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光纤石英玻璃基板微V槽阵列的精密磨削 预览 被引量:2
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作者 谢晋 冯彦科 +1 位作者 程剑 吴可可 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2243-2249,共7页
针对脆性石英玻璃的微加工,利用自主研发的金刚石砂轮微尖端修整工艺,研发了光纤阵列石英玻璃微V槽磨削技术。分析了60°的微V槽形状偏差对光纤耦合损耗的影响,然后,研究了砂轮微尖端的误差补偿修整工艺。最后,实验分析了微V槽的磨... 针对脆性石英玻璃的微加工,利用自主研发的金刚石砂轮微尖端修整工艺,研发了光纤阵列石英玻璃微V槽磨削技术。分析了60°的微V槽形状偏差对光纤耦合损耗的影响,然后,研究了砂轮微尖端的误差补偿修整工艺。最后,实验分析了微V槽的磨削精度。理论分析显示:微V槽角度、间距和宽度的偏差分别控制在±0.42°、±1.04μm和±1.2μm以内时,耦合损耗小于0.5dB。实验结果表明:开发的数控磨削工艺可加工高精度的60°微V槽阵列;采用数控轨迹和角度补偿修整后,砂轮微尖端半径可平均达到10.46μm,角度精度为(60±0.22)°;对石英玻璃进行微磨削后,微V槽的角度偏差达到0.4°,尖端半径为10.5μm,宽度偏差为0.3μm,间距偏差为0.5μm,可保证光纤阵列的精密对接。 展开更多
关键词 光纤石英玻璃 光纤阵列 微V槽 微磨削 金刚石砂轮 微尖端 耦合损耗
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多晶Si太阳电池表面酸腐蚀制绒的研究 预览 被引量:8
2
作者 肖文明 檀柏梅 +2 位作者 刘玉岭 牛新环 边征 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第10期 627-631,共5页
研究了采用HF和HNO3非择优腐蚀多晶硅表面制备绒面的机理。通过实验分析了酸混合液的体积浓度配比、添加剂、温度和时间等因素对腐蚀速率和腐蚀后表面形貌的影响;总结出了多晶Si的酸腐蚀规律,得到了制备理想绒面的酸混合液体积配比(V... 研究了采用HF和HNO3非择优腐蚀多晶硅表面制备绒面的机理。通过实验分析了酸混合液的体积浓度配比、添加剂、温度和时间等因素对腐蚀速率和腐蚀后表面形貌的影响;总结出了多晶Si的酸腐蚀规律,得到了制备理想绒面的酸混合液体积配比(V(HF):V(HNO3):V(CH3COOH)=1:12:6)。在此基础上提出了优化设计方案:采用廉价的水代替醋酸作为缓蚀剂,腐蚀过程置于超声槽中进行,利用超声波的振动使反应生成的气泡快速脱离多晶Si片表面,同时使腐蚀液浓度分布更加均匀,从而制备出效果更佳的多晶Si绒面。 展开更多
关键词 多晶硅太阳电池 酸腐蚀 表面形貌 腐蚀速率 多晶硅片制绒
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硅衬底化学机械抛光后去除有机物残留的研究
3
作者 刘楠 檀柏梅 +3 位作者 高宝红 田巧伟 杨志欣 黄妍妍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期928-933,共6页
化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效。针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O I型活性剂溶液进行预清洗,... 化学机械抛光后,Si片表面残留有机物会影响清洗的综合效果,并会造成器件失效。针对上述问题提出了一种新的清洗方案,用金刚石膜电化学法制备氧化性强的过氧焦磷酸盐溶液,可有效氧化分解表面有机沾污,配合FA/O I型活性剂溶液进行预清洗,去除表面颗粒的同时降低了表面粗糙度。此外,过氧焦磷酸盐被还原成的焦磷酸盐具有很强的络合力,它能与Cu等金属离子络合,达到同时去除金属杂质的目的。研究了氧化液的体积分数对有机物清洗效果的影响,发现氧化液的体积分数为60%~100%时残留有机物去除效果最佳。作为一种新型的清洗方法,清洗效率高且成本低,操作简单可控且环保,符合新时期半导体清洗工艺的要求。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP)后清洗 电化学 有机物 过氧焦磷酸盐 氧化液
湿法刻蚀应对圆片减薄后翘曲问题的探讨 预览 被引量:2
4
作者 李云海 张益平 《电子与封装》 2013年第8期34-36,共3页
随着微电子产业的发展,圆片直径越来越大、厚度越来越薄。一些本来不被关注的问题逐渐凸现出来。当150mm、200mm甚至300mm的圆片被减薄到200μm或者200μm以下时,圆片本身的刚性将慢慢变得不足以使其保持原来平整的状态。文章从圆片... 随着微电子产业的发展,圆片直径越来越大、厚度越来越薄。一些本来不被关注的问题逐渐凸现出来。当150mm、200mm甚至300mm的圆片被减薄到200μm或者200μm以下时,圆片本身的刚性将慢慢变得不足以使其保持原来平整的状态。文章从圆片减薄后产生翘曲的直观表象入手,分析了产生翘曲问题的根本原因,采用湿法刻蚀的方式去除了圆片因减薄形成的背面损伤层,改善了圆片减薄后的翘曲问题。 展开更多
关键词 圆片 翘曲 背面损伤 湿法刻蚀
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超快激光辐照诱导金属钛的变化 预览 被引量:2
5
作者 杨成娟 田延岭 +1 位作者 崔良玉 张大卫 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第7期2002-2007,共6页
为实现对超快激光诱导金属钛改变趋势的定性控制及材料改变范围的定量控制,开展了飞秒和皮秒脉冲激光分别与金属钛烧蚀的对比实验研究。随后使用激光扫描共聚焦显微镜、X射线光电子能谱和透射电子显微镜分别就激光脉冲时间宽度变化对被... 为实现对超快激光诱导金属钛改变趋势的定性控制及材料改变范围的定量控制,开展了飞秒和皮秒脉冲激光分别与金属钛烧蚀的对比实验研究。随后使用激光扫描共聚焦显微镜、X射线光电子能谱和透射电子显微镜分别就激光脉冲时间宽度变化对被烧蚀金属钛的表面形貌与烧蚀深度、化学成分、微结构状态的影响规律进行了分析。研究发现:随着激光脉冲时间宽度从飞秒增加到皮秒量级,被烧蚀金属钛的表面形貌质量逐渐变差,最终烧蚀产物的化学成分愈加复杂,微结构状态的无定形化程度也随之增加。最终认为伴随激光脉冲时间宽度增加,金属钛中热累积效应的增强而造成被烧蚀材料内部更为严重的热与机械损伤是导致上述实验现象产生的主要原因。 展开更多
关键词 超快激光 金属钛 表面形貌 化学成分 微结构状态
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大尺寸熔石英采样光栅的研究进展 预览
6
作者 刘颖 刘正坤 +6 位作者 邱克强 饶欢乐 蒋晓龙 陈火耀 徐向东 洪义麟 付绍军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2896-2901,共6页
综述了近五年来为神光装置研制大口径熔石英采样光栅所取得的主要进展。提出了大尺寸采样光栅的化学机械抛光技术,将全息光刻-离子束刻蚀的430mm口径采样光栅的采样效率均匀性控制在均方根值低于5%,满足了采样光栅的设计要求。针对采样... 综述了近五年来为神光装置研制大口径熔石英采样光栅所取得的主要进展。提出了大尺寸采样光栅的化学机械抛光技术,将全息光刻-离子束刻蚀的430mm口径采样光栅的采样效率均匀性控制在均方根值低于5%,满足了采样光栅的设计要求。针对采样光栅的阈值特性,利用二次离子质谱技术,定量表征了采样光栅制备过程中引入的污染及其清洗效果,优化、发展了采样光栅的清洗方法。探索了基于氢氟酸和感应耦合等离子体刻蚀的熔石英基底处理技术,结合干湿法处理技术来去除熔石英光栅基底的亚表面损伤。为进一步提升采样光栅抗激光辐射损伤特性,提出将发展大尺寸熔石英采样光栅的氢氟酸处理方法及具有亚波长减反光栅结构的采样光栅的制备方法。 展开更多
关键词 熔石英 采样光栅 采样效率 激光损伤阈值 亚表面损伤 抛光 刻蚀 综述
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小型磁流变抛光装置的设计与探究 预览
7
作者 焦璐璐 郭忠达 郭海洋 《电子测试》 2013年第7X期23-24,共2页
针对小球面(Φ5mm~Φ50mm)的加工特点,在磁流变抛光原理的基础上,设计了小型磁流变抛光装置。详细介绍了抛光装置中的工件运动机构的设计原理,并且通过三维建模从理论上验证了此设计的可行性。
关键词 磁流变抛光 小型装置 工件机构
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大口径传输反射镜的研究进展 预览 被引量:3
8
作者 易葵 马平 +4 位作者 邱红 王力军 魏朝阳 赵元安 朱美萍 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2902-2907,共6页
针对我国惯性约束聚变装置(ICF)对高性能传输反射镜元件的性能要求,探索了大口径传输反射镜制备涉及的关键技术与工艺。深入开展了K9玻璃坯片研制、光学冷加工、传输反射镜镀膜和激光预处理等方面的研究工作。提出了400mm口径K9反射... 针对我国惯性约束聚变装置(ICF)对高性能传输反射镜元件的性能要求,探索了大口径传输反射镜制备涉及的关键技术与工艺。深入开展了K9玻璃坯片研制、光学冷加工、传输反射镜镀膜和激光预处理等方面的研究工作。提出了400mm口径K9反射类坯片精密退火工艺,形成了高精度平面加工技术路线;制备了低缺陷薄膜,并且建立了大口径光学元件预处理装置。最后,综述了大口径高性能传输反射镜研制方面的主要成果。研制的400mm口径传输反射镜在1053nm处以45°入射时,其表面粗糙度优于99.8%,面形PV值小于λ/3(λ=1 053nm),损伤阈值大于30J/cm2(5ns)。基于提出的技术研制的大口径传输反射镜已成功应用于我国神光系列高功率激光装置,有力支撑了我国大型激光装置的稳定运行。 展开更多
关键词 传输反射镜 高功率激光器 K9玻璃 光学冷加工 镀膜技术 激光预处理 综述
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蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究 预览 被引量:16
9
作者 赵之雯 牛新环 +2 位作者 檀柏梅 袁育杰 刘玉岭 《微纳电子技术》 CAS 2006年第1期 16-19,46,共5页
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的... 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,加入有机碱及活性剂.能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械抛光 影响因素 表面状态
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Ge晶片激光标识码的制作技术 预览 被引量:1
10
作者 李悦 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1423-1426,共4页
晶片标识码在工艺加工管理中起重要作用。传统手写方式存在字体不美观、划痕深及锗渣污染等缺点。鉴于此,采用波长1060 nm光纤激光器进行激光标识码制作。研究中分别改变激光平均输出功率、脉冲频率及扫描速度,借助目视、金相显微镜及... 晶片标识码在工艺加工管理中起重要作用。传统手写方式存在字体不美观、划痕深及锗渣污染等缺点。鉴于此,采用波长1060 nm光纤激光器进行激光标识码制作。研究中分别改变激光平均输出功率、脉冲频率及扫描速度,借助目视、金相显微镜及动态三维光学轮廓仪来观察标识码清晰程度、污染程度及深浅程度的变化,了解它们与上述参数间相互对应关系。重点解决清晰度与打标深度之间的矛盾,从而得到清晰、清洁且深度满足后续半导体纳米级加工工艺要求的激光标码技术。研究表明:低脉冲频率(20 kHz)下,随平均功率上升,标识码的清晰度逐渐增加,镜检结果显示Ge渣的数量及其分布区域增大;高脉冲频率(90 kHz)下,平均功率增加对标识码清晰度的影响及Ge渣数量和分布区域的变化没有如低脉冲频率下表现明显。平均功率与清晰度及污染程度成正比关系。扫描速度与打标深度呈反比关系。采用21%-23%平均功率,25 kHz频率,1500 mm/s扫描速度及双线填充字体(True Type)的工艺条件,所得标识码在目视及镜检下清晰美观,无Ge渣污染。轮廓仪测量结果显示字迹深度及边缘凸起均在200 nm以下。经批量产品验证,根据研究成果所开发的工艺技术稳定且对后续工艺无不良影响。目前已取代手写方式。 展开更多
关键词 光纤激光器 激光打标 清晰度 锗渣污染 打标深度 Ge单晶
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离子束刻蚀 预览 被引量:9
11
作者 赵丽华 周名辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期 39-42,共4页
介绍了几种常用的干法刻蚀的机理,重点介绍了离子束刻蚀的基本原理,给出了55种不同材料在500eV能量1mA/cm^2束不充密度条件下的刻蚀速率,并给出了刻胡束流和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分... 介绍了几种常用的干法刻蚀的机理,重点介绍了离子束刻蚀的基本原理,给出了55种不同材料在500eV能量1mA/cm^2束不充密度条件下的刻蚀速率,并给出了刻胡束流和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分析结果,对有关问题进行了讨论。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 干法刻蚀 半导体器件
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pH调节剂对蓝宝石衬底CMP的影响 被引量:3
12
作者 王建超 牛新环 +1 位作者 李睿琦 赵欣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期615-619,共5页
化学机械抛光(CMP)是固体物质表面超精密加工的重要方法,抛光液的p H值是影响蓝宝石衬底CMP过程中化学反应快慢及材料去除速率和表面粗糙度的重要因素之一。重点研究了不同p H调节剂对蓝宝石衬底去除速率以及表面状态的影响。实验中... 化学机械抛光(CMP)是固体物质表面超精密加工的重要方法,抛光液的p H值是影响蓝宝石衬底CMP过程中化学反应快慢及材料去除速率和表面粗糙度的重要因素之一。重点研究了不同p H调节剂对蓝宝石衬底去除速率以及表面状态的影响。实验中分别选用了3种p H调节剂:有机碱(大分子螯合剂)、无机碱(KOH)和混合碱,并在相同工艺条件下对蓝宝石衬底进行CMP。实验结果表明:在抛光液p H值为10时,有机碱作为p H调节剂,去除速率为2.6μm/h,表面粗糙度为0.493 nm;无机碱作为p H调节剂时去除速率达到2.9μm/h,表面粗糙度0.336 nm;在混合碱中,螯合剂与固定浓度的KOH比为1∶20(体积比)时,速率为3.23μm/h,表面粗糙度为0.226 nm。用混合碱作为p H调节剂可有效实现蓝宝石衬底的高速去除速率及低表面粗糙度。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械抛光(CMP) 去除速率 p H调节剂 混合碱
基于Arrhenius方程研究活性剂对铜CMP粗糙度的影响 被引量:3
13
作者 栾晓东 牛新环 +4 位作者 刘玉岭 闫辰奇 赵亚东 王仲杰 王辰伟 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第12期822-827,共6页
选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO),通过自制的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究不同体积分数活性剂对铜化学机械抛光(CMP)效果的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后铜表面粗糙度,采用接触角测试仪测试不同的抛光液... 选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO),通过自制的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究不同体积分数活性剂对铜化学机械抛光(CMP)效果的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后铜表面粗糙度,采用接触角测试仪测试不同的抛光液在铜表面的接触角。结果表明:铜抛光速率随着活性剂体积分数的增加呈缓慢降低趋势,加入活性剂可显著降低抛光后铜表面粗糙度。当加入体积分数3.0%的活性剂时,铜抛光速率从678.096 nm/min降低到625.638 nm/min,同时铜表面粗糙度从10.52 nm降低到1.784 nm,接触角从28.33°降低到12.25°。活性剂分子优先吸附在抛光后铜表面形成一层分子膜,表面粗糙度降低的根本原因是该分子膜增加了化学反应的活化能以及提高了抛光液的润湿性。基于Arrhenius方程,从活化能和温度两个参数阐述活性剂降低铜表面粗糙度的机制。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 非离子活性剂 表面粗糙度 活化能 接触角
磷化铟的化学机械抛光技术研究进展
14
作者 孙世孔 路家斌 阎秋生 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第3期201-210,共10页
磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层... 磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响磷化铟基器件的性能。综述了磷化铟晶体化学机械抛光(CMP)技术进展;介绍了磷化铟表面的化学反应原理、CMP去除机理;详细分析了磷化铟抛光液组分及pH值、抛光工艺参数(抛光压力、抛光盘转速、抛光垫特性、磨料种类、粒径及浓度)等对磷化铟抛光质量的影响;介绍了磷化铟抛光片的清洗工艺,并对磷化铟CMP的后续研究方向提出一些建议。 展开更多
关键词 磷化铟 化学机械抛光(CMP) 抛光机理 抛光液 加工工艺
新型阻挡层材料钌的研究进展
15
作者 王子艳 周建伟 +2 位作者 张佳洁 王庆伟 王辰伟 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第12期863-869,共7页
随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN。但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性。针对以上问题... 随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN。但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性。针对以上问题,主要从三个方面介绍了近几年的研究进展。首先,介绍了氧化剂及络合剂对钌去除速率的影响;然后,总结了针对铜钌界面腐蚀问题的研究进展;最后,阐述了国内外解决铜钌去除速率选择性问题的研究进展。此外,提出未来新型阻挡层钌的抛光液的研究应综合解决上述问题,而非单一解决,才能真正应用于生产领域。 展开更多
关键词 钌(Ru) 化学机械抛光(CMP) 去除速率 电偶腐蚀 去除速率选择性
H2O2基电解液的pH值对铜钌电偶腐蚀的影响 被引量:3
16
作者 张乐 周建伟 +2 位作者 刘玉岭 王辰伟 郑环 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第12期828-832,837共6页
研究了电解液pH值对Cu和Ru电偶腐蚀的影响,并对其控制机理进行深入的研究。选取H_2O_2作为Cu和Ru电化学电解液中的氧化剂和腐蚀剂,选用HCl和KOH溶液作为pH调节剂,采用动电位扫描这种电化学技术,表征金属铜钌表面的电化学反应。实验结果... 研究了电解液pH值对Cu和Ru电偶腐蚀的影响,并对其控制机理进行深入的研究。选取H_2O_2作为Cu和Ru电化学电解液中的氧化剂和腐蚀剂,选用HCl和KOH溶液作为pH调节剂,采用动电位扫描这种电化学技术,表征金属铜钌表面的电化学反应。实验结果表明:在pH值低于7时,Ru在电解液中逐渐生成不溶的RuO_2·2H_2O和RuO_3,Cu仅发生腐蚀反应。在Cu和Ru的电偶腐蚀中,Cu作为阳极而加速溶解,影响器件的可靠性。在pH值高于7时,Ru可生成可溶的过钌酸盐,Cu表面含有一层致密的氧化层。在Cu和Ru电偶腐蚀中,Ru作为阳极而加速溶解,Cu得到了保护。在pH值为9时,Cu和Ru的腐蚀电位差最小为5 mV,因此在弱碱性阻挡层抛光液中可减少Cu和Ru之间的腐蚀电位差,有效抑制Cu和Ru之间电偶腐蚀现象的产生。 展开更多
关键词 电化学 电偶腐蚀 PH
磁流变抛光对熔石英激光损伤特性的影响 预览 被引量:4
17
作者 石峰 万稳 +1 位作者 戴一帆 彭小强 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2931-2937,共7页
为进一步提升熔石英元件的激光损伤阈值,研究了氢氟酸(HF)动态酸刻蚀条件下磁流变抛光工艺对熔石英元件激光损伤特性的影响规律。首先,采用不同工艺制备熔石英元件,测量它们的表面粗糙度。然后,采用飞行时间-二次离子质谱法(OF-SIMS... 为进一步提升熔石英元件的激光损伤阈值,研究了氢氟酸(HF)动态酸刻蚀条件下磁流变抛光工艺对熔石英元件激光损伤特性的影响规律。首先,采用不同工艺制备熔石英元件,测量它们的表面粗糙度。然后,采用飞行时间-二次离子质谱法(OF-SIMS)检测磁流变加工前后熔石英元件中金属杂质元素的含量和深度;采用1-on-1方法测试激光损伤阈值,观测损伤形貌,并对损伤坑的形态进行统计。最后,分析了磁流变抛光工艺提升熔石英损伤阈值的原因。与未经磁流变处理的熔石英元件进行了对比,结果显示:磁流变抛光使熔石英元件的零概率激光损伤阈值提升了23.3%,金属杂质元素含量也显著降低,尤其是对熔石英激光损伤特性有重要影响的Ce元素被完全消除。得到的结果表明,磁流变抛光工艺能够被用作HF酸动态酸刻蚀的前道处理工艺。 展开更多
关键词 磁流变抛光 熔石英 光学元件 氢氟酸(HF)动态刻蚀 激光损伤阈值
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GaAs(100)表面钝化和Mg/S/GaAs界面的SRPES研究 预览 被引量:2
18
作者 陆尔东 赵天鹏 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期 545-551,共7页
应用同步辐射光电子谱表征一种新的CH3CSNH2/NH4OH溶液体系处理的GaAs表面的成键特性和电子态。结果表明,经过处理的GaAs表面,S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs新界面,这说明CH3CSNH2... 应用同步辐射光电子谱表征一种新的CH3CSNH2/NH4OH溶液体系处理的GaAs表面的成键特性和电子态。结果表明,经过处理的GaAs表面,S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs新界面,这说明CH3CSNH2/NH4OH溶液处理的GaAs表面具有明显的钝化作用。 展开更多
关键词 砷化镓 表面钝化 MgGa合金 同步辐射 表面处理
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WJY—101型硅抛光片表面质量检查仪 预览
19
作者 杨建忠 《电子工业专用设备》 1989年第2期 36-39,共4页
本文将详细地介绍一种新近研制,并主要用于φ50、φ75、φ100毫米三种规格的硅抛光片外观质量检查的WJY—101型抛光片表面质量检查仪及其主要技术性能、设计原理和结构特点。
关键词 抛光片 表面质量 检查仪
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摩擦化学反应活化能在SiO_2-CMP中的作用 预览 被引量:2
20
作者 刘瑞鸿 郭东明 +1 位作者 金洙吉 康仁科 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第3期 275-280,共6页
基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP... 基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP)过程中,因为反应速率对温度的依赖程度降低,摩擦产生的机械能除了部分转化为热能等其他形式的能,绝大部分直接转化为化学能,即直接降低了化学反应活化能,从而提高了反应速率;纯化学作用和纯机械作用在整个CMP去除量中所占比重很小,可以忽略不计;不同浓度通过对摩擦力和活化能降低量的影响,从而影响了温度和抛光效果的相关性,活化能降低量与摩擦力基本呈线性关系. 展开更多
关键词 摩擦化学反应活化能 层间介质膜 化学机械抛光
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