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掺锰对[Bi_(0.5)(Na_(1-x)Ag_x)_(0.5)]_(1-y)Ba_yTiO_3系陶瓷压电和介电性能的影响 预览
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作者 吴浪 肖定全 +4 位作者 赁敦敏 朱建国 余萍 廖运文 王孝平 《四川大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期,共4页
利用传统陶瓷工艺制备了MnO2(0~0.4wt%)掺杂[Bi0.5(Na1-xAgx)0.5]1-yBayTi O3(x=0.06,y=0.06)无铅压电陶瓷,研究了掺杂对该体系陶瓷的结构、压电和介电性能的影响.结果表明,陶瓷的压电常数d33随锰掺杂量增加而减小;适量锰离子的引入可... 利用传统陶瓷工艺制备了MnO2(0~0.4wt%)掺杂[Bi0.5(Na1-xAgx)0.5]1-yBayTi O3(x=0.06,y=0.06)无铅压电陶瓷,研究了掺杂对该体系陶瓷的结构、压电和介电性能的影响.结果表明,陶瓷的压电常数d33随锰掺杂量增加而减小;适量锰离子的引入可降低介电损耗tgδ,提高机械品质因数Qm.当锰掺杂量达到0.4wt%时,陶瓷的压电性能大幅度降低.锰含量为0.15wt%时该体系陶瓷具有较好的性能压电常数d33=160pC/N,机电耦合系数kp=34%,kt=52%,介电常数εr=804,机械品质因数Qm=163,介电损耗tgδ=2.0%. 展开更多
关键词 钛酸铋钠 钛酸钡 [Bi_(0.5)(Na_(1-x)Ag_x)_(0.5)]_(1-y)Ba_yTiO_3 掺锰 无铅压电陶瓷
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掺杂CeO2和CuO对BaTiO3陶瓷介电性能的影响 预览
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作者 单丹 曲远方 +2 位作者 张晨 宋建静 郭晓琨 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期 777-779,共3页
研究了采用固相法在BaTiO3中掺杂CeO2和CuO对瓷料介电性能的影响.结果表明:当CeO2含量为7%(原子分数)、CuO含量为0.5%(质量分数)时,试样在1260℃烧结2h,获得了性能优良的介质材料,瓷料的介电系数为2570,介质损耗为2.15%,绝缘电阻率为5.8... 研究了采用固相法在BaTiO3中掺杂CeO2和CuO对瓷料介电性能的影响.结果表明:当CeO2含量为7%(原子分数)、CuO含量为0.5%(质量分数)时,试样在1260℃烧结2h,获得了性能优良的介质材料,瓷料的介电系数为2570,介质损耗为2.15%,绝缘电阻率为5.8×1011Ω·cm;CeO2的加入可以有效提高瓷料的介电系数,降低介质损耗,而CuO的引入会有效地降低瓷料的烧结温度,大幅度提高了瓷料的绝缘电阻率. 展开更多
关键词 钛酸钡 氧化铈 氧化铜
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制备氧压对外延锆钛酸铅铁电膜疲劳行为的影响 预览
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作者 陈效军 《安徽建筑工业学院学报:自然科学版》 2000年第2期 46-48,共3页
利用脉冲激光沉积方法,在外延的具有钙钛矿结构的La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3导电膜上生长外延的铁电薄膜Pb(Zr0.52Ti0.48)O3。通过改变制备氧压控制铁电膜中氧的空穴浓度,研究其对Pt/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3铁电电容... 利用脉冲激光沉积方法,在外延的具有钙钛矿结构的La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3导电膜上生长外延的铁电薄膜Pb(Zr0.52Ti0.48)O3。通过改变制备氧压控制铁电膜中氧的空穴浓度,研究其对Pt/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3铁电电容器疲劳行为的影响。 展开更多
关键词 铁电薄膜 锆钛酸铅 氧压 钙钛矿结构 导电膜 脉冲激光沉积 空穴 外延
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ZnO电压敏陶瓷的直流稳定性及其改善途径的研究 预览 被引量:2
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作者 张美蓉 刘辅宜 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期 51-58,共8页
本文评述了ZnO电压敏陶瓷直流稳定性的研究现状及直流稳定性的改善途径;从添加剂预合成对ZnO电压敏陶瓷直流稳定性的影响展开研究,发现适当配方的添加剂经预合成后,再与ZnO料混合制成的试样,直流稳定性和温度特性得到明显改善。且预合... 本文评述了ZnO电压敏陶瓷直流稳定性的研究现状及直流稳定性的改善途径;从添加剂预合成对ZnO电压敏陶瓷直流稳定性的影响展开研究,发现适当配方的添加剂经预合成后,再与ZnO料混合制成的试样,直流稳定性和温度特性得到明显改善。且预合成温度愈高,改善的效果愈显著。经X射线分析发现有Zn2SiO4峰,且强度随添加剂预合成温度提高而增大。文章从玻璃体形成观点分析了ZnO电压敏陶瓷稳定性得以改善的原因,认为添加剂预合成促进了致密的玻璃相在晶界附近的形成,有效地阻止了可动离子在外加电场作用下的迁移,从而改善了ZnO电压敏陶瓷的直流稳定性。更多还原 展开更多
关键词 ZNO 压电陶瓷材料 直流稳定性
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Y2O3掺杂(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3无压电陶瓷的研究铅 预览 被引量:3
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作者 周昌荣 刘心宇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期 12-14,共3页
采用固相合成法制备了Y2O3掺杂(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅压电陶瓷。研究了Y2O3掺杂对(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷晶体结构、介电与压电性能的影响。XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷均能够形成纯钙钛矿固... 采用固相合成法制备了Y2O3掺杂(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅压电陶瓷。研究了Y2O3掺杂对(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷晶体结构、介电与压电性能的影响。XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷均能够形成纯钙钛矿固溶体。介电常数-温度曲线显示陶瓷具有弛豫铁电体特征,陶瓷的弛豫特征随掺杂的增加更为明显。在Y2O3掺杂量为0.5%时陶瓷的压电常数d33分别为137pC/N,为所研究组成中的最大值,掺杂量为0.1%时,机电耦合系数kp与kt最大值为0.30,0.47。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 掺杂 介电性能 弛豫特性
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双重熔盐法制备片状BaTiO3粉体 被引量:4
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作者 丁西亚 沈波 +3 位作者 翟继卫 付芳 张景基 姚熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1282-1287,共6页
用双重熔盐法制备片状Bi4Ti3O12粉体,以Bi4Ti3O12为中间产物通过离子交换制备了BaTiO3片状粉体,并对其工艺过程进行了优化。利用x射线衍射分析合成粉体的相结构,用扫描电子显微镜观察其显微形貌。初步探讨了BaTiO3片状粉体的生长机... 用双重熔盐法制备片状Bi4Ti3O12粉体,以Bi4Ti3O12为中间产物通过离子交换制备了BaTiO3片状粉体,并对其工艺过程进行了优化。利用x射线衍射分析合成粉体的相结构,用扫描电子显微镜观察其显微形貌。初步探讨了BaTiO3片状粉体的生长机理。结果表明:反应温度和化学组成对中间产物Bi4Ti3O12的微观形貌具有显著影响,在1000℃以下时,随着反应温度升高,片状尺寸增大;当相对增加Bi2O3的量时,Bi4Ti3O12片状的尺寸增大。通过离子交换制各BaTiO3时,除了模板Bi4Ti3O12的形貌对BaTiO3的晶粒生长具有影响外,反应温度和化学组成同样对BaTiO3的晶粒生长具有显著影响。合成片状Bi4Ti3O12粉体的最佳的条件为:BaTiO3与Bi4Ti3O12的摩尔比为10:1,1000℃合成2h。 展开更多
关键词 双重熔盐法 片状钛酸钡粉体:工艺研究
埋入式压电阻抗传感器水泥封装试验研究 被引量:2
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作者 王丹生 金柯 朱宏平 《华中科技大学学报:自然科学版》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期113-116,共4页
对经防水处理后的PZT(piezoelectric ceramic)阻抗传感器开展了封装试验研究.为了保证PZT传感器与混凝土结构的相容性,试验采用水泥作为封装材料,提出了一套PZT阻抗传感器的封装工艺.通过对封装前后PZT导纳(阻抗的倒数)进行测试可... 对经防水处理后的PZT(piezoelectric ceramic)阻抗传感器开展了封装试验研究.为了保证PZT传感器与混凝土结构的相容性,试验采用水泥作为封装材料,提出了一套PZT阻抗传感器的封装工艺.通过对封装前后PZT导纳(阻抗的倒数)进行测试可以发现:在水泥封装层固化期间,PZT导纳曲线向右发生漂移,峰值对应共振频率增大;经水泥封装的PZT阻抗传感器在封装层完全固化后导纳曲线几乎不再随时间变化,表明封装后的PZT传感器性能稳定,可用于实际混凝土结构的在线健康监测. 展开更多
关键词 水泥 压电陶瓷 埋入式压电阻抗传感器 封装 压电导纳 健康监测
基于压电陶瓷的结构损伤检测技术 预览 被引量:5
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作者 张兢 徐霞 张志文 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第3期 350-352,356,共4页
根据压电材料的压电效应,压电陶瓷片(PZT)既可作为传感器又可作为驱动器。将压电陶瓷片粘贴在待测结构的表面,运用压电阻抗技术,对结构中螺栓松动的损伤进行检测分析。实验证明,通过检测压电动态阻抗的变化即可分析出螺栓松动的... 根据压电材料的压电效应,压电陶瓷片(PZT)既可作为传感器又可作为驱动器。将压电陶瓷片粘贴在待测结构的表面,运用压电阻抗技术,对结构中螺栓松动的损伤进行检测分析。实验证明,通过检测压电动态阻抗的变化即可分析出螺栓松动的结构损伤情况。基于压电陶瓷的结构损伤检测技术,可以对机械结构进行实时在线损伤检测,它不仅适用于宏观损伤检测,且在高频激励下,对于微小损伤的检测也非常有效。 展开更多
关键词 结构损伤检测技术 压电陶瓷 阻抗法 导纳 螺栓
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MgTiO3对SrTiO3—Bi2O3·nTiO2系统的微观结构和介电性能的影响 预览 被引量:7
9
作者 陈维 王冲 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期 6-11,共6页
研究了加入MgTiO3的SrTiO3-Bi2O3·nTiO2系统的结构和性能的变化规律。研究表明,随MgTiO3量增加,材料的相组成、晶格常数和性能均发生变化,加入的Mg^2+和Bi^3+在SrTiO3。晶格中发... 研究了加入MgTiO3的SrTiO3-Bi2O3·nTiO2系统的结构和性能的变化规律。研究表明,随MgTiO3量增加,材料的相组成、晶格常数和性能均发生变化,加入的Mg^2+和Bi^3+在SrTiO3。晶格中发生电价补偿置换,使Bi^3+的固溶极限显著提高,产生强烈的移峰作用和展宽作用,大大改善了材料的温度特性。 展开更多
关键词 钛酸锶铋 陶瓷电容器 钛酸镁 微观结构 介电性能
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K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3–BiFeO3无铅压电陶瓷的烧结特性 被引量:1
10
作者 江民红 刘心宇 +2 位作者 陈国华 龚晓斌 周昌荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1165-1169,共5页
采用传统无压固相烧结法制备0.996(0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3)-0.004BiFeO3[0.996(0.95KNN-0.05LS)-0.004BF]无铅压电陶瓷,着重研究烧结保温时间对陶瓷结构、压电性能与介电性能和Curie温度TC的影响。结果表明:随着烧结保温时... 采用传统无压固相烧结法制备0.996(0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3)-0.004BiFeO3[0.996(0.95KNN-0.05LS)-0.004BF]无铅压电陶瓷,着重研究烧结保温时间对陶瓷结构、压电性能与介电性能和Curie温度TC的影响。结果表明:随着烧结保温时间的延长,陶瓷趋于形成更稳定的四方相结构,陶瓷的压电性能指标则先升高后降低,但变化幅度都不大,陶瓷的Curie温度和相对介电常数εr随烧结保温时间的变化也不大,表明该体系陶瓷具有较宽的烧结保温时间范围。在1 100℃烧结3 h,0.996(0.95KNN-0.05LS)-0.004BF无铅压电陶瓷具有较好的综合性能:压电常数d33=262 pC/N,平面机电耦合系数kp=52%,TC=360℃,εr=1 594,介电损耗tanδ=2.12%,表明该体系陶瓷具有良好的实用前景。 展开更多
关键词 铌酸钾钠 烧结工艺 压电性能 烧结保温时间 无铅压电陶瓷
流延成型制备NBT基无铅压电织构陶瓷的研究 预览 被引量:2
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作者 洪荣子 高峰 +2 位作者 姚永红 成丽红 田长生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第3期 343-345,共3页
采用流延成型工艺,以片状Bi2.5Na3.5Nb5O18(BINN5)微晶为模板制备出(BiNa)0.5TiO3-BaTiO3(NBT)织构陶瓷,研究了微晶模板含量与陶瓷的微观组织结构间的关系。研究结果表明,采用流延成型工艺成功制备出晶粒定向排列的NBT无铅压... 采用流延成型工艺,以片状Bi2.5Na3.5Nb5O18(BINN5)微晶为模板制备出(BiNa)0.5TiO3-BaTiO3(NBT)织构陶瓷,研究了微晶模板含量与陶瓷的微观组织结构间的关系。研究结果表明,采用流延成型工艺成功制备出晶粒定向排列的NBT无铅压电织构陶瓷。随着微晶模板质量分数的增加,陶瓷织构度增大;当烧结温度为1225℃,微晶模板质量分数为20%时,NBT基陶瓷的织构度最大。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钛酸铋钠 流延成型 织构度
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PNiTa-PZT三元系压电陶瓷性能 预览 被引量:2
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作者 李庆利 曹建新 +2 位作者 赵丽媛 高传平 范冠锋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期 1-3,共3页
采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.50-0.55,PNiTa—PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响。结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷... 采用传统陶瓷工艺制备了0.02Pb(Ni1/3Ta2/3)O3+0.98Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.50-0.55,PNiTa—PZT)三元系压电陶瓷,研究了n(Zr)/n(Ti)变化对陶瓷性能的影响。结果表明:随其比值的变化,陶瓷样品均为钙钛矿结构,且对陶瓷显微结构影响不大;当n(Zr)/n(Ti)为52/48时,陶瓷具有较优的压电、介电性能:kp为0.583,d33为266pC/N,tc为394℃,tanδ为0.0055,ε33^T/ε0为1297。其中tc比目前文献报道的PZT基压电材料高30-50℃,有望在高温压电陶瓷领域获得应用。 展开更多
关键词 无机非金属材料 掺杂量 PNiTa-PZT 居里温度 压电介电性能
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Ca(Na,Ce)—Bi—Ti系列高温压电陶陶瓷材料及其压电性能的研究 预览 被引量:13
13
作者 黄宣威 李承恩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期 59-64,共6页
本文开展了对CaBi4O15基料的置换和掺杂的研究,获得一个较好Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti材料系列,并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂,使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善,其电阻率、... 本文开展了对CaBi4O15基料的置换和掺杂的研究,获得一个较好Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti材料系列,并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂,使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善,其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于CaBi4O15,是一种较有开发潜力的高温压电陶瓷材料。 展开更多
关键词 高温 压电陶瓷 压电性 钙钛矿型
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CuO对BaTiO3基PTC材料性能的影响 被引量:1
14
作者 霍伟荣 刘浩瀚 +2 位作者 梁巍 宋远强 曲远方 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期230-233,共4页
通过阻温测试、介温测试及XRD等测试分析手段,研究了CuO的加入对BaTiO3基PTC材料性能的影响,结果表明:加入0.1mol%的CuO可以明显改善材料的PTC效应,升阻比提高到106;CuO的加入可明显降低烧结温度,当CuO的加入量为4mol%时,烧结温度降低6... 通过阻温测试、介温测试及XRD等测试分析手段,研究了CuO的加入对BaTiO3基PTC材料性能的影响,结果表明:加入0.1mol%的CuO可以明显改善材料的PTC效应,升阻比提高到106;CuO的加入可明显降低烧结温度,当CuO的加入量为4mol%时,烧结温度降低65℃,最低烧结温度为1210℃;加入2.0mol%的CuO,材料的居里温度提高了近40℃,同时CuO的加入能提高材料的介电常数,并有压峰作用,对高介电常数材料的研究有一定的意义。 展开更多
关键词 CUO PTC效应 居里温度 烧结温度
ZnO陶瓷键合Cu电极技术的研究 预览 被引量:1
15
作者 谢进 徐传骧 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期 18-22,36,共6页
研究了Cu-ZnO陶瓷键合技术,并探讨了其作为电极用在线性ZnO陶瓷电阻器上对器件性能的影响,运用扫描电镜对Cu-ZnO陶瓷的键合结构进行了分析,测量了键合Cu电极后的接触电阻及器件耐电流冲击的稳定性,并与镀Cu、喷... 研究了Cu-ZnO陶瓷键合技术,并探讨了其作为电极用在线性ZnO陶瓷电阻器上对器件性能的影响,运用扫描电镜对Cu-ZnO陶瓷的键合结构进行了分析,测量了键合Cu电极后的接触电阻及器件耐电流冲击的稳定性,并与镀Cu、喷Al及烧Ag电极进行了分析对比。同时,研究了键合Cu电极的工艺对ZnO陶瓷本体电阻产生的影响。 展开更多
关键词 键合 电极 氧化锌陶瓷 附着力
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Pr6O11掺杂锆钛酸铅二元系压电陶瓷 预览
16
作者 孙清池 孙琳 +2 位作者 王俐聪 高正虹 徐廷献 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期 15-18,共4页
固相法制备Pb0.955Pr0.03(ZryTi1-y)O3(PPZT1)和Pb1-1.5xPrx(Zr0.54Ti0.46)O3(PPZT2)系压电陶瓷,其中:x=0.02,0.04,0.06,0.08; y=0.51,0.52,0.54,0.56,0.58,0.60.XRD分析表明:PPZT1系统的准同型相界在锆的摩尔分数为55%左右.当锆的摩尔... 固相法制备Pb0.955Pr0.03(ZryTi1-y)O3(PPZT1)和Pb1-1.5xPrx(Zr0.54Ti0.46)O3(PPZT2)系压电陶瓷,其中:x=0.02,0.04,0.06,0.08; y=0.51,0.52,0.54,0.56,0.58,0.60.XRD分析表明:PPZT1系统的准同型相界在锆的摩尔分数为55%左右.当锆的摩尔分数为54%,烧结温度为1 240 ℃,保温1 h,能获得优良的性能,其值分别为:d33=420×10-12 C/N; εT33/ε0=2 000;θC=314 ℃;Qm=76;tanδ=2%;Kp=0.53.XRD分析还表明:PPZT2系统已远离相界,组成均在四方铁电相内.尽管PPZT2系统的介电常数很高,其压电性能却低于PPZT1系统. 展开更多
关键词 锆钛酸铅陶瓷 镨掺杂 压电陶瓷 X射线衍射
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压电固体作动筒的应用基础研究 预览 被引量:1
17
作者 朱晓荣 陶宝祺 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第1期 19-22,共4页
通过对大位移压电固体作动筒的动力学模型的研究,探讨了压电固体作动筒在振动控制中的动力学驱动模型。通过对压电作动筒和结构之间的驱动传递关系的研究,以及在结构应用中获得达到最大的位移输出和最大的作用力的匹配关系的研究,为... 通过对大位移压电固体作动筒的动力学模型的研究,探讨了压电固体作动筒在振动控制中的动力学驱动模型。通过对压电作动筒和结构之间的驱动传递关系的研究,以及在结构应用中获得达到最大的位移输出和最大的作用力的匹配关系的研究,为驱动器的一体化应用提供基础。最后研究了压电作动筒驱动力及输出位移,同时在不同的频率及负载下,对压电作动筒的驱动性能进行了实验,并进行讨论。结论表明:利用压电作动筒作为智能结构驱动器件, 展开更多
关键词 驱动器 压电固体作动筒 振动控制 压电材料
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B位掺杂对改性PbTiO3陶瓷性能的影响 预览
18
作者 张源伟 周桃生 +2 位作者 柴荔英 邝安祥 袁润章 《湖北大学学报:自然科学版》 CAS 2001年第3期 234-237,共4页
针对具有大各向异性的钙改性PbTiO3陶瓷材料,研究了在B位用镍铌和锌钨联合取代部分钛对材料性能的影响.研究结果表明:当Pb(Zn1/2W1/2)O3和Pb(Ni1/3Nb2/3)O3的掺杂量为3?%(mol/mol)时,样品同时具有较大的压电各向异性和较高的机械品质因... 针对具有大各向异性的钙改性PbTiO3陶瓷材料,研究了在B位用镍铌和锌钨联合取代部分钛对材料性能的影响.研究结果表明:当Pb(Zn1/2W1/2)O3和Pb(Ni1/3Nb2/3)O3的掺杂量为3?%(mol/mol)时,样品同时具有较大的压电各向异性和较高的机械品质因素.分析指出合适的B位取代会引起一定的晶格畸变以及较少的晶格缺位,使材料在极化后电畴充分转向,有利于提高压电各向异性和机械品质因素.用XRD和SEM对陶瓷的微观结构进行研究,发现随着镍铌取代量的增加,晶体结构的四方度有减小的趋势,从而导致材料性能相应的变化,利用这种变化可以对材料性能适当地进行调整. 展开更多
关键词 改性钛酸铅陶瓷 B位取代 压电各向异性 机械品质因素 晶格畸变 微观结构 掺杂
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高介电常数覆铜箔金属基复合微波介质基板的研制 被引量:3
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作者 刘军 《覆铜板资讯》 2008年第2期 17-20,共4页
本研究采用PPO树脂体系,同时采用介电常数调节剂——复合陶瓷粉材料,研制开发出了介电常数为6—10、介质损耗因数为小于0.005的金属基高频电路用覆铜板。
关键词 PPO 金属基 覆铜板 高频 介电常数调节剂 陶瓷粉
补偿电价取代对(Bi1/2Na1/2)TiO3无铅压电陶瓷介电与压电性能的影响 预览 被引量:1
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作者 周昌荣 刘心宇 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期 717-720,共4页
采用传统陶瓷制备方法,制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O3。研究了一种化合物Bi(Mg2/3Nb1/3)O3中两种离子Bi^3+和(Mg2/3Nb1/3)^3+同时进行补偿电价取代对(Bi1/2Na1/2)TiO3... 采用传统陶瓷制备方法,制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O3。研究了一种化合物Bi(Mg2/3Nb1/3)O3中两种离子Bi^3+和(Mg2/3Nb1/3)^3+同时进行补偿电价取代对(Bi1/2Na1/2)TiO3陶瓷介电和压电性能的影响。X射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征。适量的取代能提高材料的压电性能,在x=0.7%时压电常数d33=94 pC/N,x=0.9%时厚度机电耦合系数kt=0.46,为所研究组成中的最大值。该体系陶瓷具有较大的kt值和较小的kp值,具有较大的各向异性。 展开更多
关键词 钛酸铋钠 无铅压电陶瓷 取代
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