高功率超短脉冲激光的远场描述方法
刘兰琴 彭翰生 朱启华 王逍 魏晓峰
中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900
摘 要:
以随机统计和数值模拟为研究手段，对高功率超短脉冲激光的远场描述方法进行了分析研究。结果表明：对理想超高斯光束，半高全宽内包含的能量百分数最大不超过70％，且随着阶数增大而逐渐降低。在光束质量较好时，远场焦斑的半高全宽基本保持不变。由焦斑的半高全宽计算得到的聚焦功率密度，与半高全宽之间没有明确的关系，但与Strehl比以及半高全宽内包含的能量之间具有明确的线性增长关系。对追求高的功率密度的激光脉冲，单纯用半高全宽或者几倍的衍射极限来描述远场是远远不够的，用Strehl比或者半高全宽内包含的能量百分数来表征功率密度更为恰当。 (共5页)
学科分类:
O437[数理科学和化学 > 物理学 > 光学 > 非线性光学（强光与物质的作用）]
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