质再沉积+化学机械平坦化的技术,能够有效对金属栅极进行平坦化,且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的"金属过蚀"现象。 展开更多
关键词 高k金属栅 反应离子刻蚀 介质再沉积 化学机械平坦
CMP设备中几种下压力施加结构简介 预览
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作者 周国安 詹阳 +2 位作者 李伟 胡兴臣 陈威 《电子工业专用设备》 2016年第6期45-48,共4页
分析了旋转臂式结构的下压力特点,指出其采用最直接的杠杆原理,是第一代CMP机型IPEC372M的典型结构,适用于0.8μm的技术节点,并指出其局限性;后分析了桥式下压力结构,加了垂直于抛光台的主轴套及铰链结构,这种改善性的杠杆原理保证气缸... 分析了旋转臂式结构的下压力特点,指出其采用最直接的杠杆原理,是第一代CMP机型IPEC372M的典型结构,适用于0.8μm的技术节点,并指出其局限性;后分析了桥式下压力结构,加了垂直于抛光台的主轴套及铰链结构,这种改善性的杠杆原理保证气缸施加下压力的有效性;研究了中国电子科技集团公司第四十五研究所特有专利技术的转塔式结构采用的浮动悬挂模块,能够实现完全下压力的垂直性,同时具备维持压力的恒定性和微压力的灵敏性;然后分析应用材料的旋转木马形式结构,并研究了其结构的特色能够实现抛光头的垂直下降,而且薄膜的压力完全替代下压力和背压的作用,具备更好的晶圆平坦化性能。最后指出今后CMP压力结构应该具备高响应特性、少的移动部件。 展开更多
关键词 化学机械平坦 下压力 旋转臂 转塔 旋转木马 薄膜
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工艺条件对铝栅化学机械平坦化效果的影响 预览
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作者 张金 刘玉岭 +3 位作者 闫辰奇 张文霞 牛新环 孙鸣 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2016年第20期1061-1064,共4页
采用由2.5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、1.5%H2O2、0.5%FA/O型螯合剂和1.0%表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。研究了抛光垫、抛光压力、流量、抛光头转速、抛光垫转速以及抛光后清洗对铝栅表面粗... 采用由2.5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、1.5%H2O2、0.5%FA/O型螯合剂和1.0%表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。研究了抛光垫、抛光压力、流量、抛光头转速、抛光垫转速以及抛光后清洗对铝栅表面粗糙度的影响。采用POLITEXTM REG抛光垫,在抛光压力1.5psi,抛头转速60r/min,抛光盘转速65r/min,抛光液流量150mL/min的条件下,对铝栅抛光后用自主研发的清洗剂清洗,铝栅表面粗糙度最低(2.8nm),并且无划痕、腐蚀、颗粒残留等表面缺陷。 展开更多
关键词 铝栅 化学机械平坦 抛光 缺陷 表面粗糙度
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铜互连线低磨料化学机械平坦化机制 被引量:6
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作者 李炎 张宏远 +2 位作者 刘玉岭 王傲尘 李洪波 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1048-1055,共8页
主要研究了低磨料浓度下铜互连线的平坦化机制,建立了凸处和凹处的铜膜去除模型,并在MIT 854铜布线片上进行了验证实验,进一步证明了机制模型的正确性。在工作压力存在的条件下,凸处铜膜的去除以化学机械作用为主,凹处铜膜去除以化学作... 主要研究了低磨料浓度下铜互连线的平坦化机制,建立了凸处和凹处的铜膜去除模型,并在MIT 854铜布线片上进行了验证实验,进一步证明了机制模型的正确性。在工作压力存在的条件下,凸处铜膜的去除以化学机械作用为主,凹处铜膜去除以化学作用为主,由此得出,在忽略机械作用对化学反应增益作用的前提下,低磨料浓度有利于得到较高的高低处速率差,进而实现晶圆的表面平坦化。在MIT 854铜布线片上进行了实验验证,实验证明,当磨料浓度为0.5%时,铜膜的去除速率已达到最大值,此时,线宽/线间距(L/S)为100μm/100μm,50μm/50μm和10μm/10μm的铜线条剩余高低差分别由初始的470,460和450 nm变为平坦化后的30.0,15.0和3.1 nm,另外还得出宽线条比窄线条对抛光液的利用率要高,为了实现进一步的平坦化,提高窄线条区域对抛光液的利用率成为重中之重。 展开更多
关键词 低磨料浓度 化学机械平坦 机械作用 化学作用 铜互连线
抛光垫修整系统的应用研究 预览
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作者 张玮琪 王洪建 孙敏 《电子工业专用设备》 2015年第8期15-18,50共5页
抛光垫修整器系统是CMP设备的重要组成部分,它可以优化CMP的工艺结果,有效延长抛光垫的寿命;通过介绍抛光垫修整器装置的整体结构、机械结构、气动控制及建立数学模型,并利用Matlab软件进行仿真,得出全抛光垫均匀修整覆盖的模型,... 抛光垫修整器系统是CMP设备的重要组成部分,它可以优化CMP的工艺结果,有效延长抛光垫的寿命;通过介绍抛光垫修整器装置的整体结构、机械结构、气动控制及建立数学模型,并利用Matlab软件进行仿真,得出全抛光垫均匀修整覆盖的模型,指出今后抛光垫修整器应具备更多功能.以满足抛光垫的修整需要。 展开更多
关键词 化学机械平坦 抛光垫修整器 抛光垫 集成电路设备
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CMP承载器背压发展历程 预览 被引量:2
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作者 李伟 周国安 +1 位作者 徐存良 詹阳 《电子工业专用设备》 2015年第3期22-25,共4页
随着集成电路(IC)技术节点越来越严苛,对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求,化学机械抛光技术(CMP)是满足晶圆表面形貌的关键技术。承载器是C MP设备的关键部件,通过研究历代承载器的背压施加方式和区域压力控制方式对晶... 随着集成电路(IC)技术节点越来越严苛,对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求,化学机械抛光技术(CMP)是满足晶圆表面形貌的关键技术。承载器是C MP设备的关键部件,通过研究历代承载器的背压施加方式和区域压力控制方式对晶圆表面全局平整度的影响,发现随着技术节点的提高,承载器施加越来越多路背压且背压控制精度越来越高。因此,国产CMP设备为了满足集成电路的严格要求,其承载器必须具备施加多区域背压,且控制精度越来越高。 展开更多
关键词 化学机械平坦 背压 多区域控制 承载器 保持环
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Effect of H2O2 and nonionic surfactant in alkaline copper slurry 被引量:1
15
作者 袁浩博 刘玉岭 +3 位作者 蒋勐婷 陈国栋 刘伟娟 王胜利 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第1期163-167,共5页
For improving the polishing performance, in this article, the roles of a nonionic surfactant(Fatty alcohol polyoxyethylene ether) and H2O2 were investigated in the chemical mechanical planarization process, respective... For improving the polishing performance, in this article, the roles of a nonionic surfactant(Fatty alcohol polyoxyethylene ether) and H2O2 were investigated in the chemical mechanical planarization process, respectively.Firstly, the effects of the nonionic surfactant on the within-wafer non-uniformity(WIWNU) and the surface roughness were mainly analyzed. In addition, the passivation ability of the slurry, which had no addition of BTA, was also discussed from the viewpoint of the static etch rate, electrochemical curve and residual step height under different concentrations of H2O2. The experimental results distinctly revealed that the nonionic surfactant introduced in the slurry improved the WIWNU and surface roughness, and that a 2 vol% was considered as an appropriate concentration relatively. When the concentration of H2O2 surpasses 3 vol%, the slurry will possess a relatively preferable passivation ability, which can effectively decrease the step height and contribute to acquiring a flat and smooth surface. Hence, based on the result of these experiments, the influences of the nonionic surfactant and H2O2 are further understood, which means the properties of slurry can be improved. 展开更多
关键词 非离子表面活性剂 过氧 浆料 化学机械平坦 碱性铜 脂肪醇聚氧乙烯醚 表面粗糙度 抛光性能
同质异构SSiO2/MSiO2核/壳复合磨粒的合成 被引量:1
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作者 陈杨 汪亚运 秦佳伟 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期634-640,共7页
以正硅酸乙酯为硅源、以氨水为催化剂、十六烷基三甲基溴化铵为结构导向模板剂,在单分散实心氧化硅(Solid-SiO2,SSiO2)内核表面包覆介孔氧化硅(Mesoporous-SiO2,MSiO2)外壳,合成了同质异构氧化硅(SSiO2/MSiO2)核/壳复合磨粒。用小... 以正硅酸乙酯为硅源、以氨水为催化剂、十六烷基三甲基溴化铵为结构导向模板剂,在单分散实心氧化硅(Solid-SiO2,SSiO2)内核表面包覆介孔氧化硅(Mesoporous-SiO2,MSiO2)外壳,合成了同质异构氧化硅(SSiO2/MSiO2)核/壳复合磨粒。用小角XRD、FESEM、HRTEM、FTIR、TGA和氮气吸附-脱附等手段对样品的结构进行了表征。结果表明,具有放射状介孔孔道的MSiO2均匀连续包覆在SSiO2内核(210-230nm)外表面,形成了厚度为70-80nm的外壳。壳层中的介孔孔道(孔径约2-3nm)基本垂直于内核表面,且复合磨粒样品具有较大的比表面积(558.2m2/g)。用AFM形貌分析和轮廓分析评价了所制备的复合磨粒对SiO2薄膜的抛光特性。与常规实心SiO2磨粒相比,SSiO2/MSiO2复合磨粒明显改善了抛光表面质量并提高了材料去除率。这可能归因于MSiO2壳层通过机械和/或化学方面的作用对磨粒与衬底之间真实界面接触环境的优化。 展开更多
关键词 无机非金属材料 介孔氧 核壳结构 复合磨粒 化学机械平坦
CMP设备兆声清洗原理及应用 预览
17
作者 史霄 郭春华 +1 位作者 杨师 熊朋 《电子工业专用设备》 2015年第11期32-35,共4页
从空化作用和声波流作用两方面对兆声清洗的物理原理进行深入分析,研究了兆声频率及功率对空化强度、边界层厚度、声波流速等关键因素的影响,从而阐明兆声波清洗的特点及其适用场合.同时以AMAT公司的设备为例,介绍了兆声波清洗在CMP后... 从空化作用和声波流作用两方面对兆声清洗的物理原理进行深入分析,研究了兆声频率及功率对空化强度、边界层厚度、声波流速等关键因素的影响,从而阐明兆声波清洗的特点及其适用场合.同时以AMAT公司的设备为例,介绍了兆声波清洗在CMP后清洗中的实际应用案例. 展开更多
关键词 兆声波清洗 兆声频率 化学机械平坦 后清洗
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FA/O精抛液组分对Cu/Ta CMP去除速率的影响 被引量:2
18
作者 胡轶 何彦刚 +1 位作者 岳红维 刘玉岭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期436-440,472共6页
研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响。在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2%,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35%,活性剂体积分数为2%,H2O2体积分数为2%的FA/O... 研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响。在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2%,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35%,活性剂体积分数为2%,H2O2体积分数为2%的FA/O精抛液。并在MIT854布线片上进行了精抛测试。结果显示,精抛12 s之后,100-100线条处高低差从精抛前的76.7 nm降低为63.2 nm,而50-50线条处高低差从精抛前的61.3 nm降低为59.8 nm。并且,经过FA/O精抛液精抛后粗抛后产生的尖峰也有所减小,台阶趋于平坦。精抛后,100-100和50-50处的高低差均小于70 nm,能够达到产业化指标。 展开更多
关键词 化学机械平坦 精抛 FA/O精抛液 Cu/Ta 去除速率
Synergic effect of chelating agent and oxidant on chemical mechanical planarization 被引量:1
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作者 刘伟娟 刘玉岭 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第2期151-155,共5页
Chemically dominant alkaline slurry, which is free of BTA(benzotriazole) and other inhibitors, was investigated. The synergic effect of the chelating agent and oxidant on the chemical mechanical planarization(CMP)was ... Chemically dominant alkaline slurry, which is free of BTA(benzotriazole) and other inhibitors, was investigated. The synergic effect of the chelating agent and oxidant on the chemical mechanical planarization(CMP)was taken into consideration. Copper CMP slurry is mainly composed of an oxidizer, nonionic surfactant, chelating agent and abrasive particles. The effect of different synergic ratios of oxidant with chelating agent on the polishing removal rate, static etch rate and planarization were detected. The planarization results reveal that with the increase of oxidant concentration, the dishing value firstly diminished and then increased again. When the synergic ratios is 3, the dishing increases the least. A theoretical model combined with chemical-mechanical kinetics process was proposed in the investigation, which can explain this phenomenon. Based on the theoretical model, the effect of synergic ratios of oxidant with chelating agent on velocity D-value(convex removal rate minus recessed removal rate) was analyzed. The results illustrate that when the synergic ratio is between 2.5–3.5, the velocity D-value is relatively higher, thereby good planarization can be achieved in this interval. This investigation provides a new guide to analyze and study copper line corrosion in the recessed region during copper clearing polishing. 展开更多
关键词 化学机械平坦 剂浓度 协同效应 螯合剂 平面 非离子表面活性剂 CMP浆料 动力学过程
Electrolyte composition and removal mechanism of Cu electrochemical mechanical polishing 预览
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作者 边燕飞 翟文杰 +2 位作者 程媛媛 朱宝全 王金虎 《中南大学学报:英文版》 SCIE EI CAS 2014年第6期2191-2201,共11页
为在包括 5-methyl-1H-benzotriazole ( TTA )的不同 pH 价值的 Cu 电气化学的机械 planarization ( ECMP )的电解质和材料移动机制的优化, hydroxyethylidenediphosphoric 酸( HEDP ),和三盐基的铵柠檬酸盐( TAC )被电气化学的技术... 为在包括 5-methyl-1H-benzotriazole ( TTA )的不同 pH 价值的 Cu 电气化学的机械 planarization ( ECMP )的电解质和材料移动机制的优化, hydroxyethylidenediphosphoric 酸( HEDP ),和三盐基的铵柠檬酸盐( TAC )被电气化学的技术调查,X光检查光电子分光计( XPS )分析,nano擦伤测试, AFM 大小,并且Cu涂的综合晶片擦亮。在 ECMP 以后的 planarization 效率和表面质量在基于碱的答案获得了的试验性的结果表演在酸底的答案比那优异,特别在 pH=8。最佳的电解质作文(集体部分) 是在 pH=8 的 6% HEDP, 0.3% TTA 和 3% TAC。影响在 ECMP 过程期间形成的氧化物层的厚度的主要因素是应用潜力。软层形成是为电气化学的提高的机械磨损的主要机制。表面地形学进化在(ECP ) 电气化学的擦亮说明加速电气化学的溶解的机械磨损的机制前后,也就是说,剩余压力引起了由机械穿提高电气化学的溶解率。这理解为 ECMP 过程的优化是有益的。 展开更多
关键词 化学机械抛光 电解质 组合物 X射线光电子能谱仪 材料去除机理 化学机械平坦 机构 机械磨损
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