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GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展 预览
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作者 张哲 赵江赫 +2 位作者 张铭 熊青昀 熊金平 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期114-125,共12页
提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关... 提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关注的体系包括无机酸蚀刻体系、有机酸蚀刻体系、混酸蚀刻体系及其他蚀刻体系,对各蚀刻体系的蚀刻速率及蚀刻后的表面形貌进行对比,指出了各蚀刻体系优点与不足及后续的研究方向,归纳总结各了蚀刻体系中主要组成的作用。综述发现,可用于GaSb化学蚀刻液中的氧化剂主要有H2O2、HNO3、I2、Br2、KMnO4,络合剂(或溶解剂)主要有酒石酸、HF、HCl、柠檬酸等,缓冲剂(或稀释剂)主要有HAc和H2O等。盐酸、双氧水和无机酸组成蚀刻液的蚀刻速率适中,蚀刻表面较为光滑;硝酸、氢氟酸组成的蚀刻液具有蚀刻速率快的优点,可通过添加有机酸或缓冲剂改善蚀刻效果,具有很大的发展前景;磷酸体系则具有蚀刻后台面平整、下切效应小等优点,但蚀刻速率较慢,蚀刻后表面较粗糙;硫酸体系蚀刻后表面较粗糙,不适于GaSb的湿法蚀刻;单一的有机酸和碱性体系的蚀刻速率较慢,但由于具有很强的蚀刻选择性,被广泛应用于GaSb基材料的选择性蚀刻。总体来说,无机酸和有机酸组成的蚀刻体系更有利于提高GaSb材料的蚀刻速率及控制表面形貌,各蚀刻体系均存在蚀刻速率可调性不强、蚀刻形貌质量不可控、蚀刻可重复性较差等问题。基于此,总结了改进湿法化学蚀刻GaSb材料的多种研究思路,并对GaSb材料湿法蚀刻的未来发展方向进行展望。 展开更多
关键词 GaSb半导体材料 化学蚀刻 湿法蚀刻 蚀刻体系 蚀刻速率 蚀刻成分作用
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湿法刻蚀提高硅刻蚀均匀性技术研究 预览
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作者 祝福生 夏楠君 +2 位作者 赵宝君 黄鑫亮 王文丽 《电子工业专用设备》 2019年第5期13-16,共4页
介绍了硅湿法刻蚀的工作原理,分析了影响硅刻蚀均匀性的主要因素,重点阐述了在湿法腐蚀设备中提高硅刻蚀均匀性的方法。
关键词 湿法刻蚀 各向同性刻蚀 各向异性刻蚀 刻蚀均匀性
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808nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作 预览
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作者 班雪峰 赵懿昊 +2 位作者 王翠鸾 刘素平 马骁宇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第11期41-46,共6页
半导体分布反馈(DFB)激光器的核心工艺之一是分布反馈光栅的制作,设计了808 nm DFB激光器的一级光栅结构。利用纳米压印技术与干法刻蚀附加湿法腐蚀制作了周期为120 nm的梯形布拉格光栅结构,使用MATLAB和Pics3D软件模拟了一次外延结构... 半导体分布反馈(DFB)激光器的核心工艺之一是分布反馈光栅的制作,设计了808 nm DFB激光器的一级光栅结构。利用纳米压印技术与干法刻蚀附加湿法腐蚀制作了周期为120 nm的梯形布拉格光栅结构,使用MATLAB和Pics3D软件模拟了一次外延结构的光场分布和能带图。通过优化湿法腐蚀所用腐蚀液各组分比例、腐蚀温度、腐蚀时间等条件,得到了理想的湿法腐蚀工艺参数。扫描电子显微镜表征显示,光栅周期为120 nm,光栅深度约为85 nm,占空比约为47%,光栅边缘线条平直,表面平滑,周期均匀。创新型的引入湿法腐蚀工艺和腐蚀牺牲层使光栅表面的洁净度得到保证,提高了二次外延质量的同时,也为进一步制作DFB激光器高性能芯片奠定了良好的基础。 展开更多
关键词 半导体激光器 分布反馈 一级光栅 纳米压印 干法刻蚀 湿法腐蚀
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Etching‐assisted femtosecond laser modification of hard materials 预览
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作者 Xue-Qing Liu Ben-Feng Bai +1 位作者 Qi-Dai Chen Hong-Bo Sun 《光电进展(英文)》 2019年第9期1-14,共14页
With high hardness, high thermal and chemical stability and excellent optical performance, hard materials exhibit great potential applications in various fields, especially in harsh conditions. Femtosecond laser ablat... With high hardness, high thermal and chemical stability and excellent optical performance, hard materials exhibit great potential applications in various fields, especially in harsh conditions. Femtosecond laser ablation has the capability to fabricate three-dimensional micro/nanostructures in hard materials. However, the low efficiency, low precision and high surface roughness are the main stumbling blocks for femtosecond laser processing of hard materials. So far, etching- assisted femtosecond laser modification has demonstrated to be the efficient strategy to solve the above problems when processing hard materials, including wet etching and dry etching. In this review, femtosecond laser modification that would influence the etching selectivity is introduced. The fundamental and recent applications of the two kinds of etching assisted femtosecond laser modification technologies are summarized. In addition, the challenges and application prospects of these technologies are discussed. 展开更多
关键词 FEMTOSECOND laser HARD materials WET ETCHING DRY ETCHING
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“自上而下”法制备高性能GaN纳米线阵列 预览
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作者 桂奇 祝元坤 王现英 《电子科技》 2019年第9期1-4,31共5页
针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL... 针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL光谱的影响,同时也对比了干法刻蚀后,有无湿法处理的影响。研究发现,当ICP功率为1000W,RF功率为100W时,GaN纳米线的拉曼和PL光谱强度较大,表明此功率下刻蚀的纳米线损伤较小。经过KOH浸泡30min后,GaN纳米线的形貌得到了改善,拉曼和PL光谱强度均优于单纯的干法刻蚀,为下一步器件的制备提供了良好的材料基础。 展开更多
关键词 GAN 纳米线 Ni掩膜 ICP刻蚀 湿法腐蚀 侧壁形貌
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半球谐振陀螺用石英玻璃性能及湿法刻蚀特性 预览
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作者 杜秀蓉 宋学富 +2 位作者 孙元成 张晓强 花宁 《导航定位与授时》 2019年第6期27-32,共6页
熔融石英玻璃是半球谐振陀螺的关键核心材料。针对半球谐振陀螺用石英玻璃及湿法刻蚀减薄工序,分析了石英玻璃种类、性能指标差异,研究了熔融石英玻璃湿法刻蚀过程表面缺陷及形态变化。结果表明,熔融石英玻璃机械加工残留的亚表面缺陷... 熔融石英玻璃是半球谐振陀螺的关键核心材料。针对半球谐振陀螺用石英玻璃及湿法刻蚀减薄工序,分析了石英玻璃种类、性能指标差异,研究了熔融石英玻璃湿法刻蚀过程表面缺陷及形态变化。结果表明,熔融石英玻璃机械加工残留的亚表面缺陷在湿法刻蚀过程中会发生形态和大小变化,对熔融石英玻璃的均匀刻蚀影响较大。基于上述研究结果,给出了半球谐振陀螺的选材和球壳湿法刻蚀减薄工艺参考。 展开更多
关键词 熔融石英玻璃 湿法刻蚀 半球谐振陀螺
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Influence of Chemical Stability on the Fabrication of MnGa-based Devices 预览
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作者 Lijun Zhu Jianhua Zhao 《微电子制造学报》 2019年第3期13-16,共4页
Ferromagnetic films of L10-ordered MnGa have shown promise not only in the applications in ultrahigh-density magnetic recording and spintronic memories,oscillators,and sensors,but also in controllable studies of novel... Ferromagnetic films of L10-ordered MnGa have shown promise not only in the applications in ultrahigh-density magnetic recording and spintronic memories,oscillators,and sensors,but also in controllable studies of novel electrical transport phenomena.However,the stability of MnGa in chemicals and oxygen plasma that are commonly used in the standard micronano-fabrication process has remained unsettled.In this work,we report a systematic study on the chemical stability of the MnGa films in acids,acetone,ethanol,deionized water,tetramethylammonium hydroxide (TMAOH) and oxygen plasma.We find that MnGa is very stable in acetone and ethanol,while can be attacked substantially if soaked in TMAOH solution for sufficiently long time.Deionized water and acids (e.g.,HCl,H3PO4 and H2SO4 solutions) attack MnGa violently and should be avoided whenever possible.In addition,oxygen plasma can passivate the MnGa surface by oxidizing the surface.These results provide important information for the fabrication and the integration of MnGa based spintronic devices. 展开更多
关键词 Chemical stability PERPENDICULAR magnetic ANISOTROPY SPINTRONICS WET ETCHING
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碲镉汞p型接触孔湿法腐蚀工艺研究 预览
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作者 陈慧卿 白雪飞 +1 位作者 宁提 胡尚正 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期82-85,共4页
针对碲镉汞芯片p型接触孔湿法腐蚀工艺进行研究,采用不同条件的湿法腐蚀工艺完成碲镉汞p型接触孔制备,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析腐蚀后的接触孔表面形貌,电学接触性能通过伏安特性曲线表征。实验结果表明,传统湿法腐蚀工... 针对碲镉汞芯片p型接触孔湿法腐蚀工艺进行研究,采用不同条件的湿法腐蚀工艺完成碲镉汞p型接触孔制备,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析腐蚀后的接触孔表面形貌,电学接触性能通过伏安特性曲线表征。实验结果表明,传统湿法腐蚀工艺在碲镉汞芯片接触孔制备过程中存在钻蚀严重和均匀性不好等问题,针对以上问题提出了一种超声辅助湿法腐蚀工艺,制备出形貌及均匀性较好的p型接触孔。 展开更多
关键词 碲镉汞 湿法腐蚀 p型接触孔
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镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究
9
作者 罗俊尧 刘光壮 +2 位作者 杨曌 李保昌 沓世我 《真空》 CAS 2019年第5期61-64,共4页
本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进... 本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO3:H2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽(15±1)μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。 展开更多
关键词 薄膜电阻 镍铬硅 湿法刻蚀 磁控溅射
湿法刻蚀车间有害气体扩散规律及控制技术数值模拟
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作者 董艳 刘艳 +1 位作者 赵岩 崔向兰 《安全与环境学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1223-1231,共9页
集成电路制造企业湿法刻蚀工序中使用了大量的刻蚀液,且刻蚀液极易挥发。为有效防治集成电路制造业湿法刻蚀车间有害气体的扩散,保护作业人员的身体健康,采用CFD方法对刻蚀车间更换刻蚀液的过程进行数值模拟计算,研究有害气体扩散的规... 集成电路制造企业湿法刻蚀工序中使用了大量的刻蚀液,且刻蚀液极易挥发。为有效防治集成电路制造业湿法刻蚀车间有害气体的扩散,保护作业人员的身体健康,采用CFD方法对刻蚀车间更换刻蚀液的过程进行数值模拟计算,研究有害气体扩散的规律和控制技术。结果表明:刻蚀设备局部通风的风速和车间局部排风罩的位置是影响有害气体质量浓度分布的关键因素。当刻蚀设备的局部排风风速为6m/s,并在刻蚀设备上方车间顶部设置局部排风罩时,可使车间内作业工位处HF的质量浓度降到职业接触限值(2 mg/m^3)以下。 展开更多
关键词 安全卫生工程 集成电路制造 湿法刻蚀 有害气体扩散 数值模拟
金催化的硅纳米线的可控制备及光学特性研究 预览
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作者 王珊珊 殷淑静 +1 位作者 梁海锋 韩军 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期738-745,共8页
硅纳米线是新型一维半导体纳米材料的典型代表。利用阳极氧化铝薄膜为模版复制出具有有序纳米结构的金膜,在金的催化辅助下对单晶硅进行湿法刻蚀,得到尺寸、形状、分布可控的硅纳米线阵列,并对其光学特性进行了研究。研究结果表明,金代... 硅纳米线是新型一维半导体纳米材料的典型代表。利用阳极氧化铝薄膜为模版复制出具有有序纳米结构的金膜,在金的催化辅助下对单晶硅进行湿法刻蚀,得到尺寸、形状、分布可控的硅纳米线阵列,并对其光学特性进行了研究。研究结果表明,金代替银作为催化剂,可以有效地抑制二次刻蚀,金的化学性质相对于银更加稳定,克服了银膜在较高的温度或较长刻蚀时间下产生的结构性破坏,得到形貌规整、尺寸可控的硅纳米线阵列。对该阵列在400nm~1200nm波段的反射率、透过率进行了测试,并对比分析了金模板催化与传统方法机理的异同。测试结果表明,相较于传统金属辅助化学刻蚀法,文中提出的金模板催化法制备的硅纳米线阵列尺寸及分布更加均匀可控,在宽光谱范围内的抗反射性得到了显著提高。 展开更多
关键词 半导体材料 硅纳米线 阳极氧化铝薄膜 湿法刻蚀 催化 抗反射性
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InAs/GaSb台衙结型器件制备工艺技术研究 预览
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作者 李海燕 曹海娜 《红外》 CAS 2018年第8期5-10,共6页
随着红外探测技术的不断进步,第三代红外探测器的发展需求日渐明晰。由于带间跃迁工作原理、暗电流抑制效应以及成熟的材料制备技术基础等因素,InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的首选制备材料。基于InAs/GaSb超... 随着红外探测技术的不断进步,第三代红外探测器的发展需求日渐明晰。由于带间跃迁工作原理、暗电流抑制效应以及成熟的材料制备技术基础等因素,InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的首选制备材料。基于InAs/GaSb超晶格材料的台面结型焦平面器件制备方法主要包括湿法腐蚀技术、干法刻蚀技术以及干湿法结合技术。从文献调研结果来看,湿法腐蚀技术和干法刻蚀技术各有优缺点。湿法腐蚀技术适用于单元以及少像元面阵的制备,其中磷酸系腐蚀液的腐蚀效果最佳;干法刻蚀技术适用于大面阵、小尺寸焦平面阵列的制备,几种氯基刻蚀气体体系以及氯基与甲烷基组合的刻蚀气体体系都表现出了不错的刻蚀效果;干湿法结合技术在干法刻蚀后引入湿法腐蚀工艺以进一步消除刻蚀损伤,从而提高器件性能。对以上三种技术方案进行了介绍和分析。 展开更多
关键词 INAS/GASB 超晶格 干法刻蚀 湿法帱蚀 干湿法结合技术
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基于胶体球掩模板法制备图形化蓝宝石衬底
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作者 马文静 杨瑞霞 +2 位作者 陈春梅 任利鹏 罗春丽 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第5期353-358,374共7页
制备并研究了纳米级图形化蓝宝石衬底。采用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上沉积SiO_2薄膜,利用自组装方法在SiO_2薄膜上制备单层聚苯乙烯(PS)胶体球阵列,利用感应耦合等离子体干法刻蚀将周期性PS胶体球的图形转移到SiO_2薄膜上,通过湿法... 制备并研究了纳米级图形化蓝宝石衬底。采用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上沉积SiO_2薄膜,利用自组装方法在SiO_2薄膜上制备单层聚苯乙烯(PS)胶体球阵列,利用感应耦合等离子体干法刻蚀将周期性PS胶体球的图形转移到SiO_2薄膜上,通过湿法腐蚀制备了纳米级图形化蓝宝石衬底。利用扫描电子显微镜对胶体球掩膜、SiO_2纳米柱掩膜和图形化蓝宝石衬底结构进行了观察,研究了湿法腐蚀蓝宝石衬底的中间产物对刻蚀的影响,分析了腐蚀温度和腐蚀时间对蓝宝石衬底的影响。结果表明,湿法腐蚀的中间产物会降低蓝宝石衬底的刻蚀速率。蓝宝石衬底的腐蚀速率随着腐蚀温度的升高而加快;在同一腐蚀温度下,随着腐蚀时间的增加,图形尺寸进一步减小。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底(PSS) 湿法腐蚀 聚苯乙烯(PS) 胶体球掩膜 腐蚀速率
基于微结构的银纳米线透明导电薄膜的光电性能
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作者 潘丽君 李阳 +6 位作者 何鑫 蔡俊韬 包绵腾 吴明建 张美庆 陈锏中 董秋彤 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第8期551-556,570共7页
首先,采用光刻技术并结合湿法刻蚀工艺,在玻璃衬底上制备出蜂窝状分布的圆台阵列微结构,从占空比和反射、透射光线分布的角度分析其光学性能。然后,采用水热法制备银纳米线,并对样品进行X射线衍射(XRD)物相分析和扫描电子显微镜(SEM... 首先,采用光刻技术并结合湿法刻蚀工艺,在玻璃衬底上制备出蜂窝状分布的圆台阵列微结构,从占空比和反射、透射光线分布的角度分析其光学性能。然后,采用水热法制备银纳米线,并对样品进行X射线衍射(XRD)物相分析和扫描电子显微镜(SEM)微观形貌表征,得到平均直径为80 nm、长度为110μm、长径比大于1 000的超细长银纳米线。最后,通过浓硫酸和双氧水的混合溶液对微结构表面改性,并采用变速旋涂法将银纳米线与微结构完美嵌合,从而制备出基于玻璃衬底上圆台阵列微结构的银纳米线透明导电薄膜,其光电性能优良,测得其可见光透过率为85.97%、方块电阻平均值为23.1Ω/□。 展开更多
关键词 微结构 银纳米线 透明导电薄膜 湿法刻蚀 变速旋涂法
TMAH湿法腐蚀工艺制备微台面结构
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作者 任霄峰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第7期526-531,共6页
针对目前四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间... 针对目前四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间的关系,提升了大尺寸晶圆凸角腐蚀尺寸的均匀性及表面质量,6英寸(1英寸=2.54 cm)硅晶圆内,凸角腐蚀尺寸不均匀性小于5%,台面高度不均匀性小于3%,且腔体底部平整光亮,腐蚀速率较快,实现了工程化应用。当TMAH溶液pH值为12.2-12.6时,微台面结构制备工艺稳定可控、维护简单,实现了高质量微台面结构的可批量化生产。 展开更多
关键词 四甲基氢氧化铵(TMAH) 湿法腐蚀 微台面结构 凸角 黑点 循环速率 不均匀性
Z切石英单晶侧壁腐蚀形貌修平方法 预览
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作者 张照云 苏伟 +2 位作者 唐彬 熊壮 许蔚 《中国惯性技术学报》 CSCD 北大核心 2018年第3期405-410,共6页
石英单晶具有复杂的晶向,侧壁腐蚀形貌不规则。以制作规则的微惯性传感器关键结构单元—石英悬臂梁-质量块结构为研究目标,研究Z切石英单晶在氟化氢铵溶液中的侧壁腐蚀形貌演化规律具有重要意义。首先研究了侧向所露晶面的倾斜角度和腐... 石英单晶具有复杂的晶向,侧壁腐蚀形貌不规则。以制作规则的微惯性传感器关键结构单元—石英悬臂梁-质量块结构为研究目标,研究Z切石英单晶在氟化氢铵溶液中的侧壁腐蚀形貌演化规律具有重要意义。首先研究了侧向所露晶面的倾斜角度和腐蚀速率随方向角的变化,在此基础上研究了侧面晶棱随时间的演化规律。研究结果表明:侧向所露晶面的倾斜角度和腐蚀速率随方向角发生变化,在方向角50°-90°范围,双向腐蚀是侧向只出现一级晶棱,其它方向出现二级晶棱;侧面晶棱可通过长时间的腐蚀修平,修平时间随方向角发生变化。以石英悬臂梁-质量块结构为例,通过腐蚀7.5 h,获得了侧壁平整的石英悬臂梁-质量块结构,证明了该方法的适用性。该方法有助于在设计石英结构时能够考虑侧壁形貌对结构性能的影响,或利用侧壁形貌特点对结构进行设计。 展开更多
关键词 微惯性传感器 湿法腐蚀 石英 腐蚀形貌
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无源MEMS压力开关的设计与制备 预览 被引量:2
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作者 刘益芳 陈丹儿 戴婷婷 《光学精密工程》 CSCD 北大核心 2018年第5期1133-1139,共7页
为了克服传统机械式和电子式压力开关的体积大、制作工艺复杂以及不易与后续电路集成等缺点,论文采用具有金属引线台阶覆盖能力的玻璃浆料封装技术进行了无源MEMS压力开关的设计和制备。设计的无源MEMS压力开关的整体结构方案主要包括... 为了克服传统机械式和电子式压力开关的体积大、制作工艺复杂以及不易与后续电路集成等缺点,论文采用具有金属引线台阶覆盖能力的玻璃浆料封装技术进行了无源MEMS压力开关的设计和制备。设计的无源MEMS压力开关的整体结构方案主要包括硅盖板上的压力敏感膜、硅岛、上电极和微阻挡凸台以及玻璃基底上的玻璃浆料和下电极。通过仿真优化了压力敏感膜、硅岛和上下电极的关键尺寸。经过三次湿法腐蚀工艺流程制得了双阻挡凸台、硅岛和感压膜片。通过玻璃浆料热压工艺将硅盖片、玻璃基底和金属引线三者键合成一体,工艺结果显示双阻挡凸台的高度和感压膜片的厚度很好地控制在8μm和50μm,而且经测试,MEMS压力开关的阈值压力为125kPa。 展开更多
关键词 MEMS压力开关 结构设计 湿法腐蚀 玻璃浆料封装
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TEOS的应用对接触电阻的稳定性问题研究 预览
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作者 阚志国 周卫宏 《微处理机》 2018年第1期9-12,共4页
为了解决因TEOS 的应用导致接触电阻稳定性变差的问题,对接触电阻的测试数据及曲线进行分析,初步确定调查研究方向,然后分别对接触孔内生成物、接触孔内氧化层以及接触孔的金属覆盖性进行相关验证与分析,最后找到问题的根源所在,同时针... 为了解决因TEOS 的应用导致接触电阻稳定性变差的问题,对接触电阻的测试数据及曲线进行分析,初步确定调查研究方向,然后分别对接触孔内生成物、接触孔内氧化层以及接触孔的金属覆盖性进行相关验证与分析,最后找到问题的根源所在,同时针对产生问题的原因采取一系列有效的工艺改善.改善措施实施后,进行仿真加工测试,数据经确认正常.此类产品随后在生产线上逐步上量加工,经检验,其接触电阻的数据均在规范值内且非常稳定.此问题的研究解决对提高采用发射区注入工艺的双极型集成电路产品的加工稳定性及产品良率具有非常重要的现实意义. 展开更多
关键词 接触电阻 TEOS膜 扫描电镜 湿法腐蚀 金属覆盖率 接触孔形貌
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AZ4620光刻胶掩膜的氮化硅图形化工艺
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作者 胡磊 石树正 +3 位作者 高翔 何剑 穆继亮 丑修建 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第6期426-430,共5页
以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实... 以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实验结果表明,曝光剂量为60 mJ、显影时间60 s时,曝光图形化质量最佳;随着氮化硅刻蚀液温度的升高,湿法刻蚀速率不断增大,温度过高导致光刻胶被破坏而不能起到掩膜作用,60℃时刻蚀速率为109.5 nm/min,得到了边线规整、底部平整的微结构。刻蚀后表面分子喇曼位移为单晶硅的波峰(519.354 cm^-1),证实氮化硅被完全去除,为氮化硅作掩膜的单晶硅湿法刻蚀提供了一种有效途径。 展开更多
关键词 曝光剂量 掩膜 湿法刻蚀 刻蚀速率 喇曼位移
关于LED用蓝宝石图形化衬底探讨 预览
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作者 斯芳虎 《电子质量》 2017年第2期37-40,共4页
该文主要介绍了LED用蓝宝石图形化衬底的基础知识。图形化衬底可分为湿法蚀刻(WPSS)和干法蚀刻(DPSS)两种,其基本的制作原理。两种图形化衬底的主要特性参数探讨,以及量测和评价方法。
关键词 LED发光二极管 外延层 衬底 曝光 干法蚀刻 湿法蚀刻 显影
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