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碳纳米管功能化改性聚偏氟乙烯介电复合材料的结构及性能 预览
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作者 陈林 刘虹财 +5 位作者 严磊 郭怡 林宏 蔺海兰 卞军 赵新为 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期126-131,共6页
以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体材料,再分别以酸化多壁碳纳米管(MWCNTs-COOH)和未酸化多壁碳纳米管(MWCNTs)为填料,通过熔融法制备了不同填料含量的MWCNTs-COOH/PVDF及MWCNTs/PVDF介电复合材料。分别采用红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、X射... 以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体材料,再分别以酸化多壁碳纳米管(MWCNTs-COOH)和未酸化多壁碳纳米管(MWCNTs)为填料,通过熔融法制备了不同填料含量的MWCNTs-COOH/PVDF及MWCNTs/PVDF介电复合材料。分别采用红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、拉伸性能测试、电性能测试、差示扫描量热分析(DSC)等方法系统研究了填料含量和碳纳米管酸化前后对复合材料的热性能、力学性能和电性能的影响。XRD测试表明,填料MWCNTs-COOH和MWCNTs的加入促进了PVDF中β晶的生成。力学性能分析表明,MWCNTs-COOH和PVDF形成的界面结合力更强,复合材料的力学强度更高,当MWCNTs-COOH的质量分数为12%时,复合材料的拉伸强度可达64.6 MPa,较纯PVDF提高了24%。介电性能分析表明:未酸化的多壁碳纳米管更容易在PVDF基中构成局部导电网络,促进电子位移极化,提高复合材料的介电常数,并在MWCNTs的质量分数为12%时达到渗流阈值,介电常数达到了286,是纯PVDF的36倍。DSC测试表明,随着填料的增加,介电复合材料的结晶温度、熔融温度和结晶度都相较于纯PVDF得到了提高。 展开更多
关键词 聚偏氟乙烯(PVDF) 多壁碳纳米管(MWCNTs) 性能 力学性能 电性能
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(1-x)(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3-xSnO2无铅压电陶瓷的结构调控及其电学性能研究 预览
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作者 孙力 李若男 +5 位作者 陈维鑫 颜梦涵 樊震坤 杨东亮 李晓东 付鹏 《山东陶瓷》 CAS 2019年第1期8-12,共5页
采用固相合成法和常压烧结法制备了(1-x)(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3-xSnO2(BNBTS,x=0.00-0.04)粉体和陶瓷,采用XRD、SEM和电性能测试手段对BNBTS陶瓷结构、铁电性能、压电性能和介电性能进行了分析,结果发现,添加不同量的SnO2的陶瓷样... 采用固相合成法和常压烧结法制备了(1-x)(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3-xSnO2(BNBTS,x=0.00-0.04)粉体和陶瓷,采用XRD、SEM和电性能测试手段对BNBTS陶瓷结构、铁电性能、压电性能和介电性能进行了分析,结果发现,添加不同量的SnO2的陶瓷样品都形成了单一的钙钛矿结构;SEM图片显示,随着Sn O2的加入,晶粒尺寸减小,晶粒尺寸分布更均匀;电学性能测试结果表明,SnO2的加入明显改变了BNBTS陶瓷的电学性能,随着x的增大,Pr先增大后减小,在x=0.03时,Pr达到最大值36.5μC/cm2,但x在0.01到0.03之间变化时,剩余极化强度Pr变化不明显,而矫顽场Ec则呈减小趋势;压电常数d33随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时,达到最大值134μC/N;各样品具有典型铁电体所具有的'蝴蝶状'的双向应变曲线,随着SnO2含量的增加,负向应变减小,正向应变变大。随着SnO2的加入,BNBTS陶瓷的室温介电常数变大,并表现出弛豫特性,在x=0.03时BNBTS陶瓷室温下的介电常数达到最大值1143。 展开更多
关键词 (1-x)(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3-xSnO2无铅压电陶瓷 结构调控 电性能 电性能 电性能
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振动真空方法对水泥基压电复合材料性能提高表征测试 预览
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作者 丁绍华 马永力 《中国测试》 CAS 北大核心 2019年第3期30-35,共6页
为改善水泥基压电复合材料的密实度,提高材料性能和耐久性,该文提出一种基于振动真空共同作用的方法,制备水泥基压电复合材料,设置两组对照试验。以普通硅酸盐水泥为基体,以锆钛酸铅压电陶瓷PZT为功能体,用振动真空和纯真空方法结合切割... 为改善水泥基压电复合材料的密实度,提高材料性能和耐久性,该文提出一种基于振动真空共同作用的方法,制备水泥基压电复合材料,设置两组对照试验。以普通硅酸盐水泥为基体,以锆钛酸铅压电陶瓷PZT为功能体,用振动真空和纯真空方法结合切割-填充法制备出1-3型、2-2型PZT/水泥基压电复合材料.研究分析振动真空和纯真空下水泥基压电复合材料的压电性、介电性和机电耦合性能的变化规律。结果表明:采用振动真空方法所得到的试件,其压电应变常数d33和相对介电常数εγ比纯真空方法得到的结果相对偏大,而相对应的压电电压常数g33则偏小,压电性能更好。振动真空方法得到的试件,其串联谐振频率fs和并联谐振频率fp较纯真空方法得到的试件要更小,而Kp、Kt和Qm的值都稍微更大,机电耦合性能更好。 展开更多
关键词 水泥基压电复合材料 振动真空 电性能 电性能 机电耦合系数
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Sr、Mn离子掺杂PMS-PZT压电陶瓷相组成与性能研究 预览
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作者 甘有为 严继康 +3 位作者 杨坚 徐腾威 甘国友 易健宏 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第2期543-547,共5页
针对聚焦超声换能器用压电陶瓷,采用传统的固相法制备Pb1. 04(Mn1/3Sb2/3)0. 05Zr0. 47Ti0. 48O3+x%Sr CO3+y%MnO2(x+y=0. 3)(PMS-PZT)三元系压电陶瓷。使用正交实验分析方法研究添加不同比例的Sr、Mn离子后PMS-PZT压电陶瓷电学性能的... 针对聚焦超声换能器用压电陶瓷,采用传统的固相法制备Pb1. 04(Mn1/3Sb2/3)0. 05Zr0. 47Ti0. 48O3+x%Sr CO3+y%MnO2(x+y=0. 3)(PMS-PZT)三元系压电陶瓷。使用正交实验分析方法研究添加不同比例的Sr、Mn离子后PMS-PZT压电陶瓷电学性能的变化。讨论了在准同型相界(MPB)随着掺杂元素相对含量的改变对压电陶瓷的相对介电常数εr、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm和压电常数d33的影响。通过研究发现:在900℃煅烧,1180℃烧结保温2 h,当x=0. 15时,三方相和四方相共存且三方度最大,得到综合性能优良的压电陶瓷材料:密度ρ=7. 84 g/cm3、压电常数d33=336 p C/N、机械品质因数Qm=1889、机电耦合系数kp=0. 63、相对介电常数εr=1479,采用此工艺制备的压电陶瓷完全满足高强度超声换能器用的压电材料。 展开更多
关键词 PMS-PZT 准同型相界 Sr/Mn掺杂 电性能 电性能
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MnO2/CeO2掺杂PZT压电陶瓷性能研究 预览
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作者 周艳明 《陶瓷》 CAS 2019年第1期33-38,共6页
压电报警器是采用压电陶瓷片作为核心的装置。它具有体积小而发生效果好的特点,因而得到广泛的应用。但是现存的报警器的声压级达不到实际的需求水平,这是因为压电陶瓷材料的性能限制。笔者采用传统的固相法制备PZT二元系压电陶瓷。研... 压电报警器是采用压电陶瓷片作为核心的装置。它具有体积小而发生效果好的特点,因而得到广泛的应用。但是现存的报警器的声压级达不到实际的需求水平,这是因为压电陶瓷材料的性能限制。笔者采用传统的固相法制备PZT二元系压电陶瓷。研究了掺杂不同含量为0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,0.30%和0.35%的MnO2 和CeO2 对PZT压电陶瓷的结构,介电性能,压电性能和介电损耗的影响。并对其微观组织进行了研究。当锰的掺杂量为0.15%时,压电陶瓷的性能得到最佳的优化:tgδ=0.0095;kp=0.634pC/N;d33=611;ε=2523。铈的掺杂使陶瓷的烧结温度升高,当铈的掺杂量为0.15%时,压电陶瓷的性能也得到了最佳的优化:tgδ=0.017;kp=0.623;d33=563pC/N;ε=3310。综上所述,在原配方材料的基础上压电常数和机电耦合系数都有所增加。这对压电报警器的声压的提高、体积的减小有着重要的意义。 展开更多
关键词 压电陶瓷 电性能 电性能 电损耗 掺杂量
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Ba^2+和La^3+共掺杂对PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷性能的影响
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作者 张元松 张静 +2 位作者 褚涛 刘长流 张珍宣 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期36-40,共5页
采用固相烧结法制备了Ba^2+和La^3+共掺杂的PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷。通过XRD、SEM研究了组分的微观结构,并研究了不同Ba^2+和La^3+共掺杂量对组分的密度及压电介电性能的影响。研究表明:组分的相结构均为单一的ABO3型钙钛矿结构... 采用固相烧结法制备了Ba^2+和La^3+共掺杂的PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷。通过XRD、SEM研究了组分的微观结构,并研究了不同Ba^2+和La^3+共掺杂量对组分的密度及压电介电性能的影响。研究表明:组分的相结构均为单一的ABO3型钙钛矿结构;当x≤0.025时,组分的密度变化不大,x>0.025时,密度略有下降;不同量的Ba^2+、La^3+共掺杂到组分中,所有陶瓷样品存在特征双峰和准同型相界。在x=0.025处,陶瓷的特征双峰逐渐向中间靠拢,说明该处的准同型相界结构最为稳定;当x=0.025时,陶瓷的压电介电性能获得最优,即:εr=6327、d33=911pC/N、Kp=0.78、tanδ=2.94%、Qm=25。 展开更多
关键词 PZN-PNN-PSN-PZT 五元系压电陶瓷 Ba^2+和La^3+共掺杂 密度 电性能 电性能
氧化剂浓度对聚吡咯/聚苯胺复合材料电磁性能的影响 预览
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作者 张一曲 赵晓明 +2 位作者 殷光 罗蕙敏 刘元军 《纺织科学与工程学报》 CAS 2019年第2期68-73,共6页
首先以锦纶为基材,采用原位聚合法制备了聚吡咯/聚苯胺复合材料,重点研究了氧化剂浓度对聚吡咯/聚苯胺复合材料介电性能、屏蔽效能、导电性能、力学性能的影响。结果表明:在0MHz~80MHz的频率范围内,氧化剂的浓度与吡咯、苯胺的比值为1:2... 首先以锦纶为基材,采用原位聚合法制备了聚吡咯/聚苯胺复合材料,重点研究了氧化剂浓度对聚吡咯/聚苯胺复合材料介电性能、屏蔽效能、导电性能、力学性能的影响。结果表明:在0MHz~80MHz的频率范围内,氧化剂的浓度与吡咯、苯胺的比值为1:2时,聚吡咯/聚苯胺复合材料的介电常数的实部、虚部、损耗角正切最大,对电磁波的极化能力、损耗能力和衰减能力最强;在0MHz~50MHz的频率范围内,氧化剂浓度与吡咯、苯胺的比值为3:1时,聚吡咯/聚苯胺复合材料的屏蔽效能最好,聚吡咯/聚苯胺复合材料的电阻最小,导电性能最好;氧化剂浓度与吡咯、苯胺的比值为1:1时,聚吡咯/聚苯胺复合材料的力学性能最好。 展开更多
关键词 聚吡咯 聚苯胺 复合材料 电性能 屏蔽效能 电性能
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(1-x)(Na0.5K0.5)NbO3-x(Ba0.88Ca0.12Zr0.12Ti0.88O3)无铅压电陶瓷的制备及性能研究 预览
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作者 徐香新 邢鹏飞 《功能材料》 CSCD 北大核心 2019年第10期10008-10012,共5页
介绍了一种利用传统固态烧结法制作的无铅压电陶瓷(1-x)(Na0.5K0.5)NbO3-x(Ba0.88Ca0.12Zr0.12Ti0.88O3)((1-x)KNN-xBCZT)。(1-x)KNN-xBCZT是由KNN和BCZT形成的均匀固溶体。随着BCZT浓度的增加,(1-x)KNN-xBCZT的Tc和四方相-正交相的相... 介绍了一种利用传统固态烧结法制作的无铅压电陶瓷(1-x)(Na0.5K0.5)NbO3-x(Ba0.88Ca0.12Zr0.12Ti0.88O3)((1-x)KNN-xBCZT)。(1-x)KNN-xBCZT是由KNN和BCZT形成的均匀固溶体。随着BCZT浓度的增加,(1-x)KNN-xBCZT的Tc和四方相-正交相的相变温度呈近似直线方式下降。相变温度的降低,有助于提升固溶体的电性能,当x=0.055时(1-x)KNN-xBCZT陶瓷性能达到最优。MnO2助烧剂可以进一步降低(1-x)KNN-xBCZT陶瓷的相变温度,使(1-x)KNN-xBCZT陶瓷更为致密。0.055BCZT-0.945KNN-0.01MnO2陶瓷展现出的性能为d33=212pC/N,d31=-75pC/N,kp=45%,ε=875,tanδ=0.02和TC=340℃,TO-T=127℃。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 制备 相变 电性能 电性能
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纳米TiO2/硅橡胶复合材料的制备及研究
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作者 卢婷婷 刘茜 辛三法 《高分子通报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第11期40-46,共7页
介电弹性体是一种通过在其两端施加电压就能够获得变形的材料.硅橡胶类介电弹性体因变形响应速度快、可自由制备、温度适用范围广等优点而备受关注,但是因介电常数较低、激发电场强度较高、电致变形较小等缺点制约了其发展.针对这些问题... 介电弹性体是一种通过在其两端施加电压就能够获得变形的材料.硅橡胶类介电弹性体因变形响应速度快、可自由制备、温度适用范围广等优点而备受关注,但是因介电常数较低、激发电场强度较高、电致变形较小等缺点制约了其发展.针对这些问题,本文以液体硅橡胶为基体,以纳米TiO2为填料,通过溶液混合法制备了纳米TiO2/硅橡胶复合材料,并对其介电性能、电致变形性能进行测试.结果 表明,通过在聚合物基体中添加纳米TiO2,提高了其介电常数,降低了介电损耗,能够获得较大的电致变形. 展开更多
关键词 硅橡胶 电弹性体 纳米TiO2 电性能 电致变形
用于高介电复合材料的全包裹Ag@TiO2填充颗粒的制备 预览
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作者 简刚 刘美瑞 +1 位作者 张晨 邵辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期641-645,共5页
高介电复合材料是近年来受到广泛关注的一种材料,可用于嵌入式电容器及储能器件。本研究使用钛醇盐水解法在室温下制备全包裹Ag@TiO2颗粒,对该颗粒填充的复合材料进行漏电流、介电和储能性能表征,并对其介电机理进行探讨。扫描电子显微... 高介电复合材料是近年来受到广泛关注的一种材料,可用于嵌入式电容器及储能器件。本研究使用钛醇盐水解法在室温下制备全包裹Ag@TiO2颗粒,对该颗粒填充的复合材料进行漏电流、介电和储能性能表征,并对其介电机理进行探讨。扫描电子显微镜和能谱结果显示Ag@TiO2颗粒具有球形的全包裹核壳结构,壳层厚度大约为400nm。X射线衍射结果验证了Ag@TiO2颗粒具有完整的物相。Ag@TiO2填充的聚二甲基硅氧烷复合材料表现出小的漏电流(10^-8A/cm^2)、较大的介电系数(108)、低的介电损耗(0.2%)和较大的储能密度(8.58×10^-3J/cm^3)。有效场和Maxwell相结合的理论模型与实验数据对比验证,推测界面极化作用提高了复合材料的等效介电系数。该颗粒填充的复合材料在嵌入式电容器方面具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 Ag@TiO2 复合材料 界面极化 电性能
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锌硼硅玻璃掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响 被引量:1
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作者 黄雪琛 王婷婷 +1 位作者 张小龙 祝晓岚 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期12-16,共5页
用固相法制备了ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃及ZBS玻璃掺杂钛酸钡基介质陶瓷,研究ZBS含量对陶瓷的密度、结构及介电温度特性的影响,研究表明:随着ZBS玻璃的增加,烧结温度逐渐降低,陶瓷晶体的结晶度逐渐减弱,平均晶粒尺寸先增大后减小,所有的... 用固相法制备了ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃及ZBS玻璃掺杂钛酸钡基介质陶瓷,研究ZBS含量对陶瓷的密度、结构及介电温度特性的影响,研究表明:随着ZBS玻璃的增加,烧结温度逐渐降低,陶瓷晶体的结晶度逐渐减弱,平均晶粒尺寸先增大后减小,所有的样品的介温曲线都出现了双峰结构,室温介电常数先增加后减小,介电损耗逐渐减小。当ZBS含量为1 wt%时,室温介电常数为1127,介电损耗为0.015。烧结温度为1125℃,满足容温变化率(△C/C25℃≤±15%)的工作温度范围为-55~190℃。 展开更多
关键词 ZBS玻璃 高温电稳定性 显微结构 电性能
模板法制备MoSi2/竹炭复合材料及吸波性能 预览
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作者 尚楷 武志红 +2 位作者 张路平 王倩 郑海康 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期122-128,共7页
以竹材炭化的多孔竹炭(BC)为模板,金属间化合物二硅化钼(MoSi2)为吸收剂,采用包埋硅(Si)粉固相烧结工艺制备MoSi2/BC多孔复合吸波材料。利用XRD、SEM和矢量网络分析仪对MoSi2/BC复合材料的物相组成、显微结构、介电和吸波性能进行表征... 以竹材炭化的多孔竹炭(BC)为模板,金属间化合物二硅化钼(MoSi2)为吸收剂,采用包埋硅(Si)粉固相烧结工艺制备MoSi2/BC多孔复合吸波材料。利用XRD、SEM和矢量网络分析仪对MoSi2/BC复合材料的物相组成、显微结构、介电和吸波性能进行表征。结果表明:在氩气(Ar)保护气氛下,1450℃烧结制备的MoSi2/BC复合材料主要含物相MoSi2.、SiC及无定型碳。BC基体孔隙内除分布有MoSi2外,还布满排列无序、尺寸长短不一、相互交叉呈网状的碳化硅晶须(SiCW),SiCW的存在可有效提高复合材料电磁波吸收性能。在8.2~12.4GHz频率范围内,与环氧树脂混合后,复合材料反射率随MoSi2/BC含量增加而逐渐减小。MoSi2/BC含量为50%(质量分数)时,随试样厚度增加反射率降低,且最小反射率向高频方向移动;在11.87GHz处最低反射率为-13dB,反射损耗小于-10dB带宽约达1.0GHz,具有良好的吸波性能。 展开更多
关键词 复合材料 MoSi2/竹炭吸波材料 模板法 电性能
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炭黑对橡胶介电性能影响规律的研究 预览
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作者 李涛 夏广臻 +3 位作者 金睿珠 叶汝舟 陈海龙 李庆领 《机械制造》 2019年第5期100-101,104共3页
采用混炼的方法,制备炭黑含量分别为5g.10g、15g、20g和25g的橡胶试样。应用E499B阻抗分析仪测量试样的介电谱特性,分析各介电参数随频率和炭黑份数变化的规律。结果表明:各介电参数随频率的提高而缓慢变化;当频率提高到某一值时,各介... 采用混炼的方法,制备炭黑含量分别为5g.10g、15g、20g和25g的橡胶试样。应用E499B阻抗分析仪测量试样的介电谱特性,分析各介电参数随频率和炭黑份数变化的规律。结果表明:各介电参数随频率的提高而缓慢变化;当频率提高到某一值时,各介电参数迅速增大,达到最大值后又迅速减小;各介电参数峰值所对应的频率为1GHz.2GHz;随着炭黑含量的增加,各介电参数峰值所对应的频率逐渐降低。通过研究确认,当炭黑含量为15g时,橡胶的介电性能最佳。 展开更多
关键词 炭黑 橡胶 电性能
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Fe2O3对MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃介电性能的影响 预览
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作者 张春霖 王海 +1 位作者 高新宇 李静 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第7期1360-1364,共5页
以化学纯试剂为原料采用高温熔融法制备MgO-Al2O3-SiO2(MAS)系微晶玻璃,利用差热分析仪(DSC)、X射线衍射(XRD)、电子扫描显微镜(SEM)以及介电检测等手段对Fe2O3在MAS系微晶玻璃中介电性能的影响进行探究。结果表明:Fe2O3有降低微晶玻璃... 以化学纯试剂为原料采用高温熔融法制备MgO-Al2O3-SiO2(MAS)系微晶玻璃,利用差热分析仪(DSC)、X射线衍射(XRD)、电子扫描显微镜(SEM)以及介电检测等手段对Fe2O3在MAS系微晶玻璃中介电性能的影响进行探究。结果表明:Fe2O3有降低微晶玻璃核化和晶化温度的作用;随着Fe2O3的加入,试样的主晶相由堇青石向镁铝尖晶石转变,试样的介电常数和介电损耗逐渐减小并且电阻率增高;当Fe2O3的添加量大于6%时,微晶玻璃的介电性能变化不大,趋于稳定。 展开更多
关键词 FE2O3 微晶玻璃 电性能
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PVDF/CaCu(3-x)MgxTi4O12复合材料制备及介电性能 预览
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作者 杜月 蔡会武 +4 位作者 王行行 石凯 陈守丽 田珂 刘圣楠 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期16-22,共7页
通过溶胶凝胶法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO),CaCu(3-x)MgxTi4O12(CCMTO,x=0.02,0.1,0.2)陶瓷颗粒,以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体,采用机械共混热压制备了PVDF/CCMTO复合材料。研究了CCMTO煅烧温度和Mg^2+掺杂量对PVDF/CCMTO复合材料介电性能、... 通过溶胶凝胶法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO),CaCu(3-x)MgxTi4O12(CCMTO,x=0.02,0.1,0.2)陶瓷颗粒,以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体,采用机械共混热压制备了PVDF/CCMTO复合材料。研究了CCMTO煅烧温度和Mg^2+掺杂量对PVDF/CCMTO复合材料介电性能、击穿电压、储能密度的影响,以及CCTO填充量对PVDF/CCTO复合材料拉伸强度的影响。结果表明,当煅烧温度为700℃时,陶瓷颗粒粒径较小且分布较窄,复合材料介电性能较好,Mg^2+掺杂后增大了CCTO陶瓷颗粒的晶粒尺寸,当x=0.1时,复合材料的介电常数可以到达96,介电损耗为0.21(填料含量为60%,常温,100 Hz时),此时PVDF/CCMTO储能密度达到1.284 J/cm^3,相比于PVDF/CCTO储能密度提高了一倍。在相同填充量下击穿电压几乎相差不大。PVDF/CCMTO相比于PVDF/CCTO介电常数提高了71%,介电损耗几乎不变,Mg^2+掺杂显著提高了PVDF/CCTO复合材料的介电性能。当CCTO填充量为50%时,复合材料出现团聚现象,PVDF/CCTO复合材料随CCTO填充量的增加,拉伸强度不断下降。 展开更多
关键词 钛酸铜钙 掺杂 电性能 聚偏氟乙烯 储能密度
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Nd含量对Bi6-xNdxFe1.4Ni0.6Ti3O18多晶材料多铁性的影响 预览
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作者 陈诚 卢建安 +3 位作者 杜微 王伟 毛翔宇 陈小兵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期254-263,共10页
采用柠檬酸-硝酸盐法制备了Bi6-xNdxFe1.4Ni0.6Ti3O18(BNFNT-x,x=0.00,0.10,0.20,0.25和0.30)前驱液,再经过干燥、烧结过程制备了单相多晶材料.研究发现,少量Nd掺杂有助于提高样品的铁电性能,BNFNT-0.25样品的铁电性能(2Pr)最大,约达到1... 采用柠檬酸-硝酸盐法制备了Bi6-xNdxFe1.4Ni0.6Ti3O18(BNFNT-x,x=0.00,0.10,0.20,0.25和0.30)前驱液,再经过干燥、烧结过程制备了单相多晶材料.研究发现,少量Nd掺杂有助于提高样品的铁电性能,BNFNT-0.25样品的铁电性能(2Pr)最大,约达到19.7μC/cm2.室温下BNFNT-0.20样品磁性能(2Ms)最大约达到4.132 emu/g(1 emu/g=10–3 A·m2/g).变温介电损耗结果表明Nd掺杂降低了Fe3+和Fe2+间的电子转移或跃迁的激活能.X射线光电子能谱结果表明小量Nd掺杂有助于增强Bi离子稳定性,对改善样品的铁电性能有积极意义. 展开更多
关键词 层状钙钛矿 陶瓷 多铁性 电性能
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BaO含量对K2O-B2O3-SiO2-Al2O3低温烧结材料性能的影响 预览
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作者 尚勇 钟朝位 李欣源 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期26-31,共6页
在不添加熔融玻璃的情况下,采用一次预烧法制备了低温烧结的K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料,并系统地讨论了BaO含量对复合材料微观结构、物相组成、介电性能、弯曲强度和热膨胀系数的影响。X射线衍射结果表明复合材料的主晶相为石英相,次... 在不添加熔融玻璃的情况下,采用一次预烧法制备了低温烧结的K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料,并系统地讨论了BaO含量对复合材料微观结构、物相组成、介电性能、弯曲强度和热膨胀系数的影响。X射线衍射结果表明复合材料的主晶相为石英相,次晶相为氧化铝相。除此之外,研究结果表明调整BaO含量有利于获得良好的烧结性能。当BaO质量分数为5%时,在850℃烧结的复合材料在14GHz下的相对介电常数(εr)为5.42,介电损耗为3.6×10^-3,热膨胀系数(TEC)为8.4×10^-6/℃,弯曲强度为158MPa。这为制备新型的LTCC材料提供了一种有效的方法,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料 低温共烧陶瓷 电性能 高弯曲强度
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CuO-B2O3掺杂对BaAl2Si2O8陶瓷结构及微波介电性能的影响 预览
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作者 黄龙 丁士华 +2 位作者 严欣堪 宋天秀 张云 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期32-37,共6页
采用固相反应法制备BaAl2Si2O8-x(CuO-B2O3)(质量分数x=0%, 1%, 1.5%, 2%, 2.5%)陶瓷。探究了添加不同量的CuO-B2O3(CB)烧结助剂对BaAl2Si2O8(BAS)陶瓷的烧结温度、结构及微波介电性能的影响。结果表明:质量分数1%的CB烧结助剂可促进BA... 采用固相反应法制备BaAl2Si2O8-x(CuO-B2O3)(质量分数x=0%, 1%, 1.5%, 2%, 2.5%)陶瓷。探究了添加不同量的CuO-B2O3(CB)烧结助剂对BaAl2Si2O8(BAS)陶瓷的烧结温度、结构及微波介电性能的影响。结果表明:质量分数1%的CB烧结助剂可促进BAS晶体结构由六方相全部转变为单斜相,并且CB烧结助剂添加量在质量分数2.5%范围以内,无第二相生成。添加质量分数1%的CB烧结助剂可使BAS陶瓷烧结密度增加到最大值,并能将烧结温度由1400℃降低至1250℃,制备的BAS陶瓷的相对介电常数(εr)和品质因数(Q f)达到最大值,并且谐振频率温度系数(τf)的绝对值也减小至最小值,其介电性能为:εr=6.47, Q f=30198GHz,τf=-14.78×10^-6℃^-1。 展开更多
关键词 钡长石 烧结助剂 六方相 单斜相 晶体结构 电性能
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CB/CNTs/PP导电高聚物力/温度作用下介电性能的研究 预览
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作者 蔡红雷 闫晓鑫 +3 位作者 张安江 邵宇 张明华 杜建科 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期11024-11029,共6页
以聚丙烯(PP)为基体,炭黑(CB)和碳纳米管(CNTs)为填料,通过熔融共混、注塑成型制备导电复合材料,测定电场频率、填料种类、填料含量以及温度、载荷等因素对其介电性能的影响。结果表明,室温下,随着填料含量的增加,材料介电常数和介电损... 以聚丙烯(PP)为基体,炭黑(CB)和碳纳米管(CNTs)为填料,通过熔融共混、注塑成型制备导电复合材料,测定电场频率、填料种类、填料含量以及温度、载荷等因素对其介电性能的影响。结果表明,室温下,随着填料含量的增加,材料介电常数和介电损耗均呈增大趋势;随着频率的增加(100 Hz~10MHz),介电常数和介电损耗首先迅速降低,然后逐渐趋于稳定;随着CNTs的加入,CB/CNTs/PP导电复合材料的介电常数明显增大,但是当填料含量达到某一定值时,继续增大CNTs的含量,介电常数反而下降;同一频率下,随着温度的升高(30~100℃),由热膨胀引起炭黑粒子间距的变化会导致介电常数减小。复合材料压缩实验表明:压缩载荷作用下,材料发生形变,基体中的CB粒子间相对位置改变,引起介电常数减小。 展开更多
关键词 聚丙烯 炭黑 频率 压缩载荷 温度 电性能
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聚酰亚胺/纳米SiO2 -Al2O3耐电晕薄膜的介电特性 预览
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作者 杨瑞宵 陈昊 +1 位作者 范勇 赵伟 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期57-64,共8页
采用热液法制备了纳米SiO2-Al2O3分散液,并用原位聚合法制备了单层及三层复合的聚酰亚胺(PI)/纳米SiO2-Al2O3薄膜。研究了场强及温度对薄膜耐电晕寿命的影响,及掺杂量和复合结构对复合薄膜介电特性的影响。采用透射电镜(TEM)、扫描电镜(... 采用热液法制备了纳米SiO2-Al2O3分散液,并用原位聚合法制备了单层及三层复合的聚酰亚胺(PI)/纳米SiO2-Al2O3薄膜。研究了场强及温度对薄膜耐电晕寿命的影响,及掺杂量和复合结构对复合薄膜介电特性的影响。采用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)及红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的形貌和结构进行了表征。结果表明:引入纳米SiO2-Al2O3,材料的耐电晕寿命可以大幅度提高,外推至20 kV/mm时(155℃,50 Hz),纳米粒子掺杂量为20%的PI/纳米SiO2-Al2O3三层复合薄膜的耐电晕寿命为3 230.0 h,是纯PI薄膜的41.7倍,Kapton100CR薄膜的3.7倍。该文结合结构表征和介电性能分析探讨了相应的耐电晕机制。 展开更多
关键词 复合薄膜 聚酰亚胺 纳米SiO2-Al2O3 电性能 耐电晕
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