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文章速递稀土Er掺杂的MoSe2纳米线的制备及发光特性研究 认领
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作者 丁馨 徐铖 +1 位作者 张强 马锡英 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期595-599,共5页
本文研究了稀土掺杂硒化钼(MoSe2)垂直纳米线的制备及光学特性。以分析纯硒化钼粉末为原料,采用热蒸发方法在Si衬底上沉积硒化钼垂直纳米线,并在其生长过程中利用硝酸鉺进行原位掺杂。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-... 本文研究了稀土掺杂硒化钼(MoSe2)垂直纳米线的制备及光学特性。以分析纯硒化钼粉末为原料,采用热蒸发方法在Si衬底上沉积硒化钼垂直纳米线,并在其生长过程中利用硝酸鉺进行原位掺杂。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪研究了掺杂硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收和特性。发现掺杂后MoSe 2纳米线的结晶性更强,长度增加2倍以上。同时,掺杂后纳米线的可见光吸收和光致发光强度明显增强,760 nm处MoSe2纳米线的带间跃迁的本征发射增强4倍以上。另外,Er3+掺杂后,在590 nm和650 nm处增加了2个来自Er3+离子的发射,说明稀土掺杂后发光峰增加,使光谱谱线更加丰富。以上结果表明,稀土掺杂可显著增强硒化钼的结晶性、光吸收和发光效率,使其可用于制备超薄、高效率的太阳能电池、光探测器等光电子器件。 展开更多
关键词 MoSe2纳米线 稀土Er掺杂 热蒸发 吸收 光致发光
文章速递Mn^4+掺杂Sr4Al14O25荧光粉的制备及其发光性能 认领
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作者 吴义炳 阮凯斌 张洪 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期613-620,共8页
采用传统的高温固相反应法成功制备Sr4Al14O25:Mn^4+红色荧光粉。应用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计等对样品形貌和结构进行表征,研究煅烧温度、锰离子掺杂浓度对荧光粉发光性能的影响。实验结果表明,所制备的荧光... 采用传统的高温固相反应法成功制备Sr4Al14O25:Mn^4+红色荧光粉。应用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计等对样品形貌和结构进行表征,研究煅烧温度、锰离子掺杂浓度对荧光粉发光性能的影响。实验结果表明,所制备的荧光粉具有从近紫外到蓝光宽广区域的吸收谱,并能发出强烈的中心波长位于656 nm的红光,这主要是源于Mn^4+离子的自旋禁止的2Eg→4A2跃迁。在Sr4Al14O25:Mn^4+中,Mn^4+离子更倾向于进入AlO6八面体中的替代Al3+离子,当Mn^4+离子的掺杂浓度为x=0.02,煅烧温度为1200℃时发光效率最高,内量子效率达到46.85%。所制荧光粉的色坐标为(0.716,0.284),且发射谱与叶绿素在红光区的吸收峰十分吻合,因而Sr4Al14O25:Mn^4+可用作白光LEDs和植物成长的LEDs红粉。 展开更多
关键词 光致发光 合作用 发光二极管
钼离子增强β-NaRMF 4纳米线的光致发光性能 认领
3
作者 蔡冠宇 熊金平 《北京化工大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期67-75,共9页
采用共沉淀-溶剂热-离子交换(CSIE)法制备了0~20%(摩尔分数,下同)的钼离子(Mo 3+)掺杂的稀土氟化物上转换纳米线(UCNW)β-NaRMF 4。X射线衍射(XRD)分析表明,Mo 3+掺杂可以改变β-NaRMF 4纳米线的晶格结构,导致其(201)晶面衍射峰发生偏... 采用共沉淀-溶剂热-离子交换(CSIE)法制备了0~20%(摩尔分数,下同)的钼离子(Mo 3+)掺杂的稀土氟化物上转换纳米线(UCNW)β-NaRMF 4。X射线衍射(XRD)分析表明,Mo 3+掺杂可以改变β-NaRMF 4纳米线的晶格结构,导致其(201)晶面衍射峰发生偏移。透射电子显微镜(TEM)结果显示,通过控制Mo 3+掺杂量,改变纳米线在三维方向的生长速度,进而调控β-NaRMF 4纳米线的形貌,可使得其直径在20~50 nm范围内变化,长径比在20~500之间变化。荧光光谱显示,在980 nm近红外光激发下,10%Mo 3+掺杂导致β-NaRMF 4纳米线的上转换发光(UCL)增强了10倍。复合材料的上转换发光测试结果表明,β-NaRMF 4:Mo 3+纳米线增强体可赋予聚氨酯(PU)优异的光致发光性能,同时使聚氨酯的抗拉强度提高了99.30%,断裂伸长率提高了25.34%。 展开更多
关键词 稀土 氟化钆钠 离子交换 上转换 光致发光
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绿色蓝晶石的宝石学特征 认领
4
作者 邵天 陈超洋 +2 位作者 黄伟志 李志彬 沈锡田 《宝石和宝石学杂志》 CAS 2020年第2期12-19,共8页
绿色蓝晶石具独特的绿色朦胧观感少见于国内珠宝市场,为了解其宝石学性质与致色机理,运用拉曼光谱、激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、光致发光光谱(PL)技术对不同色调绿色蓝晶石进行成分分析与... 绿色蓝晶石具独特的绿色朦胧观感少见于国内珠宝市场,为了解其宝石学性质与致色机理,运用拉曼光谱、激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、光致发光光谱(PL)技术对不同色调绿色蓝晶石进行成分分析与光谱实验。实验表明,绿色蓝晶石朦胧观感来自于宝石内部大量浑圆石英、短针状滑石包裹体,而其绿色则来自Fe、Cr元素电子跃迁产生的选择性吸收。Fe元素与Cr元素分别在蓝紫区和橙红区产生吸收,造成500 nm附近绿色透射窗,随着Fe元素浓度上升,绿色蓝晶石将呈现黄色调,当Cr元素浓度较高时,样品呈蓝绿色调。光致发光光谱显示,波长为410、580 nm光能有效激发样品红色荧光,由于吸收光谱中Fe相关蓝紫区吸收峰存在,造成紫外荧光灯下呈惰性。 展开更多
关键词 蓝晶石 吸收 光致发光 颜色成因
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噻吩桥联香豆素衍生物的制备及性能研究 认领
5
作者 巩宇玄 张慧 +1 位作者 俞天智 赵玉玲 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期58-63,1共7页
本文合成了三个噻吩桥联香豆素衍生物,7-N,N-二乙氨基-3-(5-(芘-1-基)噻吩-2-基)-香豆素(Py-Th-NC),7-(N,N-二乙氨基)-3-(4-(5-(7-(N,N-二乙氨基)-香豆素-3-基)噻吩-2-基)苯基)-香豆素(NCTh-Ph-NC)和3-(4-(5-(7-(N,N-二乙氨基)-香豆素-3... 本文合成了三个噻吩桥联香豆素衍生物,7-N,N-二乙氨基-3-(5-(芘-1-基)噻吩-2-基)-香豆素(Py-Th-NC),7-(N,N-二乙氨基)-3-(4-(5-(7-(N,N-二乙氨基)-香豆素-3-基)噻吩-2-基)苯基)-香豆素(NCTh-Ph-NC)和3-(4-(5-(7-(N,N-二乙氨基)-香豆素-3-基)噻吩-2-基)苯基)-香豆素(NC-Th-Ph-C),分别采用HRMS、1H NMR和IR对其结构进行了表征,并研究了三个化合物的发光性能、电化学性能及热稳定性。结果表明,这些香豆素衍生物具备很好的热稳定性,并在二氯甲烷溶液中显示蓝绿色或绿色荧光。 展开更多
关键词 香豆素 噻吩 衍生物 光致发光
稀土发光铁电薄膜的研究进展 认领
6
作者 包定华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期298-305,共8页
稀土掺杂是提高光电功能材料性能的重要途径.把稀土掺杂铁电材料与稀土发光相结合,还可拓展出铁电材料的新性能,比如,选择合适的稀土元素掺入钛酸铋铁电材料,可使之在保持较好的铁电性能的同时,又显示良好的发光性能.近年来,这类在氧化... 稀土掺杂是提高光电功能材料性能的重要途径.把稀土掺杂铁电材料与稀土发光相结合,还可拓展出铁电材料的新性能,比如,选择合适的稀土元素掺入钛酸铋铁电材料,可使之在保持较好的铁电性能的同时,又显示良好的发光性能.近年来,这类在氧化物铁电材料中由于稀土离子掺杂产生光致发光特性的研究引起了人们的关注,有望研制集成发光铁电器件.本文简要介绍了稀土发光铁电材料的研究状况,重点介绍我们在稀土发光铁电薄膜方向的研究进展.我们的研究表明,稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜同时具有较好的发光特性和铁电特性,这与其独特的成分构成和层状钙钛矿结构密切相关;Eu3+离子荧光结构探针可以为进一步研究Eu3+掺杂铁电薄膜材料的结构与性能关系提供新思路;在某些铁电薄膜(如Pr离子掺杂的x(K1/2Bi1/2)TiO3-(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3薄膜等)中掺入稀土离子后,稀土离子的发光可用于检测铁电薄膜中是否存在准同型相界;将ZnO纳米材料和金、银纳米颗粒与掺铕钛酸铋薄膜复合,可显著增强稀土发光. 展开更多
关键词 铁电薄膜 稀土掺杂 光致发光
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金刚石氮-空位缺陷发光的温度依赖性 认领
7
作者 王凯悦 郭睿昂 王宏兴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期316-323,共8页
利用低温光致发光光谱研究了金刚石氮-空位(NV)缺陷发光对测试温度的依赖性,并利用电子-声子耦合理论研究了NV缺陷零声子线的增宽机制.结果表明,随着测试温度的升高,NV缺陷零声子线发生位置红移、强度减弱、半高宽增加的现象,这些可以... 利用低温光致发光光谱研究了金刚石氮-空位(NV)缺陷发光对测试温度的依赖性,并利用电子-声子耦合理论研究了NV缺陷零声子线的增宽机制.结果表明,随着测试温度的升高,NV缺陷零声子线发生位置红移、强度减弱、半高宽增加的现象,这些可以归因于金刚石晶格膨胀与电子-声子耦合协同作用.在波动场的作用下,NV缺陷零声子线呈现明显的均匀增宽机制. 展开更多
关键词 金刚石 缺陷 光致发光
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Sm^3+掺杂SrBi4Ti4O15–Bi4Ti3O(12)压电陶瓷的结构、电学和光致发光性能 认领
8
作者 刘芳 江向平 +5 位作者 陈超 黄枭坤 聂鑫 胡浩 苏春阳 陈云婧 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期325-331,共7页
采用固相法制备Sm^3+掺杂SrBi8–xSmxTi7O(27)(SBT–BIT–x Sm3+,0≤x≤0.50)共生铋层状陶瓷,研究了不同掺杂量的Sm3+对样品的结构、介电、压电以及光致发光性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的共生铋层状结构,XRD精修和Ramam... 采用固相法制备Sm^3+掺杂SrBi8–xSmxTi7O(27)(SBT–BIT–x Sm3+,0≤x≤0.50)共生铋层状陶瓷,研究了不同掺杂量的Sm3+对样品的结构、介电、压电以及光致发光性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的共生铋层状结构,XRD精修和Ramam结果显示Sm3+掺杂引起样品晶格畸变的减小,适量的Sm3+掺杂降低了介电损耗tanδ,提升了压电常数d33,当x=0.30时,综合电性能最佳:压电常数d33=16.3 pC/N,tanδ=0.90%。在407 nm近紫外光的激发下,SBT–BIT–x Sm^3+陶瓷样品在598 nm处存在最强的红橙光发射,当x=0.15时,发光强度达到最佳,Sm3+掺杂SBT–BIT共生铋层状陶瓷在光-电多功能器件等领域中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 压电陶瓷 RAMAN 晶格畸变 光致发光
一种酰胺基β-二酮单体及其铕配合物的制备与表征 认领
9
作者 谢炜豪 张秀芹 陈强 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期251-254,共4页
以4-氨基苯乙酮和苯甲酸甲酯为原料,通过酰胺化反应和克莱森缩合反应一步合成了一种具有酰胺基团的β-二酮结构的化合物[N-(4-(3-氧代-3-苯基丙酰基)苯基)苯甲酰胺],并通过1 H-NMR、IR、UV等方式对其结构进行表征。将该新型β-二酮单体... 以4-氨基苯乙酮和苯甲酸甲酯为原料,通过酰胺化反应和克莱森缩合反应一步合成了一种具有酰胺基团的β-二酮结构的化合物[N-(4-(3-氧代-3-苯基丙酰基)苯基)苯甲酰胺],并通过1 H-NMR、IR、UV等方式对其结构进行表征。将该新型β-二酮单体与邻菲罗啉、稀土金属铕离子合成新的铕三元配合物光致发光材料,并对配合物结构和性能进行测试表征。荧光测试结果表明,由于合成的配合物共轭体系刚性更大,结构更加稳定,从而大大降低了配合物的发光能量损失,提高了配合物的发光效率,使得其形成的配合物荧光强度增强。 展开更多
关键词 Β-二酮 邻菲罗啉 铕配合物 光致发光
黄色荧光粉Sr8ZnLu(PO4)7:Eu^2+,Mn^2+的制备与发光性能研究 认领
10
作者 冯嘉俊 张杰棠 黄梓垣 《广州化工》 CAS 2020年第16期40-44,共5页
采用高温固相法制备新型黄色荧光粉Sr8ZnLu(PO4)7:Eu^2+,Mn^2+。分别通过X射线衍射,扫描电镜和荧光光谱研究了材料的物相结构,形貌和发光性能。单掺Eu 2+样品在250~450 nm范围内出现宽峰吸收,预示着该材料可被近紫外芯片有效激发。Eu^2... 采用高温固相法制备新型黄色荧光粉Sr8ZnLu(PO4)7:Eu^2+,Mn^2+。分别通过X射线衍射,扫描电镜和荧光光谱研究了材料的物相结构,形貌和发光性能。单掺Eu 2+样品在250~450 nm范围内出现宽峰吸收,预示着该材料可被近紫外芯片有效激发。Eu^2+发射光谱峰值位于520 nm,发光猝灭的机理被确定为偶极-偶极相互作用。在Eu^2+-Mn^2+共掺样品中荧光粉展现400~700 nm范围可调的宽峰发射。研究表明Sr8ZnLu(PO4)7:Eu^2+,Mn^2+黄色荧光粉在近紫外芯片激活的白光LED领域有潜在应用。 展开更多
关键词 材料 Eu^2+-Mn^2+共掺杂 光致发光
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非晶SiC_xO_y薄膜的光致白光发射 认领
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作者 宋捷 林圳旭 +1 位作者 张毅 黄锐 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期903-907,共5页
利用甚高频等离子体化学气相沉积技术制备不同C组分比例的非晶SiC_xO_y薄膜,研究了其光致发射特性。结果表明:薄膜呈现强白光发射,随着薄膜中C组分比例由23%增加至34%,发光强度增强近30倍。薄膜的主要发光峰位均不依赖于激发波长,薄膜... 利用甚高频等离子体化学气相沉积技术制备不同C组分比例的非晶SiC_xO_y薄膜,研究了其光致发射特性。结果表明:薄膜呈现强白光发射,随着薄膜中C组分比例由23%增加至34%,发光强度增强近30倍。薄膜的主要发光峰位均不依赖于激发波长,薄膜的相结构以非晶富C–SiC_xO_y相为主。结合薄膜的光致发光谱、X射线光电子能谱和红外吸收光谱分析,认为强白光发射主要源于薄膜中Si–C键相关的缺陷态和C相关氧空位缺陷发光中心,薄膜的光发射增强与薄膜中C相关化学键合结构的变化密切相关。 展开更多
关键词 光致发光 碳氧化硅 发射 等离子体增强化学气相沉积
GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律 认领
12
作者 雷琪琪 郭旗 +7 位作者 艾尔肯·阿不都瓦衣提 玛丽娅·黑尼 李豫东 王保顺 王涛 莫镜辉 庄玉 陈加伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期603-609,共7页
为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨... 为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨论。结果表明,随着电子注量的增加,GaAsN/GaAs量子阱光学性能急剧降低,注量为1×1015 e/cm2和1×1016 e/cm2的电子束辐照后,GaAsN/GaAs量子阱PL强度分别衰减为初始值的85%和29%。GaAsN/GaAs量子阱电子辐照后650℃退火5 min,样品PL强度恢复到初始值,材料带隙没有发生变化。GaAsN/GaAs量子阱辐照后750℃和850℃各退火5 min后,样品PL强度随退火温度的升高不断减小,同时N原子外扩散使得样品带隙发生约4 nm蓝移。退火温度升高没有造成带隙更大的蓝移,这是由于进一步的温度升高产生了新的N—As间隙缺陷,抑制了N原子外扩散,同时导致GaAsN/GaAs量子阱光学性能退化。 展开更多
关键词 稀氮 光致发光 电子辐照 GAASN 退火
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应力调控单层MoSe2的光致发光光谱特性 认领
13
作者 廖涵 佘小娟 +4 位作者 陶略 李杨 张加祥 甘甫烷 刘志 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期165-172,共8页
为了探究二维材料在片上可调有源光学器件领域的应用潜力,通过干法转印将由机械剥离法得到的高品质单层二硒化钼转移到正面涂有150nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的双轴压电陶瓷上,制作出可应力调控发光性质的单层二硒化钼光源.对双轴压电陶瓷施... 为了探究二维材料在片上可调有源光学器件领域的应用潜力,通过干法转印将由机械剥离法得到的高品质单层二硒化钼转移到正面涂有150nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的双轴压电陶瓷上,制作出可应力调控发光性质的单层二硒化钼光源.对双轴压电陶瓷施加驱动电压,使电信号转化为应力信号,观察低温下(~5K)二硒化钼光致发光光谱中本征激子态、带电激子态信号峰随应力变化的规律.结果表明:在应力由拉伸应力转变为压应力并逐渐增大的过程中,本征激子态、带电激子态信号峰分别出现了~3.8meV、~3.7meV的波长蓝移.增大压应力、拉伸应力都会导致本征激子态、带电激子态信号峰光强线性降低.同时,与泵浦光圆极化相关的圆偏振度也随应力变化表现出规律性改变.此项研究证明了应力调控与单层二硒化钼光学性质之间的紧密关系,为开发各类基于二维材料的片上可调有源光学器件提供支持. 展开更多
关键词 纳米材料 电器件 光致发光 二硒化钼 激子 带电激子 压电陶瓷 应力调控
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光致发光与变色纤维发展趋势 认领
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作者 程博闻 西鹏 庄旭品 《纺织科学研究》 2020年第4期70-71,共2页
光致发光与变色纤维由于响应速度快、操作方便,在民用功能纤维与纺织品中将发挥不可替代的作用发光纤维是指在外界条件(包括光、电、磁、压力、温度等)激发下,发光中心发生电子跃迁而产生可见光的新型功能纤维。由于光致发光与变色纤维... 光致发光与变色纤维由于响应速度快、操作方便,在民用功能纤维与纺织品中将发挥不可替代的作用发光纤维是指在外界条件(包括光、电、磁、压力、温度等)激发下,发光中心发生电子跃迁而产生可见光的新型功能纤维。由于光致发光与变色纤维具有优异的隐身、伪装、防伪和荧光指示等功能,已经被广泛用于航天航空、军事装备、性显示、特种过程监控、产品防伪识别等领域。 展开更多
关键词 变色纤维 发光纤维 新型功能纤维 光致发光 防伪识别 过程监控 发光中心 电子跃迁
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结构相转变诱导的发光颜色可调和热稳定性增强的磷酸盐Ca10.5-xSrx(PO4)7:Eu^2+荧光粉 认领
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作者 孙志毅 戴鹏鹏 《新疆师范大学学报:自然科学版》 2020年第1期11-16,共6页
文章采用高温固相法合成一系列发光颜色可调的Ca10.5-xSrx(PO4)7:Eu^2+(0≤x≤8)荧光粉。利用X射线衍射、光致发光、热稳定等多个手段对Ca10.5-xSrx(PO4)7:Eu^2+(0≤x≤8)荧光粉的晶体结构和发光性质进行了详细的研究。通过Sr^2+去部分... 文章采用高温固相法合成一系列发光颜色可调的Ca10.5-xSrx(PO4)7:Eu^2+(0≤x≤8)荧光粉。利用X射线衍射、光致发光、热稳定等多个手段对Ca10.5-xSrx(PO4)7:Eu^2+(0≤x≤8)荧光粉的晶体结构和发光性质进行了详细的研究。通过Sr^2+去部分替换基质中的Ca^2+离子,Ca10.5-xSrx(PO4)7:Eu^2+荧光粉物相结构发生转变,空间群由物相1(0≤x≤4)的R3c转变为物相2(6≤x≤8)的R3m空间群。在近紫外光365 nm的激发下,该样品的发射光谱出现连续的红移,发射主峰从480 nm移动至575 nm,实现了从青光至黄光的连续调控。此外,随着Sr^2+浓度的增加,样品的热稳定得到了明显的提升。因此认为相邻原子替代为设计制备高热稳定性的荧光粉材料提供了思路。 展开更多
关键词 高温固相 相邻原子取代 光致发光 热稳定性
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一种锑桥连的四核铥嵌入锑钨酸盐及其发光性质 认领
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作者 谢映松 刘亚轩 +2 位作者 徐佳鹏 徐鑫 陈利娟 《化学研究》 CAS 2020年第1期21-27,共7页
在酸性水溶液中Na9[B-α-SbW9O33]·19.5H2O,SbCl 3,Tm(NO 3)3·6H2O和盐酸二甲胺反应,合成一例锑桥连的四核铥嵌入四聚锑钨酸盐[H2N(CH3)2]8Na6H8{[[Tm4(H2O)6Sb6O4](B-α-SbW10O37)2(B-α-SbW8O31)2}·24H2O(1).该簇合物... 在酸性水溶液中Na9[B-α-SbW9O33]·19.5H2O,SbCl 3,Tm(NO 3)3·6H2O和盐酸二甲胺反应,合成一例锑桥连的四核铥嵌入四聚锑钨酸盐[H2N(CH3)2]8Na6H8{[[Tm4(H2O)6Sb6O4](B-α-SbW10O37)2(B-α-SbW8O31)2}·24H2O(1).该簇合物的四聚阴离子是由两个二缺位[B-α-SbW10O37]11-片段、两个四缺位[B-α-SbW8O31]11-片段和两个[Tm2(H2O)3 Sb3O2]11+簇组成.发光性质研究表明在353 nm紫外光激发下,1的发射光谱在450 nm处显示出一个特征发射峰,该发射峰归属于铥离子1D2→3F4跃迁.它相关的发光性能参数如色度坐标、色纯度、主波长和色温分别为(0.1843,0.1350)、71.69%、470 nm和4471 K.这些数据表明1有可能作为蓝色发光体应用于白光发光二极管领域. 展开更多
关键词 多金属氧酸盐 锑钨酸盐 光致发光
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用光致发光研究不同通量辐照磷酸二氢钾晶体的缺陷 认领
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作者 李香草 刘宝安 +4 位作者 李猛 闫春燕 任杰 刘畅 巨新 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第17期135-139,共5页
磷酸二氢钾晶体中的缺陷对晶体的激光诱导损伤起着重要作用.晶体的激光诱导损伤限制了大功率激光系统的发展.本文用真空紫外光致发光发射谱研究了不同通量辐照下磷酸二氢钾晶体的缺陷.与11.5 J/cm^2辐照下的晶体及退役元件相比,9 J/cm^... 磷酸二氢钾晶体中的缺陷对晶体的激光诱导损伤起着重要作用.晶体的激光诱导损伤限制了大功率激光系统的发展.本文用真空紫外光致发光发射谱研究了不同通量辐照下磷酸二氢钾晶体的缺陷.与11.5 J/cm^2辐照下的晶体及退役元件相比,9 J/cm^2辐照下晶体的荧光谱中在231.55 nm处出现了一个新峰.它可能源于自捕获激子的辐照湮灭.9.0 J/cm^2辐照晶体中主要是短链结构,而退役元件的损伤较复杂,有短链、中链和长链结构.短链中的P—O键比长链中的短,磷的3s轨道与氧的2p轨道重叠增加,则自捕获激子的辐照湮灭增强.结果显示出退役元件与9 J/cm^2辐照下晶体的结构不同.对研究磷酸二氢钾晶体的激光诱导损伤机制有重要意义. 展开更多
关键词 磷酸二氢钾晶体 缺陷 光致发光
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Na0.5Bi4.5–x(Sm0.5Ce0.5)xTi4O(15)铋层状压电陶瓷的结构与光电性能 认领
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作者 李伟 梁岑 +2 位作者 楚丙凯 郝继功 李伟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期332-336,共5页
采用固相合成法制备了Na0.5Bi4.5–x(Sm0.5Ce0.5)xTi4O(15)(NBT–x(Sm,Ce))铋层状无铅压电陶瓷,并研究了(Sm,Ce)3+掺杂对陶瓷材料结构与光电性能的影响。当(Sm,Ce)掺杂到NBT中,陶瓷的相结构和形貌均没有明显变化,而且促进了体系电学性... 采用固相合成法制备了Na0.5Bi4.5–x(Sm0.5Ce0.5)xTi4O(15)(NBT–x(Sm,Ce))铋层状无铅压电陶瓷,并研究了(Sm,Ce)3+掺杂对陶瓷材料结构与光电性能的影响。当(Sm,Ce)掺杂到NBT中,陶瓷的相结构和形貌均没有明显变化,而且促进了体系电学性能。当x=0.008时,其剩余极化强度达到2Pr=13.33μC/cm2,同时Curie温度高达640℃。(Sm,Ce)掺杂改性后,使NBT陶瓷具有了光致发光特性,室温下表现为明亮的橙色光。在407 nm光的激发下,样品在597 nm波长下出现较强的发射带,对应4G5/2→6H7/2能级跃迁。作为一种多功能材料,(Sm,Ce)掺杂的NBT压电陶瓷在光电器件和传感器等方面有着广阔的应用前景。 展开更多
关键词 铋层状陶瓷 铁电 介电 光致发光
X射线荧光粉Gd2O2S:Pr,Ce的固相合成及发光性能研究 认领
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作者 魏国良 尹邦跃 +1 位作者 屈哲昊 郑新海 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期1082-1087,共6页
采用草酸铵共沉淀法实现在Gd2O3中掺杂Pr和Ce,以此为原料,硫粉为硫化剂,无水Na2CO3为助熔剂,1000℃真空固相合成了Gd2O2S:Pr和Gd2O2S:Pr,Ce粉末。采用XRD确认了反应产物为目标产物,制备的Gd2O2S:Pr为六方晶系单一相,粉末粒度分布1~10μm... 采用草酸铵共沉淀法实现在Gd2O3中掺杂Pr和Ce,以此为原料,硫粉为硫化剂,无水Na2CO3为助熔剂,1000℃真空固相合成了Gd2O2S:Pr和Gd2O2S:Pr,Ce粉末。采用XRD确认了反应产物为目标产物,制备的Gd2O2S:Pr为六方晶系单一相,粉末粒度分布1~10μm,在313 nm的紫外光激发下,主发射峰位于511 nm,属于Pr3+的3P0→3H4跃迁。主发射光强度随Pr3+的含量变化而改变,当Pr3+的含量在0.80%时主发射光强度最大。添加Ce3+可以明显降低Gd2O2S:Pr的荧光余辉,但同时也降低了发射光强度,Ce3+的添加量要在余辉控制,荧光光强和闪烁体使用寿命三者间平衡选择。 展开更多
关键词 Gd2O2S X射线荧 固相合成 助熔剂 光致发光
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TBA配体修饰CsPbBr3量子点制备及热稳定性研究 认领
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作者 胡鹏 王新军 +2 位作者 徐志梁 陈幸福 王向华 《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第2期119-124,共6页
在热注入法制备全无机钙钛矿CsPbBr3量子点的过程中,增加使用短链的噻吩-3-硼酸,与长链烷基链配体一起形成量子点表面钝化层,被证明是提高量子点稳定性的有效方法。由于噻吩-3-硼酸中S原子与量子点表面Pb之间有更强的范德瓦尔斯力,可以... 在热注入法制备全无机钙钛矿CsPbBr3量子点的过程中,增加使用短链的噻吩-3-硼酸,与长链烷基链配体一起形成量子点表面钝化层,被证明是提高量子点稳定性的有效方法。由于噻吩-3-硼酸中S原子与量子点表面Pb之间有更强的范德瓦尔斯力,可以在全无机钙钛矿量子点表面形成更加稳定的钝化层,从而有效抑制高温环境下CsPbBr3量子点表面缺陷的产生,以及由此引起的非辐射跃迁过程。对比实验表明,在120℃加热70 min的条件下,基于常规的长链配体的CsPbBr3量子点,其荧光强度大幅衰减到初始值的11%,同时PLQY从50.7%下降到4.5%。基于噻吩-3-硼酸配体表面修饰的CsPbBr3量子点,在相同热处理条件下荧光强度衰减到初始值的51%,相应的PLQY从66.7%下降到32.7%。红外光谱证明该新型配体的加入实现了更稳定的量子点表面钝化,从而有效提高了量子点材料的荧光量子效率和热稳定性。 展开更多
关键词 钙钛矿量子点 噻吩-3-硼酸 热稳定性 光致发光 量子产率
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