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非离子表面活性剂在钽基阻挡层CMP中的作用 被引量:1
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作者 张文倩 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 牛新环 季军 杜义琛 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第3期421-424,共4页
碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用。分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量铜表面粗糙度。对含有不同浓度活性剂的抛光液进行接触角和Zeta电位的测试,并对活性剂的作用机理进行分... 碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用。分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量铜表面粗糙度。对含有不同浓度活性剂的抛光液进行接触角和Zeta电位的测试,并对活性剂的作用机理进行分析。活性剂体积分数达到3%时,铜表面粗糙度可达0.679nm,抛光液在铜膜表面的接触角低至10.25°,Zeta电位达到-50.2mV。实验结果表明,活性剂在减小粗糙度的同时可提高抛光液的湿润性和稳定性,便于抛光后清洗和长时间放置。 展开更多
关键词 非离子表面活性剂 接触角 化学机械平坦化 ZETA电位 表面粗糙度
集箱焊瘤打磨机器人的结构设计与位姿分析 预览 被引量:2
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作者 徐子力 +1 位作者 张伟森 陈龙 《机电工程》 CAS 2014年第4期414-419,共6页
针对集箱内壁焊瘤打磨作业存在安全性与高效性不足的问题,研制出了一种新型的轮式驱动集箱焊瘤打磨机器人.首先介绍了集箱焊瘤打磨机器人的结构组成和工作原理,根据机器人在集箱内壁中的通过性具体要求,分析了集箱焊瘤打磨机器人在集箱... 针对集箱内壁焊瘤打磨作业存在安全性与高效性不足的问题,研制出了一种新型的轮式驱动集箱焊瘤打磨机器人.首先介绍了集箱焊瘤打磨机器人的结构组成和工作原理,根据机器人在集箱内壁中的通过性具体要求,分析了集箱焊瘤打磨机器人在集箱内壁复杂环境中的越障性能,及摩擦力与轮子直径对机器人越障能力的影响;然后通过建立机器人在集箱内壁面上的运动学模型,分析了机器人的位姿与各轮子的运动轨迹;最后对样机进行了试验.试验及研究结果表明:该焊瘤打磨机器人响应速度快,行走能力也达到了设计要求. 展开更多
关键词 打磨机器人 圆形集箱或管道 越障通过性 位姿
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地方广电网络电视台建设浅析 预览 被引量:1
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作者 李江 朱凯 《青年记者》 2009年第10Z期48-49,共2页
【正】2009年2月18日,广电总局官方网站发布消息:中央电视台旗下的央视网正在推进"国家网络电视台"的筹备工作。3月,广电总局发布2009广播影视科技工作总体要求,对新媒体领域,
关键词 网络电视台 地方广电 广播影视科技 央视网 媒体领域 新媒体发展 播出机构 网络视听 收视时间 电视收视
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网络媒体在构建和谐社会中的作用——从青岛传媒网《百姓说事》栏目说开去 预览 被引量:3
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作者 王瑶 朱凯 《青年记者》 2008年第26期,共2页
关注民生,构建社会主义和谐社会的舆论阵地,不仅仅是传统媒体的责任,网络媒体的作用也不能忽视。在长期的实践中,我们也充分认识到在构建和谐社会的过程中,网络媒体可以发挥很大的作用。
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青岛电视台整合资源的创新探索 预览
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作者 牟婕 王瑶 《青年记者》 2008年第4期 59-60,共2页
综合频道资源,做强电视品牌,稳步推进广播电视集团化,是近年来电视媒体改革的趋势。为此,2006年底,青岛电视台(QTV)完成了内部管理体制与运行机制的改革,实现了中心制向中心频道制的改革的转变。
关键词 青岛电视台 创新探索 整合资源 广播电视集团化 媒体改革 内部管理体制 频道资源 电视品牌
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新闻专业主义的激情传承——从CCTV-4“连宋大陆行特别报道”说开去 预览
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作者 吕岩梅 《现代视听》 2005年第9期12-15,共4页
【正】2003年的伊拉克战争“烧红”了中央电视台中文国际频道(CCTV-4)和它的一批主持人,这在学界和业界已是不争的话题。如果说,对那场发生在异国他乡的战争的报道样式及在其中的激情进发让服务CCTV-4的电视人品味了实现某些新闻专业主... 【正】2003年的伊拉克战争“烧红”了中央电视台中文国际频道(CCTV-4)和它的一批主持人,这在学界和业界已是不争的话题。如果说,对那场发生在异国他乡的战争的报道样式及在其中的激情进发让服务CCTV-4的电视人品味了实现某些新闻专业主义理念带给他们的惊喜的话,那么,刚刚过去的这场对在本国本土上演的经典历史剧——“跨越海峡的握手”连战、宋楚瑜大陆行的特别报道则是对这种理念的承接和延伸,而因为是事关中国人个己痛痒,这种承接和延伸还具有了某种更深远的意义;如果说前者还带有某种“投石问路”的尝试、探寻意味的话,那么,后者则是一种自觉的拓展和自主的飞跃,因之自觉和自主,这种拓展和飞跃应该是具备了某种“质”的变化成分。 展开更多
关键词 新闻专业主义 CCTV-4 中文国际频道 电视新闻 宋楚瑜 伊拉克战争 《东方时空》 直播节目 中国电视人 媒介事件
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无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制 被引量:1
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作者 张文倩 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 牛新环 杜义琛 季军 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第1期57-62,共6页
利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,... 利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,并且在磨料质量分数低于5%时钴的去除速率为20~30 nm/min,而铜的去除速率几乎为零;加入FA/O螯合剂可增强其与金属离子的络合,从而加快铜和钴的去除速率;非离子表面活性剂可以有效降低铜和钴的表面粗糙度。在抛光液各组分的协同作用下,可以达到两种材料的低表面粗糙度和高去除速率选择性。 展开更多
关键词 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 去除速率 碱性抛光液 表面粗糙度
硅衬底CMP过程中抛光雾的控制
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作者 张凯 刘玉岭 +3 位作者 王辰伟 张文倩 任利鹏 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期908-912,共5页
抛光雾(Haze)是硅晶圆精抛过程中表面质量评定的重要参数之一。主要研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液磨料质量分数、p H值、FA/O型非离子表面活性剂和混合表面活性剂对Haze值的影响。实验结果显示,磨料质量分数为0.1%是影响Haz... 抛光雾(Haze)是硅晶圆精抛过程中表面质量评定的重要参数之一。主要研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液磨料质量分数、p H值、FA/O型非离子表面活性剂和混合表面活性剂对Haze值的影响。实验结果显示,磨料质量分数为0.1%是影响Haze值变化的拐点。当磨料质量分数由2%降至0.1%时Haze值下降迅速;当磨料质量分数由0.1%降至0.01%乃至0%时Haze值稍有增加。抛光液p H值约为9.5时Haze值最低,硅片表面质量最好,在此基础上提高或降低p H值都会增加Haze值。随着非离子表面活性剂体积分数的增加,Haze值快速下降。渗透剂脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC)和FA/O型非离子表面活性剂混合使用比单独使用其中任何一种更有利于降低Haze值,且当JFC与FA/O的体积比为3∶1时,Haze值降到0.034,满足了工业生产的要求。 展开更多
关键词 抛光雾 化学机械抛光(CMP) 磨料质量分数 pH值 非离子表面活性剂
CMP中TEOS去除速率的一致性 被引量:1
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作者 张凯 刘玉岭 +3 位作者 王辰伟 牛新环 江自超 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第9期639-644,共6页
针对300mm正硅酸乙酯(TEOS)镀膜片在化学机械平坦化(CMP)过程中中心去除速率快而边缘去除速率慢的问题,研究了抛光头摆动位置、抛光头不同区域压力和非离子型表面活性剂对TE0s去除速率一致性的影响。实验结果显示,抛光头距抛光盘... 针对300mm正硅酸乙酯(TEOS)镀膜片在化学机械平坦化(CMP)过程中中心去除速率快而边缘去除速率慢的问题,研究了抛光头摆动位置、抛光头不同区域压力和非离子型表面活性剂对TE0s去除速率一致性的影响。实验结果显示,抛光头距抛光盘中心越远,中心去除速率越慢,去除速率一致性越好;增加抛光头边缘压力,加快了边缘去除速率,提高了去除速率一致性;增加非离子表面活性剂添加量,提高了温度分布均匀性,进而改善去除速率一致性。与初始工艺对比,在抛光头摆动位置距抛光盘中心7.2~8.2英寸(1英寸=2.54cm)、抛光头边缘压力增加20%、添加非离子表面活性剂体积分数1.5%条件下,片内非均匀性(WIWNU)降低了60.99/5。 展开更多
关键词 正硅酸乙酯(TEOS) 化学机械平坦化(CMP) 非离子型表面活性剂 去除速率一致性 片内非均匀性(WIWNU)
KIO4基电解液中Cu/Ru电偶腐蚀的控制与分析 被引量:1
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作者 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 张文倩 张凯 杜义琛 付蕾 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第12期847-851,共5页
Ru作为14 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路(GLSI)的新型阻挡层材料,在化学机械平坦化(CMP)工艺中易与Cu发生电偶腐蚀,影响器件的稳定性。采用动电位扫描的电化学方法表征铜钌表面的电化学反应,进而分析研究KIO4溶液的pH... Ru作为14 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路(GLSI)的新型阻挡层材料,在化学机械平坦化(CMP)工艺中易与Cu发生电偶腐蚀,影响器件的稳定性。采用动电位扫描的电化学方法表征铜钌表面的电化学反应,进而分析研究KIO4溶液的pH值和浓度对Cu/Ru电偶腐蚀的控制及机理。研究表明:pH值对Ru的腐蚀影响较大,溶液接近中性时,Ru表面会生成一层致密且不均匀的钝化膜,此时Ru表面腐蚀最小,腐蚀电流密度最低。随着KIO4浓度升高,Cu表面氧化膜加厚,阻碍化学反应的进行。当pH值为9、KIO4浓度为0.015 mol/L时,Cu/Ru腐蚀电位差由0.999 V降至0.628 V,实现了Cu/Ru电偶腐蚀的控制。 展开更多
关键词 电化学 电偶腐蚀 PH值 浓度
新型碱性抛光液对300 mm TaN镀膜片CMP效果评估
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作者 张文倩 刘玉岭 +3 位作者 王辰伟 季军 杜义琛 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期844-849,共6页
TaN由于其良好的性能广泛用于布线铜与介质之间的阻挡层和黏附层。在对直径为300 mm的TaN镀膜片进行化学机械抛光(CMP)后,对比并分析了两种碱性抛光液对TaN去除速率、片内非均匀性、去除速率选择性和表面粗糙度的影响。结果表明,经过... TaN由于其良好的性能广泛用于布线铜与介质之间的阻挡层和黏附层。在对直径为300 mm的TaN镀膜片进行化学机械抛光(CMP)后,对比并分析了两种碱性抛光液对TaN去除速率、片内非均匀性、去除速率选择性和表面粗糙度的影响。结果表明,经过自主研发且不含氧化剂的碱性阻挡层抛光液抛光后,TaN的去除速率为40.1 nm/min,片内非均匀性为3.04%,介质、TaN与Cu的去除速率之比为1.69∶1.26∶1,中心、中间以及边缘的表面粗糙度分别为0.371,0.358和0.366 nm。与商用抛光液抛光结果相比,虽然采用自主研发的抛光液抛光的去除速率低,但片内非均匀性以及选择性均满足商用要求,且抛光后TaN表面粗糙度小,易清洗,无颗粒沾污。综合实验结果表明,自主研发的高性能碱性抛光液对TaN镀膜片具有良好的抛光效果,适合工业生产。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 去除速率 表面粗糙度 氮化钽 碱性抛光液
紫外光照射下GaN的电化学性质及CMP应用
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作者 张礼 张保国 +3 位作者 罗超 刘宜霖 缪玉欣 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第12期858-863,共6页
通过电化学工作站对2英寸(1英寸=2.54 cm)n型GaN晶圆进行了研究,结合X62型单面抛光机研究GaN电化学腐蚀与化学机械抛光(CMP)的一致性,并利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后晶片的表面形貌。结果表明:采用H_2O_2和NaClO作为氧化剂时... 通过电化学工作站对2英寸(1英寸=2.54 cm)n型GaN晶圆进行了研究,结合X62型单面抛光机研究GaN电化学腐蚀与化学机械抛光(CMP)的一致性,并利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后晶片的表面形貌。结果表明:采用H_2O_2和NaClO作为氧化剂时,GaN的腐蚀速率与氧化剂的体积分数呈反比,在固定H2O2体积分数的情况下,GaN腐蚀速率呈现酸性溶液优于碱性溶液、同时二者均优于中性溶液的现象。使用X62型单面抛光机对上述电化学腐蚀结果进行验证,得到与其相一致的规律,在体积分数为1%的H_2O_2和pH=5的情况下,GaN的去除速率最高,达到380.3 nm/h,同时抛光后的GaN表面粗糙度达到0.063 nm,扫描范围为5μm×5μm。研究表明电化学腐蚀和化学机械抛光具有一定的一致性,在实际应用中具有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 电化学腐蚀 GAN 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 去除速率
晶圆键合技术在LED应用中的研究进展
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作者 罗超 张保国 +4 位作者 孙强 张启明 张礼 缪玉欣 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期881-887,共7页
简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤和参数以及优缺点。其中,黏合剂键合... 简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤和参数以及优缺点。其中,黏合剂键合是一种低温键合技术,且易于应用、成本低、引入应力小,但可靠性较差;金属键合技术能提供高热导、高电导的稳定键合界面,与后续工艺兼容性好,但键合温度高,引入应力大,易造成晶圆损伤;表面活化直接键合技术能实现室温键合,降低由于不同材料间热失配带来的负面影响,但键合良率有待提高。 展开更多
关键词 晶圆键合 发光二极管(LED) 黏合剂键合 金属键合 直接键合
阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素
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作者 付蕾 刘玉岭 +3 位作者 王辰伟 张文倩 马欣 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期492-498,504共8页
在Co化学机械抛光(CMP)过程中,Co的化学反应活性强于Cu,Co/Cu界面存在较大的电化学腐蚀电位差。采用动电位扫描电化学技术,表征金属铜钴表面的电化学反应。采用降低Cu/Co接触腐蚀电位差的方法,表征铜钴电偶腐蚀。研究了阻挡层CMP中影... 在Co化学机械抛光(CMP)过程中,Co的化学反应活性强于Cu,Co/Cu界面存在较大的电化学腐蚀电位差。采用动电位扫描电化学技术,表征金属铜钴表面的电化学反应。采用降低Cu/Co接触腐蚀电位差的方法,表征铜钴电偶腐蚀。研究了阻挡层CMP中影响铜钴电偶腐蚀的几个因素:pH值、H2O2和FA/O螯合剂;并对其控制机理进行了深入的研究。实验结果表明:pH值对钴的腐蚀电位影响较大,对铜的腐蚀电位影响不大,随着pH值的增加降低了铜和钴的腐蚀电位差;在碱性环境下,H2O2可降低Cu和Co的腐蚀电位差(最小可降到3 mV),可有效抑制Cu和Co之间电偶腐蚀现象的产生;在H2O2基电解液中添加适量的FA/O螯合剂有助于降低Cu和Co的腐蚀电位差,对抑制Cu和Co电偶腐蚀现象的产生具有重大的作用。 展开更多
关键词 电化学 电偶腐蚀 化学机械抛光(CMP) H2O2
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