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GZO薄膜溅射工艺对性能的影响研究 认领
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作者 姚婷婷 仲召进 +4 位作者 杨勇 李刚 金克武 王天齐 马立云 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期32-36,共5页
透明导电氧化物(TCOs)薄膜近来发展迅速,旨在研究GZO薄膜溅射功率变化对其结晶性能、表面形貌、电学性能以及光学性能的影响。研究结果表明,在采用直流磁控溅射制备GZO薄膜时,存在一个较佳溅射功率范围,有利于促进GZO薄膜粒子扩散迁移,... 透明导电氧化物(TCOs)薄膜近来发展迅速,旨在研究GZO薄膜溅射功率变化对其结晶性能、表面形貌、电学性能以及光学性能的影响。研究结果表明,在采用直流磁控溅射制备GZO薄膜时,存在一个较佳溅射功率范围,有利于促进GZO薄膜粒子扩散迁移,生长及结晶性能的提升,薄膜内载流子浓度和霍尔迁移率的增加,优化薄膜电学性能。同时GZO薄膜表面由蜂窝状形貌转变为颗粒状形貌,薄膜透光性能相对较好。 展开更多
关键词 溅射功率 结晶性能 电学性能 光学性能
氮化碳薄膜的光电特性研究 认领
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作者 沈洪雪 李刚 +3 位作者 姚婷婷 金葆琪 金克武 王天齐 《真空》 CAS 2020年第3期34-36,共3页
以高纯石墨为靶材,Ar、N2为溅射和反应气体,采用直流磁控溅射法,制备了一系列不同N掺杂量的氮化碳薄膜。利用XRD、SEM、分光光度计、高阻抗率计等检测手段对薄膜的成分、形貌、透过率、电阻率等进行表征。结果表明:CN薄膜已初具晶型;随... 以高纯石墨为靶材,Ar、N2为溅射和反应气体,采用直流磁控溅射法,制备了一系列不同N掺杂量的氮化碳薄膜。利用XRD、SEM、分光光度计、高阻抗率计等检测手段对薄膜的成分、形貌、透过率、电阻率等进行表征。结果表明:CN薄膜已初具晶型;随着溅射腔室中N2含量的增加,薄膜中N含量先增加后减少最后趋于稳定状态,薄膜的电阻率维持在(10-5~1015)Ω·cm范围内变动;透过率基本维持在85%~91%之间。N的掺入对薄膜中的sp3杂化C起到了稳定的作用。 展开更多
关键词 sp3杂化 透过率 电阻率 晶型
纳米晶ZnS薄膜的制备方法及应用进展 认领
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作者 杨扬 李刚 +2 位作者 金克武 王天齐 彭赛奥 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期51-54,共4页
纳米晶ZnS薄膜具有带隙宽度大、光学透过率高、介电常数低、化学稳定性好等特点,在透明导电膜、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池、发光器件、功能玻璃等领域表现出巨大的应用潜力。综述了纳米晶ZnS薄膜常用的制备方法,如磁控溅射法、化学... 纳米晶ZnS薄膜具有带隙宽度大、光学透过率高、介电常数低、化学稳定性好等特点,在透明导电膜、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池、发光器件、功能玻璃等领域表现出巨大的应用潜力。综述了纳米晶ZnS薄膜常用的制备方法,如磁控溅射法、化学浴沉积法、真空蒸发法和化学气相沉积法,同时还介绍了纳米晶ZnS薄膜的掺杂改性研究及其在相关领域的应用进展。 展开更多
关键词 纳米晶ZnS薄膜 带隙宽度 透明导电膜 CIGS太阳能电池
高温CO2吸附材料K掺杂硅酸锂陶瓷的制备及掺杂机理研究 认领
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作者 沈洪雪 李刚 +1 位作者 姚婷婷 金克武 《化学工程师》 CAS 2019年第10期17-21,共5页
以Li2CO3,SiO2为固相反应物,同时以K2CO3作为K掺杂源,制备了一系列可在高温下(300~800℃)吸收CO2的K掺杂硅酸锂陶瓷材料,利用XRD,eds能谱观察掺杂源的存在形式。采用扫描电镜(SEM)、热重分析性(TG)对材料进行了表面形貌及高温下吸附CO2... 以Li2CO3,SiO2为固相反应物,同时以K2CO3作为K掺杂源,制备了一系列可在高温下(300~800℃)吸收CO2的K掺杂硅酸锂陶瓷材料,利用XRD,eds能谱观察掺杂源的存在形式。采用扫描电镜(SEM)、热重分析性(TG)对材料进行了表面形貌及高温下吸附CO2的能力检测。结果表明:(1)一定K掺杂量的硅酸锂陶瓷材料相比未掺杂硅酸锂,其对CO2的吸附能力大幅度提高;(2)K在硅酸锂陶瓷材料中主要以K+的形式存在,不以其它化合物的形式存在,对材料晶体结构造成了一定的破坏,形成了晶体缺陷,破坏其稳定性,增强活性,从而达到提高吸附CO2的作用;(3)对于吸收-释放CO2的循环次数进行检测,经过5次循环其吸附能力仍较强。 展开更多
关键词 K掺杂 高温吸收 硅酸锂陶瓷 晶体缺陷 固体吸附
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氮气流量和退火处理对射频磁控溅射氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响 认领
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作者 杨勇 汪冰洁 +8 位作者 姚婷婷 李刚 金克武 沈洪雪 王天齐 杨扬 彭赛奥 甘治平 马立云 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期417-422,共6页
常温下利用TiO2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:... 常温下利用TiO2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:磁控溅射N2流量和退火处理对薄膜的微观结构和性能有重要的影响。退火前,薄膜由非晶态TiO2构成;退火后,薄膜呈现锐钛矿相和金红石相的混合相。随着磁控溅射系统中N2流量的增加,退火前禁带宽度从3.19eV减少到2.15eV;退火后,薄膜由非晶相TiO2组织转化为锐钛矿TiO2和金红石TiO2构成的浑河相组织,禁带宽度相比退火前的非晶相TiO2薄膜略有增加。 展开更多
关键词 氮掺杂二氧化钛薄膜 射频磁控溅射 沉积速率 禁带宽度
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直流射频耦合制备微纳结构AZO薄膜及其性能研究 认领 被引量:1
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作者 姚婷婷 仲召进 +10 位作者 李刚 汤永康 杨勇 金克武 沈洪雪 王天齐 彭塞奥 金良茂 沈鸿烈 甘治平 马立云 《真空》 CAS 2018年第6期64-67,共4页
采用直流射频耦合磁控溅射法结合线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,底层AZO薄膜射频功率占比从50%调整到90%。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试系统、紫外可见分光光度计、光电雾... 采用直流射频耦合磁控溅射法结合线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,底层AZO薄膜射频功率占比从50%调整到90%。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试系统、紫外可见分光光度计、光电雾度仪重点研究了AZO薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能。研究结果表明,提高底层AZO薄膜射频功率占比对微纳结构AZO薄膜光电性能有显著的影响,底层AZO薄膜射频功率占比80%时薄膜表现最低电阻率5.32×10-4Ω·cm,可见光波段平均光学雾度36.3%。随着底层AZO薄膜射频功率占比的增加,薄膜表面形貌、生长形态和结晶性能发生较大变化,并得到具有陷光作用且光电性能优良的微纳结构AZO薄膜。 展开更多
关键词 AZO薄膜 表面形貌 微纳结构 靶电压 电学性能 雾度
反应溅射制备NixOy薄膜的形貌与成分分析及其电致变色性能 认领 被引量:2
7
作者 彭寿 汤永康 +5 位作者 金良茂 马立云 甘治平 金克武 王天齐 李刚 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1347-1354,共8页
采用直流反应磁控溅射法制备了具有不同电致变色性能的NixOy薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描电子显微镜、电化学工作站、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、价态组成、微观结构和电致变色性能... 采用直流反应磁控溅射法制备了具有不同电致变色性能的NixOy薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描电子显微镜、电化学工作站、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、价态组成、微观结构和电致变色性能。研究表明:金属镍靶直流反应溅射所制备的薄膜结晶状态与表面微结构对氧流量反应敏感,即在很小的氧流量变化范围内薄膜呈现出不同的晶相与表面形貌;氧化镍薄膜在不同的制备条件下展现出了独特的表面微结构,XRD结果显示薄膜成分为NiO,而通过薄膜元素XPS分析发现其中的Ni并非只有单纯的二价,三价的Ni亦存在,且Ni2+/Ni^3+之比约为2:1。最终氧流量、溅射压强、溅射功率分别为1.6 mL/min、2.0 Pa、50 W时获得较优变色性能的NixOy薄膜,其可见光区最大电致变色幅度达到约55%。 展开更多
关键词 氧化镍薄膜 表面微结构 价态组成 电致变色
表面具有微纳结构的AZO薄膜制备及性能研究 认领
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作者 姚婷婷 仲召进 +7 位作者 李刚 汤永康 杨勇 金克武 王天齐 沈鸿烈 甘治平 马立云 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期802-806,共5页
采用磁控溅射法及线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,使底层AZO薄膜工作压强从1.5Pa调整到0.1Pa。通过扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试系统、分光光度计及光电雾度仪研究了AZO薄... 采用磁控溅射法及线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,使底层AZO薄膜工作压强从1.5Pa调整到0.1Pa。通过扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试系统、分光光度计及光电雾度仪研究了AZO薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能。研究结果表明,降低底层AZO薄膜工作压强对微纳结构AZO薄膜光电性能有显著的影响。底层AZO薄膜工作压强0.2Pa时,薄膜表现最低电阻率为6.17×10^-4Ω·cm,可见光波段平均光学透光率为82.3%。随着底层AZO薄膜工作压强的降低,薄膜表面形貌、生长形态和晶粒大小发生较大变化,并得到具有陷光作用、优良光电性能的微纳结构AZO薄膜。 展开更多
关键词 铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜 表面形貌 微纳结构 亲水性 电学性能 雾度
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直流磁控溅射功率对溅射生长GZO薄膜光电性能的影响 认领 被引量:1
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作者 姚婷婷 杨勇 +9 位作者 李刚 仲召进 张宽翔 蒋继文 金克武 曹欣 吴可凡 王芸 马立云 彭寿 《材料科学与工程学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期747-751,814共6页
本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明,溅射功率对GZO薄膜电阻率有显著... 本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明,溅射功率对GZO薄膜电阻率有显著的影响。溅射功率为210W时薄膜呈现最低电阻率为3.31×10·Ω·cm,可见光波段平均光学透光率接近84%。随着溅射功率的增加,薄膜表面形貌和生长形态发生较大变化,并直接得到具有一定凸凹不平的微结构,GZO薄膜的致密性先增加后降低。 展开更多
关键词 GZO薄膜 溅射功率 电学性能 光学性能
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高阻高透CN薄膜的性能研究 认领
10
作者 沈洪雪 金克武 +3 位作者 杨勇 姚婷婷 李刚 马俊 《真空》 CAS 2017年第6期33-35,共3页
以高纯石墨为靶材,采用射频磁控溅射法在不同工艺条件下制备了一系列高电阻、高透过率的CN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、高阻抗率计、分光光度计对样品的表面形貌、电阻率和透过率进行了表征。结果表明,各种工艺条件下制备的CN薄膜都已... 以高纯石墨为靶材,采用射频磁控溅射法在不同工艺条件下制备了一系列高电阻、高透过率的CN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、高阻抗率计、分光光度计对样品的表面形貌、电阻率和透过率进行了表征。结果表明,各种工艺条件下制备的CN薄膜都已初具晶型;薄膜生长状态良好,与基底结合较紧密;所制备的CN薄膜电阻率和透过率均可在一定范围内变化,能较好的满足元器件对薄膜性能的要求。 展开更多
关键词 氮化碳 透过率 晶型
WO3薄膜的磁控溅射法制备及电致变色性能 认领
11
作者 金良茂 汤永康 +5 位作者 甘治平 李刚 金克武 杨勇 彭塞奥 王天齐 《材料导报》 CSCD 北大核心 2017年第A02期140-144,共5页
采用直流反应磁控溅射制备了具有优异电致变色性能的WO3薄膜。通过对成膜参数的调控,实现了低功率和短溅射时间的制膜制度,获得了较宽的工艺范围。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、光学轮廓仪、电化学工作站、紫外-可见-红外分... 采用直流反应磁控溅射制备了具有优异电致变色性能的WO3薄膜。通过对成膜参数的调控,实现了低功率和短溅射时间的制膜制度,获得了较宽的工艺范围。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、光学轮廓仪、电化学工作站、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜的物相、微观结构、厚度、电致变色性能。研究表明:在溅射功率为50 W,溅射压强为2.0Pa,反应气体流量为20sccm时所制得的薄膜性能最为优越。所制备薄膜具有较短的变色响应时间和大幅度的变色调制幅度,其对可见光变色调制幅度达到80%。 展开更多
关键词 WO3薄膜 电致变色 磁控溅射
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基于平稳小波变换的X射线衍射信号消噪研究 认领 被引量:2
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作者 吴叶军 袁希亮 金克武 《现代制造工程》 CSCD 2005年第5期135-137,共3页
讨论利用平稳小波变换进行X射线衍射信号消噪的方法,首先利用Haar小波将受噪声污染的X射线衍射信号进行多层平稳小波变换,利用小波变换的细节系数估计噪声均方差σ,选取阈值σ 2lnN(N为细节系数长度),对小波分解的细节系数进行阈值处理... 讨论利用平稳小波变换进行X射线衍射信号消噪的方法,首先利用Haar小波将受噪声污染的X射线衍射信号进行多层平稳小波变换,利用小波变换的细节系数估计噪声均方差σ,选取阈值σ 2lnN(N为细节系数长度),对小波分解的细节系数进行阈值处理,然后进行平稳小波逆变换重建信号,以达到对信号消噪和提纯.实验结果证明,这种去噪方法是非常有效的,它在消除噪声的同时保留了信号的奇异特征. 展开更多
关键词 平稳小波变换 X射线衍射信号 消噪
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化学气相沉积法较低温度下制备层状硫化钼薄膜的研究 认领
13
作者 苏文静 金良茂 +3 位作者 金克武 王天齐 汤永康 甘治平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第A01期158-160,共3页
二硫化钼具有类似石墨烯的层状结构,是一种被广泛研究的过渡金属硫族化合物。层状二硫化钼是一种具有较高带隙的半导体,其具有好的光致发光特性以及光电子学特性,在晶体管、光伏、传感器件以及光催化分解水制备氢气等领域具有潜在的应... 二硫化钼具有类似石墨烯的层状结构,是一种被广泛研究的过渡金属硫族化合物。层状二硫化钼是一种具有较高带隙的半导体,其具有好的光致发光特性以及光电子学特性,在晶体管、光伏、传感器件以及光催化分解水制备氢气等领域具有潜在的应用价值。目前,较高质量的二硫化钼层状薄膜主要是通过高温化学气相沉积法制备,一般制备温度较高,在850~1000℃。本实验利用化学气相沉积法分别在650℃、675℃、700℃、725℃和750℃条件下制备层状二硫化钼薄膜。通过对不同温度下制备的样品进行光学形貌测试及拉曼光谱分析,得出在较低温度下温度对制备二硫化钼薄膜的形貌和单个片层的尺寸具有显著的影响,其中在725℃时制备的层状薄膜形貌和尺寸都较好。本工作为在较低温度下制备出高质量层状MoS2薄膜打下了较好的基础。 展开更多
关键词 化学气相沉积法 层状二硫化钼 拉曼光谱 二维层状材料
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溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响研究 认领 被引量:2
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作者 彭塞奥 王天齐 +12 位作者 金克武 杨扬 李刚 姚婷婷 杨勇 沈洪雪 鲍田 汤永康 金良茂 王东 苏文静 沈鸿烈 甘治平 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第10期3133-3138,3144共7页
为了研究溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响,使用射频反应磁控溅射技术在常温下以玻璃为基底使用不同功率镀制了800 nm左右的ZrO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品结晶情况,表面和断面形貌进行表征,结... 为了研究溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响,使用射频反应磁控溅射技术在常温下以玻璃为基底使用不同功率镀制了800 nm左右的ZrO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品结晶情况,表面和断面形貌进行表征,结果显示镀制的ZrO2薄膜均为单斜晶体,晶粒尺寸变化不大;随着功率的升高,薄膜从纳米晶结构转变为柱状晶结构。使用纳米压痕仪对薄膜表面进行硬度和弹性模量测试,发现随着功率升高,硬度和弹性模量均出现上升趋势,进一步增加功率出现下降,再上升的变化;在沉积功率为65 W时,可得到厚度为800 nm,弹性恢复量,硬度,弹性模量和塑性指数均最高,分别为88.55%,25.42 GPa,228.6 GPa和0.314的ZrO2薄膜。不同的溅射功率会镀制出不同结构的二氧化锆薄膜,在常温低功率溅射条件下二氧化锆薄膜结构是影响其力学性能的重要因素。 展开更多
关键词 氧化锆薄膜 射频反应磁控溅射 弹性恢复量 硬度 弹性模量 功率 结构
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退火条件对氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响 认领
15
作者 杨勇 姚婷婷 +3 位作者 李刚 金克武 王天齐 马立云 《建筑玻璃与工业玻璃》 2019年第12期7-10,6共5页
利用射频磁控溅射技术,在室温下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂TiO2薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和紫外可见光分光光度计研究了不同退火条件对薄膜的微观结构和光学性能的影响。实验结果表明:真空退火... 利用射频磁控溅射技术,在室温下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂TiO2薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和紫外可见光分光光度计研究了不同退火条件对薄膜的微观结构和光学性能的影响。实验结果表明:真空退火后的薄膜结晶性能均较差,随着退火温度的升高,薄膜表面的缺陷增加,薄膜内部的N含量均减少,禁带宽度从2.83eV增加到3.21eV;常压条件下退火,薄膜的结晶性变优,晶粒变大,薄膜内部N含量减少,禁带宽度增加到2.93eV。 展开更多
关键词 退火条件 紫外可见光分光光度计 X射线光电子能谱仪 薄膜性能 氮掺杂二氧化钛 射频磁控溅射技术 玻璃基底 真空退火
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低温磁控溅射制备AZO薄膜及绒面研究 认领
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作者 张宽翔 彭寿 +3 位作者 姚婷婷 曹欣 金克武 徐根保 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期818-823,共6页
采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(AZO,2%Al2O3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积AZO薄膜,并采用质量分数为0.5%的HCl溶液刻蚀制备绒面AZO薄膜,通过XRD、SEM、分光光度计、霍尔效应测试系统、光电雾度仪等设备... 采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(AZO,2%Al2O3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积AZO薄膜,并采用质量分数为0.5%的HCl溶液刻蚀制备绒面AZO薄膜,通过XRD、SEM、分光光度计、霍尔效应测试系统、光电雾度仪等设备重点研究工作压强对直流射频耦合磁控溅射制备AZO薄膜的晶相结构、表面形貌、光电性能以及后期制绒的影响。研究表明,直流射频耦合磁控溅射可以在低温下制备性能优异的AZO薄膜,且随着工作压强的减小,致密性增强,光电性能改善,后期刻蚀得到具有良好陷光作用的绒面结构。在工作压强0.5 Pa下,低温制备的AZO薄膜电阻率达到3.55×10^-4Ω·cm,薄膜可见光透过达到88.36%,刻蚀后电阻率为4.19×10^-4Ω·cm,可见光透过率89.59%,雾度达24.7%。 展开更多
关键词 直流射频耦合磁控溅射 AZO薄膜 工作压强 绒面
直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响 认领 被引量:3
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作者 彭寿 蒋继文 +7 位作者 李刚 张宽翔 杨勇 姚婷婷 金克武 曹欣 徐根保 王芸 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期987-994,共8页
采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明... 采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明:与室温生长并经410℃热退火后的薄膜相比,410℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜;随着衬底温度的增加,电阻率单调减小,光学吸收边出现蓝移;在溅射功率为85 W时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580℃、溅射功率为85 W的工艺条件下,可制备出电阻率为1.4×10^–4Ω·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO薄膜。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 氧化铟锡薄膜 衬底温度 溅射功率
靶材刻蚀对磁控溅射制备ZnO:Al薄膜性能空间分布的影响 认领
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作者 彭寿 张宽翔 +7 位作者 蒋继文 杨勇 姚婷婷 曹欣 李刚 金克武 徐根保 王芸 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1373-1380,共8页
采用未经使用和经长时间使用后的新旧掺铝氧化锌(AZO)圆形平面陶瓷靶,直流磁控溅射制备AZO薄膜,基片分别正对靶材水平放置和立在屏蔽罩旁竖直放置,并通过X射线衍射仪、霍尔效应测试系统、光学椭偏仪等设备分析其结构和光电性能,系统... 采用未经使用和经长时间使用后的新旧掺铝氧化锌(AZO)圆形平面陶瓷靶,直流磁控溅射制备AZO薄膜,基片分别正对靶材水平放置和立在屏蔽罩旁竖直放置,并通过X射线衍射仪、霍尔效应测试系统、光学椭偏仪等设备分析其结构和光电性能,系统地研究靶材刻蚀对磁控溅射制备AZO薄膜性能空间分布的影响。研究表明,氧负离子是造成靶材刻蚀导致薄膜性能空间差异的主要原因,对于水平放置径向分布的AZO薄膜,采用新靶制备时,靶材刻蚀位置处,氧负离子对薄膜损伤作用最大,(002)晶面间距增大,电学性能最差,而在正对靶中心及其他位置处电学性能较佳,随着靶材刻蚀的加深,氧负离子对正对靶中心位置处的薄膜损伤作用最大,结晶性能和电学性能最差;而对于竖直放置纵向分布的AZO薄膜,由于受氧负离子作用弱,采用新旧靶制备的薄膜性能分布规律相似,薄膜电学和结晶性能较水平放置均有所提升,某些位置处电阻率可达(7-8)×10^-4Ω·cm,但可见光透过率有所下降。 展开更多
关键词 靶材刻蚀 AZO薄膜 氧负离子 空间分布
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