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基于多模态分离的CMP解析法在面波勘探中的应用 预览
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作者 胡晋 熊章强 +3 位作者 张大洲 江小根 杨博 卢宏斌 《工程地球物理学报》 2019年第3期305-313,共9页
为了提高瑞雷面波探测的横向分辨率,在工程勘察领域通常采用类似地震反射多次覆盖叠加技术的瞬态多道瑞雷面波方法,由于该方法直接使用原始数据进行CMP叠加处理,在计算频散曲线时高模式面波对其产生较大干扰,从而影响最终的解释结果。... 为了提高瑞雷面波探测的横向分辨率,在工程勘察领域通常采用类似地震反射多次覆盖叠加技术的瞬态多道瑞雷面波方法,由于该方法直接使用原始数据进行CMP叠加处理,在计算频散曲线时高模式面波对其产生较大干扰,从而影响最终的解释结果。因此提出将原始数据利用多模态分离之后,用分离的基阶面波数据,进行CMP解析处理,使用SASW法提取频散曲线,并用粒子群算法进行频散曲线的反演。通过理论模型及实例分析得出基于多模态分离的CMP解析法可以提高频散曲线计算的准确性,从而进一步提高了瑞雷面波探测的可靠性。 展开更多
关键词 多次覆盖观测系统 瑞雷面波 CMP F-K分离
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标致2008 预览
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《汽车与驾驶维修:汽车版》 2019年第7期20-21,共2页
全新标致2008基于PSA集团的CMP平台打造,因此采用标致最新家族式设计语言,数字"2008"的标识直接位于发动机盖前部。而全新的狮爪造型前大灯与狮爪尾灯颇具辨识度。车身侧面为橙、黑双配色,悬浮式C柱设计搭配更溜背的尾部线条... 全新标致2008基于PSA集团的CMP平台打造,因此采用标致最新家族式设计语言,数字"2008"的标识直接位于发动机盖前部。而全新的狮爪造型前大灯与狮爪尾灯颇具辨识度。车身侧面为橙、黑双配色,悬浮式C柱设计搭配更溜背的尾部线条,看起来更具运动感。车尾使用了更多棱角分明的线条,保险杠上部配备了镀铬装饰,排气为双边双出的布局。 展开更多
关键词 标致 设计语言 PSA集团 发动机盖 CMP 家族式 前大灯 悬浮式
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800年铸就了舌尖上的CMP巴黎庄园葡萄酒品牌——巴黎庄园宁波代言人邵晨纯带你认知法国味道 预览
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作者 许金根 张少均 《食品安全导刊》 2019年第11期16-19,共4页
不久前,记者有幸参加了中国烹饪大师胡明学大厨在宁波慈溪举行的有800多人参加的被称为宁波地区规模空前的厨界传统收徒仪式。记者在盛大收徒仪式现场,千人晚宴酒席,专用酒即是CMP巴黎庄园葡萄酒。记者随即在现场采访了CMP巴黎庄园葡萄... 不久前,记者有幸参加了中国烹饪大师胡明学大厨在宁波慈溪举行的有800多人参加的被称为宁波地区规模空前的厨界传统收徒仪式。记者在盛大收徒仪式现场,千人晚宴酒席,专用酒即是CMP巴黎庄园葡萄酒。记者随即在现场采访了CMP巴黎庄园葡萄酒宁波区域总经销、宁波得意旗贸易有限公司董事长邵晨纯先生。 展开更多
关键词 葡萄酒 CMP
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化学机械抛光(CMP)设备市场概况 预览
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作者 李丹 《电子产品世界》 2019年第5期11-13,共3页
在芯片微细化和互连多层化的趋势下,CMP工艺是集成电路制造的核心技术,CMP设备主要用于CMP工艺中,主要实现芯片平坦化。目前,CMP设备市场主要由美国应材和日本荏原两家公司高度垄断,尤其是美国应材2017年占有CMP设备市场71%的市场份额... 在芯片微细化和互连多层化的趋势下,CMP工艺是集成电路制造的核心技术,CMP设备主要用于CMP工艺中,主要实现芯片平坦化。目前,CMP设备市场主要由美国应材和日本荏原两家公司高度垄断,尤其是美国应材2017年占有CMP设备市场71%的市场份额。国内CMP设备的主要研发单位有天津华海清科和中国电子科技集团公司第四十五研究所。 展开更多
关键词 半导体设备 CMP 设备
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化学机械抛光(CMP)技术、设备及投资概况 预览
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作者 李丹 《电子产品世界》 2019年第6期31-34,共4页
分析了CMP设备技术、设备供应商及投资要点。
关键词 CMP 设备 投资
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CPM对脑卒中下肢偏瘫患者康复的研究新进展 预览
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作者 任林 《实用临床护理学电子杂志》 2019年第26期189-190,共2页
脑卒中是临床上高致残率的疾病之一,大多数的脑卒中患者都伴有不同程度的肢体功能障碍[1],其中影响人们日常生活能力的是步行能力[2],这一能力的恢复成了大多数脑卒中患者的康复目标。而CPM作为目前临床新进的康复手段之一,已得到了临... 脑卒中是临床上高致残率的疾病之一,大多数的脑卒中患者都伴有不同程度的肢体功能障碍[1],其中影响人们日常生活能力的是步行能力[2],这一能力的恢复成了大多数脑卒中患者的康复目标。而CPM作为目前临床新进的康复手段之一,已得到了临床的肯定。本文就CPM对脑卒中后下肢瘫痪康复的研究新进展作以下综述:1脑卒中的现况1.1脑卒中概念“脑卒中”指脑血管疾病患者,因各种诱发因素引起脑内动脉狭窄,闭塞或破裂,而造成急性脑血液循环障碍[3],在我国每年大约有200万新发脑卒中患者,因疾病的高发病率、高死亡率、高致残率和高复发率“四高”特点,它已成为中国成年人残疾的首要原因。 展开更多
关键词 CMP 脑卒中 偏瘫康复
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CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究 预览
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作者 李晖 徐世海 +1 位作者 高飞 徐永宽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期931-935,共5页
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于CdS晶片cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO2浓度为20%,氧化剂NaCl... 研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于CdS晶片cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO2浓度为20%,氧化剂NaClO的浓度为2.5%,pH值为10.64。在优化其他工艺条件下,采用该抛光液对CdS晶片Cd面进行抛光,可以获得高质量的抛光表面,经原子力显微镜(AFM)测试,在10μm×10μm的区域内,Cd面表面粗糙度Ra仅为0.171nm。该抛光液也适用于S面的抛光,S面表面粗糙度Ra可达到0.568nm,从而达到双面共用的效果。 展开更多
关键词 CMP CdS晶片 Cd面 抛光液 表面粗糙度
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KIO4抛光液中盐酸胍对铜钌CMP的影响
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作者 杜义琛 王辰伟 +4 位作者 周建伟 张文倩 季军 何彦刚 罗超 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第2期280-284,共5页
使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34kPa、抛光头转速为87r/min、抛光盘转速为93r/min、流量为300mL/min的条件下,研究不同浓度的盐酸胍(GH)对铜钌CMP的影响。电化学和AFM表面形貌图被用来对Ru和Cu表面的化学机理进行分析。实验... 使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34kPa、抛光头转速为87r/min、抛光盘转速为93r/min、流量为300mL/min的条件下,研究不同浓度的盐酸胍(GH)对铜钌CMP的影响。电化学和AFM表面形貌图被用来对Ru和Cu表面的化学机理进行分析。实验结果表明,随着GH浓度的升高,Ru和Cu的抛光速率逐步降低,并且达到良好的速率选择比。 展开更多
关键词 高碘酸钾 盐酸胍 CMP 电化学 抛光液
Effect of 1,2,4-triazole on galvanic corrosion between cobalt and copper in CMP based alkaline slurry
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作者 Lei Fu Yuling Liu +1 位作者 Chenwei Wang Linan Han 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2018年第4期77-82,共6页
关键词 铜互连 CMP 腐蚀 泥浆 氢过氧化物 移动率
践行国家发展战略 推动行业转型升级——恒通动保智能新工厂通过国家兽药CMP标准验收 预览
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作者 郑重 《兽药市场指南》 2018年第5期19-21,共3页
2018年4月25日,四川恒通动保生物科技有限公司历经五年论证设计,投资1.5亿元新建的包括按国家新建兽用粉剂、散剂、预混剂生产线标准建设的粉剂、散剂、预混剂车间在内的11条兽药制剂生产线全线顺利通过国家兽药GMP标准验收.
关键词 GMP标准 兽药制剂 国家发展 CMP 工厂 智能 行业 生物科技
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复杂地表资料成像关键技术分析
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作者 陈丹 《中国石油和化工标准与质量》 2018年第19期172-174,180共4页
复杂地表由于其近地表结构差异变化剧烈导致常规地震资料处理难以取得理想成像效果,本文针对复杂地表资料特点,总结丘陵、山地等地区资料处理关键技术,从叠前道集准备、基准面选择及偏移方法等三个方面分析影响因素,提出通过面元参数测... 复杂地表由于其近地表结构差异变化剧烈导致常规地震资料处理难以取得理想成像效果,本文针对复杂地表资料特点,总结丘陵、山地等地区资料处理关键技术,从叠前道集准备、基准面选择及偏移方法等三个方面分析影响因素,提出通过面元参数测试、合理静校正方法组合提高叠前道集质量,分析比较不同CMP基准面计算方法以及不同基准面偏移成像效果,根据资料特点选择合适的偏移方法,对于生产处理具有一定的实际意义。 展开更多
关键词 复杂地表 CMP 静校正 基准面 偏移
螯合剂与氧化剂协同降低CMP中Co/Cu电偶腐蚀
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作者 李祥州 潘国峰 +3 位作者 王辰伟 郭学海 何平 李月 《稀有金属》 CSCD 北大核心 2018年第3期278-284,共7页
钴(Co)作为10 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路(GLSI)的新型阻挡层材料,在阻挡层化学机械抛光(CMP)中易与铜(Cu)发生电偶腐蚀。本文采用电化学、CMP、静态腐蚀实验以及扫描电镜(SEM)表征方法,研究了弱碱性抛光液中... 钴(Co)作为10 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路(GLSI)的新型阻挡层材料,在阻挡层化学机械抛光(CMP)中易与铜(Cu)发生电偶腐蚀。本文采用电化学、CMP、静态腐蚀实验以及扫描电镜(SEM)表征方法,研究了弱碱性抛光液中螯合剂和氧化剂在Co/Cu电偶腐蚀中的协同作用。研究表明:抛光液中的氧化作用,使得Co和Cu表面生成一层由氧化物及氢氧化物组成的钝化膜,抑制了Co和Cu的静态腐蚀;多羟多胺螯合剂浓度增加,抛光液pH升高,Co和Cu表面钝化膜的生成加快;CMP过程中,Co和Cu腐蚀电位均有明显降低,去除速率均加快。抛光液组分为1.5 ml·L-1H2O2、0.1%FA/O螯合剂、30%AEO-9、5%硅溶胶(质量分数)时,Co的腐蚀电位低于Cu的腐蚀电位;研磨状态下,Co/Cu腐蚀电位差降到-6 m V,电偶腐蚀电流很小,极大地减弱Co/Cu电偶腐蚀。同时,Co的去除速率为130 nm·min-1,Cu的去除速率为76.5 nm·min-1,Co与Cu的静态腐蚀均不明显,可以很好地满足阻挡层CMP要求。 展开更多
关键词 螯合剂 电偶腐蚀 碱性抛光液 化学机械抛光
非离子表面活性剂在钽基阻挡层CMP中的作用 被引量:1
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作者 张文倩 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 牛新环 韩丽楠 季军 杜义琛 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第3期421-424,共4页
碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用。分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量铜表面粗糙度。对含有不同浓度活性剂的抛光液进行接触角和Zeta电位的测试,并对活性剂的作用机理进行分... 碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用。分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量铜表面粗糙度。对含有不同浓度活性剂的抛光液进行接触角和Zeta电位的测试,并对活性剂的作用机理进行分析。活性剂体积分数达到3%时,铜表面粗糙度可达0.679nm,抛光液在铜膜表面的接触角低至10.25°,Zeta电位达到-50.2mV。实验结果表明,活性剂在减小粗糙度的同时可提高抛光液的湿润性和稳定性,便于抛光后清洗和长时间放置。 展开更多
关键词 非离子表面活性剂 接触角 化学机械平坦化 ZETA电位 表面粗糙度
制备可降解地膜的甘蔗渣纤维力学性能试验 预览
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作者 李丽霞 陈星智 +1 位作者 张兆国 闫全涛 《农机化研究》 北大核心 2018年第10期177-182,共6页
为解决日益严重的地膜残留问题、增加甘蔗渣附加值,以榨糖后废弃物甘蔗渣为原料,以蒸煮Na OH浓度、打浆时间为试验因素,采用化学-机械耦合法制备甘蔗渣可降解地膜纤维,并对甘蔗渣可降解地膜纤维的力学性能进行检测。运用design-expert... 为解决日益严重的地膜残留问题、增加甘蔗渣附加值,以榨糖后废弃物甘蔗渣为原料,以蒸煮Na OH浓度、打浆时间为试验因素,采用化学-机械耦合法制备甘蔗渣可降解地膜纤维,并对甘蔗渣可降解地膜纤维的力学性能进行检测。运用design-expert软件对地膜的抗张强度、耐破指数、耐折度及撕裂指数性能指标进行响应面分析,得到甘蔗渣纤维力学性能最优参数,并进行验证,为甘蔗渣制备可降解地膜提供理论依据。 展开更多
关键词 甘蔗渣 响应曲面 降解 力学性能 化学-机械耦合法
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AlN单晶性质与AlGaN外延生长研究 预览
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作者 付润定 庄德津 +4 位作者 修向前 谢自力 陈鹏 张荣 郑有炓 《陶瓷学报》 北大核心 2018年第6期690-695,共6页
对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的Al... 对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较高的晶体质量。用蓝宝石陪片辅助方法对AlN单晶进行了化学机械抛光,得到了厚度均匀、具有器件质量表面的AlN单晶片。利用MOCVD在AlN单晶片上外延了Al组分约为18.2%的AlGaN薄膜,其生长模式符合Stranski-Krastanow模式。利用应变梯度模型解释了AlGaN外延层中应变状态和表面裂纹的形成机制。 展开更多
关键词 AlN单晶 化学机械抛光 ALGAN Stranski-Krastanow生长模式 应变梯度模型
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立方碳化硅CMP过程中机械作用分子动力学仿真 预览
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作者 翟文杰 杨德重 《材料科学与工艺》 CSCD 北大核心 2018年第3期10-15,共6页
为了更好地理解立方碳化硅在化学机械抛光(CMP)过程中原子层面的材料去除机理,利用分子动力学(MD)方法建立了金刚石磨粒刻划碳化硅的原子模型,仿真研究了金刚石磨粒半径、刻划深度和刻划速度对碳化硅表面形貌、晶体结构、摩擦力和... 为了更好地理解立方碳化硅在化学机械抛光(CMP)过程中原子层面的材料去除机理,利用分子动力学(MD)方法建立了金刚石磨粒刻划碳化硅的原子模型,仿真研究了金刚石磨粒半径、刻划深度和刻划速度对碳化硅表面形貌、晶体结构、摩擦力和原子去除率的影响规律,并与无定型二氧化硅氧化膜的机械刻划作用的仿真结果进行了对比分析.结果发现:碳化硅在机械刻划过程中局部会出现非晶态变化;刻划深度增大会导致切削力和切削温度增大,原子去除率也随之增加;刻划速度的改变会影响温度和原子去除率,而对切削力几乎无影响;磨粒半径的增加会导致切削力和温度的增加,在压入深度相同的情况下对原子去除率影响不大;碳化硅表面生成的二氧化硅膜能大幅度降低切削力,但由于其结构的影响,机械刻划作用仅使氧化膜产生明显的致密化,而不产生磨屑. 展开更多
关键词 分子动力学 化学机械抛光 碳化硅 刻划 无定型二氧化硅
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抛光垫特性对氧化镓CMP影响的实验研究 预览
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作者 龚凯 周海 +2 位作者 韦嘉辉 宋放 王晨宇 《工具技术》 2018年第6期29-32,共4页
对比分析了不同抛光垫的表面形貌、表面粗糙度、硬度以及涵养量对氧化镓晶片化学机械抛光过程中表面质量和材料去除率的影响规律,结果表明:在同一抛光参数条件下,Suba600无纺布抛光垫的材料去除率最大,为30.8nm/min,但抛光后氧化镓表... 对比分析了不同抛光垫的表面形貌、表面粗糙度、硬度以及涵养量对氧化镓晶片化学机械抛光过程中表面质量和材料去除率的影响规律,结果表明:在同一抛光参数条件下,Suba600无纺布抛光垫的材料去除率最大,为30.8nm/min,但抛光后氧化镓表面有明显的凹坑;Politex阻尼布、LP57聚氨酯抛光垫抛光后晶片表面形貌都较好,获得了镜面无损伤晶片表面,但LP57聚氨酯抛光垫的材料去除率为22.6nm/min,大于Politex阻尼布抛光垫16.4nm/min的材料去除率;LP57聚氨酯抛光垫更适合对单晶氧化镓晶片进行化学机械抛光。该研究为氧化镓化学机械抛光(CMP)提供了参考依据。 展开更多
关键词 抛光垫特性 单晶氧化镓 化学机械抛光 材料去除率 表面质量
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运营商如何布局物联网云平台产业生态? 预览 被引量:1
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作者 吴霜 陈郑斌 《中国电信业》 2018年第1期72-75,共4页
物联网(Internet of Things)被称为继计算机、互联网之后世界信息产业发展的第三次浪潮,是指在"互联网概念"的基础上,将其用户端延伸和扩展到任何物品与物品之间,进行信息交换和通信的一种网络概念。目前,全球主要经济体纷纷积极部... 物联网(Internet of Things)被称为继计算机、互联网之后世界信息产业发展的第三次浪潮,是指在"互联网概念"的基础上,将其用户端延伸和扩展到任何物品与物品之间,进行信息交换和通信的一种网络概念。目前,全球主要经济体纷纷积极部署物联网(IoT)国家战略。 展开更多
关键词 运营商 CMP 物联网 能力开放平台 爱立信 物联网产业链 云平台
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Optimization of cleaning process parameters to remove abrasive particles in post-Cu CMP cleaning
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作者 Liu Yang Baimei Tan +2 位作者 Yuling Liu Baohong Gao Chunyu Han 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2018年第12期212-217,共6页
The cleaning of copper interconnect chemical mechanical polishing(CMP) is a key process in integrated circuits(ICs) fabrication. Colloidal silica, which is used as the abrasive material in copper CMP slurry, is consid... The cleaning of copper interconnect chemical mechanical polishing(CMP) is a key process in integrated circuits(ICs) fabrication. Colloidal silica, which is used as the abrasive material in copper CMP slurry, is considered as the main particle contamination. Abrasive particle residuals can cause device failure which need to be removed efficiently. In this paper, a type of CMP cleaner was used for particle removal using a cleaning solution consisting of FA/O Ⅱ chelating agent and FA/O Ⅰ surfactant. By varying the parameters of brush rotation speed, brush gap,and de-ionized water(DIW) flow rate,a series of experiments were performed to determine the best cleaning results. Atomic force microscope(AFM) measurement was used to characterise the surface morphology of the copper surface and the removal of abrasive particles. A scanning electron microscope(SEM) with EDX was used to observe and analyze the particles shape and elements. The optima parameters of CMP cleaner were obtained. Under those conditions, the abrasive silica particles were removed effectively. 展开更多
关键词 CMP CLEANING ABRASIVE particles process PARAMETER surface ROUGHNESS
Effect of organic amine alkali and inorganic alkali on benzotriazole removal during post Cu-CMP cleaning
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作者 Liu Yang Baimei Tan +5 位作者 Yuling Liu Baohong Gao Yilin Liu Chunyu Han Qi Wang Siyu Tian 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2018年第12期218-222,共5页
Benzotriazole(BTA), an anticorrosion agent of slurry, is the main organic pollutant remaining after CMP of multilayer copper wiring, and also the main removal object of post CMP cleaning. The adsorption of BTA onto th... Benzotriazole(BTA), an anticorrosion agent of slurry, is the main organic pollutant remaining after CMP of multilayer copper wiring, and also the main removal object of post CMP cleaning. The adsorption of BTA onto the copper could form a dense Cu-BTA film, which makes the copper surface strongly passivated. According to this characteristic, quantitative analysis of BTA residue after cleaning is carried out by contact angle measurement and electrochemical measurement in this paper. A scanning electron microscope(SEM) with EDX was used to observe and analyze the BTA shape and elements. The efficiencies of organic alkali and inorganic alkali on the removal of BTA were studied. The corresponding reaction mechanism was also analyzed. The results show that the adsorption structure of Cu(I)-BTA cannot be destroyed in an alkaline environment with a pH less than 10; the effect of BTA removal by inorganic alkali is worse than that of the organic amine alkali with the coordination structure under the same pH environment; the FA/O Ⅱ chelating agent with the fraction of 200 ppm can effectively remove BTA residue on the surface of copper wafer. 展开更多
关键词 POST CMP CLEANING BENZOTRIAZOLE (BTA) organic AMINE ALKALI electrochemical measurement
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